-
公开(公告)号:CN102127422A
公开(公告)日:2011-07-20
申请号:CN201010609289.9
申请日:2006-07-10
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: C09K11/06 , C07D209/86 , H01L51/50 , H01L51/54
CPC classification number: H01L51/006 , C07D209/86 , C09K11/06 , C09K2211/1007 , C09K2211/1011 , C09K2211/1014 , C09K2211/1029 , H01L51/0061 , H01L51/0072 , H01L51/5012 , H05B33/14
Abstract: 本发明目的是提供咔唑衍生物,该咔唑衍生物可用作制造具有耐重复氧化反应性的发光元件材料的原材料。该咔唑衍生物由以下通式(1)表示。在通式(1)中,R1表示选自以下基团中的任一个:含1-4个碳原子的烷基如甲基、乙基和叔丁基,和含1-12个碳原子的芳基如苯基、联苯、和萘基。
-
公开(公告)号:CN101253150A
公开(公告)日:2008-08-27
申请号:CN200680032170.1
申请日:2006-08-22
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: C07D209/88 , C09K11/06 , H01L51/50
CPC classification number: H01L51/006 , C07D209/88 , C09K11/06 , C09K2211/1007 , C09K2211/1011 , C09K2211/1014 , C09K2211/1029 , H01L51/0052 , H01L51/0061 , H01L51/0067 , H01L51/0071 , H01L51/5012 , H01L51/5016 , H05B33/14
Abstract: 本发明的目的是提供具有优异的发光效率的新型材料,包含该新型材料的发光元件,以及使用该发光元件的发光装置。本发明提供了由以右通式(1)表示的蒽衍生物。
-
公开(公告)号:CN101223138A
公开(公告)日:2008-07-16
申请号:CN200680025758.4
申请日:2006-07-10
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: C07D209/86 , C09K11/06 , H01L51/50
CPC classification number: H01L51/006 , C07D209/86 , C09K11/06 , C09K2211/1007 , C09K2211/1011 , C09K2211/1014 , C09K2211/1029 , H01L51/0061 , H01L51/0072 , H01L51/5012 , H05B33/14
Abstract: 目的是提供咔唑衍生物,该咔唑衍生物可用作制造具有耐重复氧化反应性的发光元件材料的原材料。该咔唑衍生物由以下通式(1)表示。在通式(1)中,R1表示选自以下基团中的任一个:含1-4个碳原子的烷基如甲基、乙基和叔丁基,和含1-12个碳原子的芳基如苯基、联苯、和萘基。
-
公开(公告)号:CN101103001A
公开(公告)日:2008-01-09
申请号:CN200580047016.7
申请日:2005-12-26
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: C07D209/88 , C09K11/06 , H01L51/50
Abstract: 本发明提供具有优异的空穴注入和空穴迁移性能的材料。此外,本发明提供使用该具有优异的空穴注入和空穴迁移性能的材料的发光元件和发光装置。本发明提供由通式(1)表示的咔唑衍生物。通过将本发明的咔唑衍生物涂覆到发光元件或发光装置上,可以实现发光元件或发光装置的较低的驱动电压、提高的发射效率、较长的寿命和增强的可靠性。
-
公开(公告)号:CN1769251A
公开(公告)日:2006-05-10
申请号:CN200510128374.2
申请日:2005-10-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: C07C15/20 , C07D521/00 , C09K11/06 , H05B33/14
CPC classification number: C09K11/06 , C07C15/24 , C09K2211/1011 , H01L51/0052 , H01L51/0054 , H01L51/006 , H01L51/0072 , H01L51/0081 , H01L51/0094 , H01L51/5012 , H01L2251/308 , H05B33/14 , Y10S428/917
Abstract: 本发明提供一种能够实现优异蓝色纯度的新型材料,使用该新型材料的发光元件和发光设备。本发明提供表示为结构式(1)的低聚萘衍生物。本发明的低聚萘衍生物具有非常大的带隙,可发出具有非常短波长的光,和可发出具有有利色纯度的蓝光。另外,可表现出优异色纯度的发光元件可通过将该材料应用于发光元件或发光设备而得到;因此可提供具有优异颜色再观性的发光元件。
-
公开(公告)号:CN1610460A
公开(公告)日:2005-04-27
申请号:CN200410061745.5
申请日:2004-06-30
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L27/3267 , G09G3/3216 , G09G3/3225 , G09G2300/0408 , G09G2300/0426 , G09G2300/0439 , G09G2300/0809 , H01L27/3286
Abstract: 本发明的目的是提供一种体积小且包括多个显示面的发光器件,以及提供通过使用该发光器件实现了高附加价值化的便携信息终端。本发明的发光器件的特征是:在其像素部分具备多个发光元件,这些发光元件互相向相反方向发光,而且,一方的发光元件中提供像素驱动元件。本发明的发光器件可以在正背两个面执行显示,而且可以独立显示每个显示面的图像,并且,可以提高两个面合计的开口率。另外,应用本发明的显示器件的电子器件不但可以在两个显示面浏览不同的图像,而且可以实现轻量化和薄型化。
-
公开(公告)号:CN103396324A
公开(公告)日:2013-11-20
申请号:CN201310332965.6
申请日:2007-04-18
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: C07C211/61 , C07D209/88 , C07D209/86 , C09K11/06 , H01L51/00
CPC classification number: H01L51/006 , C07C211/61 , C07C2603/24 , C07D209/86 , C07D209/88 , C09K11/06 , C09K2211/1007 , C09K2211/1011 , C09K2211/1014 , C09K2211/1029 , H01L51/0052 , H01L51/0058 , H01L51/0059 , H01L51/0061 , H01L51/0072 , H01L51/0081 , H01L51/5004 , H01L51/5012 , H01L2251/552 , H01L2251/558 , H05B33/14
Abstract: 本发明的一个目的是提供一种新蒽衍生物。本发明的另一个目的是提供具有高发光效率的发光元件。本发明的另一个目的是提供具有长使用寿命的发光元件。本发明的另一个目的是通过使用本发明的发光元件提供具有长使用寿命的发光器件和电子设备。本发明提供通式(1)表示的蒽衍生物。通式(1)表示的蒽衍生物提供高发光效率的能力使得可以制得具有高发光效率和长使用寿命的发光元件。
-
公开(公告)号:CN101906065B
公开(公告)日:2012-10-17
申请号:CN201010248545.6
申请日:2005-12-26
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: C07D209/88 , C09K11/06 , H01L51/54
CPC classification number: H01L51/0061 , C07D209/88 , C07D403/12 , C09K11/06 , C09K2211/1007 , C09K2211/1011 , C09K2211/1014 , C09K2211/1022 , C09K2211/1029 , H01L51/0052 , H01L51/0058 , H01L51/006 , H01L51/0072 , H01L51/0081 , H01L51/5012 , H01L2251/308 , H05B33/14
Abstract: 本发明的目的是提供发光元件,它耐氧化反应的重复进行。本发明的另一个目的是提供发光元件,它耐还原反应的重复进行。蒽衍生物由通式(1)表示。在通式(1)中,R1表示氢或具有1-4个碳原子的烷基,R2表示氢,具有1-4个碳原子的烷基和具有6到12个碳原子的芳基中的任何一个,R3表示氢,具有1-4个碳原子的烷基,和具有6到12个碳原子的芳基中的任何一个,Ph1表示苯基,和X1表示具有6到15个碳原子的亚芳基。
-
公开(公告)号:CN101223138B
公开(公告)日:2011-03-09
申请号:CN200680025758.4
申请日:2006-07-10
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: C07D209/86 , C09K11/06 , H01L51/50
CPC classification number: H01L51/006 , C07D209/86 , C09K11/06 , C09K2211/1007 , C09K2211/1011 , C09K2211/1014 , C09K2211/1029 , H01L51/0061 , H01L51/0072 , H01L51/5012 , H05B33/14
Abstract: 目的是提供咔唑衍生物,该咔唑衍生物可用作制造具有耐重复氧化反应性的发光元件材料的原材料。该咔唑衍生物由以下通式(1)表示。在通式(1)中,R1表示选自以下基团中的任一个:含1-4个碳原子的烷基如甲基、乙基和叔丁基,和含1-12个碳原子的芳基如苯基、联苯、和萘基。
-
公开(公告)号:CN101090887B
公开(公告)日:2010-09-29
申请号:CN200580045241.7
申请日:2005-12-26
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: C07D209/88 , H01L51/50 , C09K11/06
CPC classification number: H01L51/0061 , C07D209/88 , C07D403/12 , C09K11/06 , C09K2211/1007 , C09K2211/1011 , C09K2211/1014 , C09K2211/1022 , C09K2211/1029 , H01L51/0052 , H01L51/0058 , H01L51/006 , H01L51/0072 , H01L51/0081 , H01L51/5012 , H01L2251/308 , H05B33/14
Abstract: 本发明的目的是提供发光元件,它耐氧化反应的重复进行。本发明的另一个目的是提供发光元件,它耐还原反应的重复进行。蒽衍生物由通式(1)表示。在通式(1)中,R1表示氢或具有1-4个碳原子的烷基,R2表示氢,具有1-4个碳原子的烷基和具有6到12个碳原子的芳基中的任何一个,R3表示氢,具有1-4个碳原子的烷基,和具有6到12个碳原子的芳基中的任何一个,Ph1表示苯基,和X1表示具有6到15个碳原子的亚芳基。
-
-
-
-
-
-
-
-
-