公开(公告)号：CN114497706A

公开(公告)日：2022-05-13

申请号：CN202111233015.9

申请日：2021-10-22

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 齐藤丞 ,  门马洋平 ,  福岛邦宏 ,  细海俊介 ,  种村和幸 ,  挂端哲弥 ,  山崎舜平 ,  大野敏和 ,  三上真弓 ,  高桥辰义 ,  岛田知弥

IPC: H01M10/056 ,  H01M10/0525

Abstract: 本发明涉及一种二次电池及电子设备。提供一种二次电池，该二次电池为在提高充电深度时的dQ/dVvsV曲线中在4.55V附近具有较宽峰的正极活性物质的二次电池。或者，提供一种二次电池，该二次电池使用如下正极活性物质：在充电电压为4.6V以上且4.8V以下，充电深度为0.8以上且低于0.9的情况下也不成为H1‑3型结构，可以保持CoO2层的偏离被抑制的晶体结构。在dQ/dVvsV曲线中4.55V附近的峰较宽意味着在其附近的抽出锂所需的能量变化少且晶体结构的变化少。因此，可以得到CoO2层的偏离及体积的变化影响较少且即使充电深度较高也较稳定的正极活性物质。