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公开(公告)号：CN102592512A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201210022620.6
申请日：2008-05-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G09F9/30 , H01L27/32 , H01L51/52 , H01L51/54 , G02F1/1343
CPC classification number: H01L51/0021 , C09K19/582 , G02F1/13439 , G02F2202/022 , G02F2202/16 , H01L51/0025 , H01L51/5206 , H01L51/5221
Abstract: 本发明涉及显示装置。本发明的目的在于提供一种高图像质量及高可靠性的显示装置。本发明的目的还在于以低成本且高生产率地提供具有大型屏幕的显示装置。作为用于显示装置的显示元件的电极层使用包括导电性聚合物的电极层，其中减少了该包括导电性聚合物的电极层所包含的离子性杂质的浓度(优选为100ppm或更少)。离子性杂质离子化而容易成为可动离子，使适用于显示元件的液晶层或电致发光层劣化。通过具备减少了这种离子性杂质的包括导电性聚合物的电极层，可以提高显示装置的可靠性。
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公开(公告)号：CN101174675B
公开(公告)日：2012-02-01
申请号：CN200710184973.5
申请日：2007-10-31
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L51/40 , H01L21/336 , H01L51/05 , H01L29/786
CPC classification number: H01L51/0022 , H01L51/0533 , H01L51/0545
Abstract: 本发明的一种半导体装置的制造方法包括如下步骤：在透光衬底上形成栅电极；在所述栅电极和所述衬底上形成包含无机材料的栅绝缘层；在所述绝缘层上形成包含光聚合反应基的有机层；将所述栅电极用作掩模，且通过将来自所述衬底的背面的光照射到所述有机层选择性地聚合所述有机层；通过去除所述有机层的聚合以外的剩余部分，形成有机聚合层；在形成了所述有机聚合层的区域以外的区域的所述栅绝缘层上形成具有水解基的有机硅烷膜；通过在所述有机聚合层上涂敷包含导电材料的组成物形成源电极及漏电极；以及在所述栅电极、所述源电极、以及漏电极上形成半导体层。
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公开(公告)号：CN101681579A
公开(公告)日：2010-03-24
申请号：CN200880020348.X
申请日：2008-06-05
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G09F9/30 , G02F1/1343 , G02F1/1368
CPC classification number: G02F1/133345
Abstract: 一种显示装置，其包括：包含导电聚合物的电极层(1701a)以及显示层(1703)，该显示层可以是液晶层。在电极层和显示层之间设置无机绝缘膜(1716)。该膜防止电极层中的离子性杂质移动到显示层中使液晶层中的意境材料等劣化。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101667599B
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：CN200910173699.0
申请日：2009-09-07
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L29/04
CPC classification number: H01L27/1288 , H01L27/1214 , H01L29/04 , H01L29/66765 , H01L29/78618
Abstract: 本发明提供一种薄膜晶体管，在衬底上具有栅电极层、半导体层、设置在栅电极层和半导体层之间的栅极绝缘层、接触于半导体层的源区及漏区、接触于源区的源电极层以及接触于漏区的漏电极层，其中源区及漏区由添加有赋予一种导电型的杂质的微晶半导体层形成，在半导体层中接触于源区及漏区的区域由晶体区域形成，因为半导体层中的晶体区域不形成在背沟道区中而被分离，所以其成为一对。并且在半导体层中具有包括非晶半导体的半导体层。从而提高反交错型薄膜晶体管的电特性。
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公开(公告)号：CN102681235A
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN201210133219.X
申请日：2008-10-30
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G02F1/1333 , G02F1/1339 , G02F1/136
CPC classification number: G02F1/13394 , G02F1/13392 , G02F2202/28
Abstract: 更准确地控制液晶显示装置中的隔离件的定位，以便防止因显示区域中的不正确定位而引起的显示缺陷。提供具有更高图像质量和可靠性的液晶显示装置，以及提供用于以高产量制造液晶显示装置的方法。在液晶显示装置中，球形隔离件被排放到的区域经过拒液处理，以便降低相对于其中散布了球形隔离件的液体的可湿性。液体(微滴)没有遍布于拒液区域，并且在将球形隔离件朝液体的中心移动时被干燥。因此，可通过在干燥液体时移动球形隔离件，来校正液体中的失控所引起的排放之后不久的不正确定位。
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公开(公告)号：CN102522504A
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN201110437252.7
申请日：2007-10-31
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L51/0022 , H01L51/0533 , H01L51/0545
Abstract: 本发明的一种半导体装置的制造方法包括如下步骤：在透光衬底上形成栅电极；在所述栅电极和所述衬底上形成包含无机材料的栅绝缘层；在所述绝缘层上形成包含光聚合反应基的有机层；将所述栅电极用作掩模，且通过将来自所述衬底的背面的光照射到所述有机层选择性地聚合所述有机层；通过去除所述有机层的聚合以外的剩余部分，形成有机聚合层；在形成了所述有机聚合层的区域以外的区域的所述栅绝缘层上形成具有水解基的有机硅烷膜；通过在所述有机聚合层上涂敷包含导电材料的组成物形成源电极及漏电极；以及在所述栅电极、所述源电极、以及漏电极上形成半导体层。
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公开(公告)号：CN101681578B
公开(公告)日：2012-04-11
申请号：CN200880019261.0
申请日：2008-05-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G09F9/30 , G02F1/1343 , H01L51/50 , H05B33/14 , H05B33/28
CPC classification number: H01L51/0021 , C09K19/582 , G02F1/13439 , G02F2202/022 , G02F2202/16 , H01L51/0025 , H01L51/5206 , H01L51/5221
Abstract: 本发明的目的在于提供一种高图像质量及高可靠性的显示装置。本发明的目的还在于以低成本且高生产率地提供具有大型屏幕的显示装置。作为用于显示装置的显示元件的电极层使用包括导电性聚合物的电极层，其中减少了该包括导电性聚合物的电极层所包含的离子性杂质的浓度(优选为100ppm或更少)。离子性杂质离子化而容易成为可动离子，使适用于显示元件的液晶层或电致发光层劣化。通过具备减少了这种离子性杂质的包括导电性聚合物的电极层，可以提高显示装置的可靠性。
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公开(公告)号：CN101681578A
公开(公告)日：2010-03-24
申请号：CN200880019261.0
申请日：2008-05-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G09F9/30 , G02F1/1343 , H01L51/50 , H05B33/14 , H05B33/28
CPC classification number: H01L51/0021 , C09K19/582 , G02F1/13439 , G02F2202/022 , G02F2202/16 , H01L51/0025 , H01L51/5206 , H01L51/5221
Abstract: 本发明的目的在于提供一种高图像质量及高可靠性的显示装置。本发明的目的还在于以低成本且高生产率地提供具有大型屏幕的显示装置。作为用于显示装置的显示元件的电极层使用包括导电性聚合物的电极层，其中减少了该包括导电性聚合物的电极层所包含的离子性杂质的浓度(优选为100ppm或更少)。离子性杂质离子化而容易成为可动离子，使适用于显示元件的液晶层或电致发光层劣化。通过具备减少了这种离子性杂质的包括导电性聚合物的电极层，可以提高显示装置的可靠性。
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