Patent search ap:("株式会社半导体能源研究所") AND inv:"前田修平" Page 2

11.

发明公开
半导体装置及动态逻辑电路有权

公开(公告)号：CN111316423A

公开(公告)日：2020-06-19

申请号：CN201880072662.6

申请日：2018-11-12

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 热海知昭 , 加藤清 , 前田修平

IPC: H01L21/8242 , H01L21/336 , H01L27/108 , H01L27/1156 , H01L29/788 , H01L29/792

Abstract: 提供一种工作速度得到提高的半导体装置。半导体装置包括写入字线、读出字线、写入位线、读出位线、第一布线及存储单元。存储单元包括具有相同导电型的第一至第三晶体管及电容器。第一至第三晶体管的栅极分别与写入字线、电容器的第一端子、读出字线电连接。电容器的第二端子与读出位线电连接。第一晶体管的源极和漏极中的一个与写入位线电连接，另一个与第二晶体管的栅极电连接。第二晶体管与第三晶体管在读出位线和第一布线间串联电连接。第一至第三晶体管的沟道形成区域例如包括金属氧化物层。

Patent Agency Ranking