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公开(公告)号：CN1767203A
公开(公告)日：2006-05-03
申请号：CN200510116092.0
申请日：2005-10-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/32
CPC classification number: G11C13/0014 , B82Y10/00 , G09G3/3216 , G09G3/3225 , G09G3/3648 , G09G2310/0251 , G11C13/0016
Abstract: 本发明提供一种包括非易失性存储器电路的显示器件和利用该显示器件的电子设备，能够在不增加制造步骤的数量的情况下将数据加入到该存储器电路中。本发明的显示器件具有存储器电路，该存储器电路包括具有简单结构的存储器元件，在该存储器元件中将有机化合物层插入一对导电层之间。根据具有上述结构的本发明，可在不增加制造步骤的数量的情况下提供一种具有可加入数据的易失性存储器电路的显示器件。
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公开(公告)号：CN117999684A
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202280064348.X
申请日：2022-09-20
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01M10/04 , H01G11/06 , H01G11/08 , H01G11/10 , H01G11/78 , H01M10/48 , H01M10/615 , H01M10/617 , H01M10/625 , H01M10/633 , H01M10/643 , H01M10/647 , H01M10/6555 , H01M50/105 , H01M50/249
Abstract: 提供一种不容易受到环境温度的影响的蓄电装置。提供一种在低温环境下也可以进行充放电的蓄电装置。在蓄电装置中，即使在低温下也可以进行充放电的第一二次电池与通常的第二二次电池相邻。具有这种结构的蓄电装置在低温环境下可以将伴随在低温下也可以进行充放电的二次电池的充放电所产生的热用作内部热源。具体而言，本发明的一个方式是一种以相邻的方式包括第一二次电池和第二二次电池的蓄电装置，其中第一二次电池具有柔性，以‑40℃放电时的放电容量的值是以25℃放电时的放电容量的值的50％以上。
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公开(公告)号：CN115917777A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202180036890.X
申请日：2021-05-18
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01M4/13
Abstract: 提供一种劣化少的负极。另外，提供一种新颖的负极。二次电池包括正极及负极，负极包括包含氟的溶剂、集流体、负极活性物质及石墨烯。负极还包括固体电解质材料，固体电解质材料为氧化物。负极活性物质也可以包含氟。另外，二次电池也可以包括多个不同的电解质。负极活性物质例如为包含选自硅、锡、镓、铝、锗、铅、锑、铋、银、锌、镉和铟中的一个以上的元素的材料。
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公开(公告)号：CN115516689A
公开(公告)日：2022-12-23
申请号：CN202180033408.7
申请日：2021-05-10
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01M10/0569 , H01G11/06 , H01G11/60 , H01M10/052
Abstract: 本发明的一个方式提供一种二次电池，该二次电池在较广的温度范围内可用而不容易受到环境温度的影响。此外，提供一种安全性高的二次电池。为了降低电极与电解质的界面电阻，使用混合高温特性优异的链状酯与5vol.％以上，优选为20vol.％以上的氟代碳酸酯而成的电解质，由此可以实现在较广的温度范围，具体为‑40℃以上且150℃以下，优选为‑40℃以上且85℃以下的范围内可工作的二次电池。
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公开(公告)号：CN114730698A
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202080079074.2
申请日：2020-11-06
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/02
Abstract: 提供一种半导体元件的特性预测系统。半导体元件的特性预测系统包括存储部、输入部、处理部及运算部，处理部具有从容纳在存储部中的第一数据生成学习用数据组的功能、根据从输入部供应的第二数据生成预测用数据的功能、将定性数据(材料的名称或组成式)转换为定量数据(元素的特性及组成)的功能以及对第一数据及第二数据进行抽出或去除的功能，第一数据包含第一半导体元件至第m(m为2以上的整数)半导体元件的工序一览表以及第一半导体元件至第m半导体元件的特性，第二数据包含第m+1半导体元件的工序一览表，运算部具有进行监督学习的学习及推导的功能，由此基于学习用数据组进行学习并从预测用数据推导出半导体元件的特性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110537369B
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN201880025822.1
申请日：2018-04-09
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 提供一种从低分辨率的图像数据生成高分辨率的图像数据的图像处理方法及一种通过该图像处理方法工作的图像接收装置。本发明的一个方式是一种从低分辨率的图像数据生成高分辨率的图像数据的图像处理方法，其中，通过分割低分辨率的图像数据来生成多个第一图像数据，将多个第一图像数据的相邻的两个中的一个作为第二图像数据，将另一个作为第三图像数据，通过由像素数据补充第二图像数据的周围来生成第四图像数据，像素数据包括第三图像数据的一部分，进行将第四图像数据作为输入的卷积神经网络，卷积神经网络输出第五图像数据，并且，通过结合多个第五图像数据来生成高分辨率的图像数据。此外，本发明的一个方式是一种通过该图像处理方法工作的图像接收装置。
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公开(公告)号：CN112086567A
公开(公告)日：2020-12-15
申请号：CN202010504495.7
申请日：2020-06-05
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 提供一种新颖的发光器件。另外，提供一种发光效率良好的发光器件。另外，提供一种寿命良好的发光器件。另外，提供一种驱动电压低的发光器件。本发明的一个方式提供一种发光器件，包括阳极、阴极及阳极与阴极之间的EL层，其中，EL层包括空穴注入层、发光层及电子传输层，空穴注入层位于阳极与发光层之间，电子传输层位于发光层与阴极之间，空穴注入层包含第一物质及第二物质，第一物质是具有空穴传输性且其HOMO能级为‑5.7eV以上且‑5.4eV以下的有机化合物，第二物质是对第一物质呈现电子接收性的物质，并且，电子传输层使用在使电流流过时电阻值变小的材料构成。
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公开(公告)号：CN110998585A
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201880041307.2
申请日：2018-06-14
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G06F30/392
Abstract: 在短时间内进行不但满足设计规则且面积小的布局设计。本发明的一个方式是一种布局设计系统，该布局设计系统包括处理部，其中，处理部被输入电路图及布局设计信息，处理部具有根据电路图及布局设计信息进行Q学习生成布局数据的功能，处理部具有输出布局数据的功能，处理部包括第一神经网络，并且，第一神经网络在Q学习中估算动作值函数。
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公开(公告)号：CN102244205B
公开(公告)日：2015-08-05
申请号：CN201110109514.7
申请日：2006-03-23
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L51/56
CPC classification number: H05B33/22 , C09K11/06 , C09K2211/1029
Abstract: 公开了一种发光器件的制造方法，它包括如下步骤：提供在蒸发源中的含有有机化合物的第一坩埚和含有无机化合物的第二坩埚；沿传递方向将一基材输送进入一个薄膜形成室，从而使该基材通过一蒸发护罩的上方，该蒸发护罩的上部具有至少一个开孔，所述蒸发源置于所述蒸发护罩的下方；在将该基材输送通过该蒸发护罩上方的同时加热在所述蒸发源中的所述有机化合物和无机化合物，从而在所述基材上形成一层含所述有机化合物和无机化合物的层；在形成所述层的过程中加热该蒸发护罩；所述开孔具有细长的形状，其细长的方向沿与所述传递方向垂直的第二方向排列。
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公开(公告)号：CN1767203B
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN200510116092.0
申请日：2005-10-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/32
CPC classification number: G11C13/0014 , B82Y10/00 , G09G3/3216 , G09G3/3225 , G09G3/3648 , G09G2310/0251 , G11C13/0016
Abstract: 本发明提供一种包括非易失性存储器电路的显示器件和利用该显示器件的电子设备，能够在不增加制造步骤的数量的情况下将数据加入到该存储器电路中。本发明的显示器件具有存储器电路，该存储器电路包括具有简单结构的存储器元件，在该存储器元件中将有机化合物层插入一对导电层之间。根据具有上述结构的本发明，可在不增加制造步骤的数量的情况下提供一种具有可加入数据的易失性存储器电路的显示器件。
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