公开(公告)号：CN103066126B

公开(公告)日：2017-05-24

申请号：CN201210411681.1

申请日：2012-10-24

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 长隆之 ,  越冈俊介 ,  横山雅俊 ,  山崎舜平

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L29/51

CPC分类号： H01L29/78693 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869

摘要： 本发明的一个方式的课题是提供一种具有使用氧化物半导体的晶体管的可靠性高的半导体装置。在设置在玻璃衬底上的底栅结构的交错型晶体管的半导体装置中，在栅电极层上设置依次层叠其组成彼此不同的第一栅极绝缘膜及第二栅极绝缘膜的栅极绝缘膜。或者在底栅结构的交错型的晶体管中，在玻璃衬底和栅电极层之间设置保护绝缘膜。将在第一栅极绝缘膜与第二栅极绝缘膜之间的界面处或在栅电极层与栅极绝缘膜之间的界面处的包含在玻璃衬底中的金属元素的浓度设定为5×1018atoms/cm3以下（优选为1×1018atoms/cm3以下）。

公开(公告)号：CN105793995A

公开(公告)日：2016-07-20

申请号：CN201480065150.9

申请日：2014-11-19

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 中泽安孝 ,  长隆之 ,  越冈俊介 ,  佐藤贵洋 ,  坂本直哉 ,  山崎舜平

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/28 ,  H01L29/417 ,  H01L51/50

CPC分类号： H01L29/45 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/7869

摘要： 提供一种将含有Cu的金属膜用于具有氧化物半导体膜的晶体管的新颖半导体装置以及该半导体装置的制造方法。该半导体装置包括晶体管，该晶体管包括：第一栅电极层；第一栅电极层上的第一栅极绝缘膜；第一栅极绝缘膜上的重叠于第一栅电极层的氧化物半导体膜；电连接于氧化物半导体膜的一对电极层；氧化物半导体膜及一对电极层上的第二栅极绝缘膜；以及第二栅极绝缘膜上的重叠于氧化物半导体膜的第二栅电极层。一对电极层包括Cu?X合金膜(X是Mn、Ni、Cr、Fe、Co、Mo、Ta或Ti)。