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公开(公告)号：CN108963105A
公开(公告)日：2018-12-07
申请号：CN201810710610.9
申请日：2015-02-26
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 本公开涉及一种发光装置，该发光装置包括第一柔性衬底、第二柔性衬底、缓冲层、第一裂缝抑制层以及发光元件，第一柔性衬底的第一面和第二柔性衬底的第二面相对，缓冲层及第一裂缝抑制层设置在第一柔性衬底的第一面上，缓冲层和第一裂缝抑制层相互重叠，发光元件设置在第二柔性衬底的第二面上。
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公开(公告)号：CN106105388B
公开(公告)日：2018-07-31
申请号：CN201580012233.6
申请日：2015-02-26
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L51/5246 , H01L27/323 , H01L51/0097 , H01L51/5237 , H01L51/524 , H01L51/5243 , H01L2251/5338 , Y02E10/549
Abstract: 提供种起因于裂缝的不良得到降低的柔性装置。另外,提供种生产率高的柔性装置。另外,提供种即使保持在高温高湿环境下也不容易产生显示不良的柔性装置。种发光装置,该发光装置包括第柔性衬底、第二柔性衬底、缓冲层、第裂缝抑制层以及发光元件,第柔性衬底的第面和第二柔性衬底的第二面相对,缓冲层及第裂缝抑制层设置在第柔性衬底的第面上,缓冲层和第裂缝抑制层相互重叠,发光元件设置在第二柔性衬底的第二面上。
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公开(公告)号：CN104037195A
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN201410083251.0
申请日：2014-03-07
Applicant: 株式会社半导体能源研究所 , 夏普株式会社
CPC classification number: H01L33/08 , H01L27/3246 , H01L33/58 , H01L51/5044
Abstract: 本发明抑制发光装置的串扰现象的发生。本发明的一个方式是一种发光装置，包括：绝缘层416；形成在所述绝缘层上的第一下部电极421a；形成在所述绝缘层上的第二下部电极421b；形成在所述绝缘层上且位于所述第一下部电极与所述第二下部电极之间的结构物419；形成在所述绝缘层上且位于所述结构物与所述第一下部电极之间的第一隔壁418a；形成在所述绝缘层上且位于所述结构物与所述第二下部电极之间的第二隔壁418b；形成在所述第一下部电极、所述第一隔壁、所述结构物、所述第二隔壁及所述第二下部电极上的第一发光单元423a；形成在所述第一发光单元上的中间层424；形成在所述中间层上的第二发光单元423b；以及形成在所述第二发光单元上的上部电极422。
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公开(公告)号：CN103781215A
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：CN201310487747.X
申请日：2013-10-17
Applicant: 株式会社半导体能源研究所 , 夏普株式会社
CPC classification number: H01L33/36 , H01L27/3209 , H01L27/3246 , H01L51/5044 , H01L51/525
Abstract: 本发明的课题是抑制具有串联元件的发光装置的串扰现象的发生。本发明的一个方式是一种发光装置，该发光装置包括：形成在绝缘层上的第一下部电极、第二下部电极；形成在所述绝缘层上并位于所述第一下部电极与所述第二下部电极之间的隔壁；形成在所述隔壁上的突起物；形成在所述第一下部电极、所述隔壁、所述突起物和所述第二下部电极的每一个上的第一发光单元；形成在所述第一发光单元上的中间层；形成在所述中间层上的第二发光单元；以及形成在所述第二发光单元上的上部电极，其中由所述突起物的侧面和所述隔壁的侧面形成凹处。
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