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公开(公告)号:CN116325090A
公开(公告)日:2023-06-23
申请号:CN202180070335.9
申请日:2021-10-08
Applicant: 株式会社力森诺科
Inventor: 铃木淳
IPC: H01L21/3065
Abstract: 提供能够与非蚀刻对象物相比选择性地蚀刻含有硅的蚀刻对象物的蚀刻气体以及蚀刻方法。蚀刻气体含有用通式C4HxFy表示且通式中的x为1以上且7以下、y为1以上且7以下、x+y为8的氟丁烯。而且,蚀刻气体含有氟化氢作为杂质,氟化氢的浓度为100质量ppm以下。蚀刻方法具备蚀刻工序,在所述蚀刻工序中,使蚀刻气体与具有蚀刻对象物和非蚀刻对象物的被蚀刻构件(12)接触,与非蚀刻对象物相比选择性地蚀刻蚀刻对象物,所述蚀刻对象物是蚀刻气体的蚀刻对象,所述非蚀刻对象物不是蚀刻气体的蚀刻对象。蚀刻对象物含有硅。
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公开(公告)号:CN116325088A
公开(公告)日:2023-06-23
申请号:CN202180069821.9
申请日:2021-10-08
Applicant: 株式会社力森诺科
Inventor: 铃木淳
IPC: H01L21/3065
Abstract: 提供一种能够与非蚀刻对象物相比选择性地蚀刻含有硅的蚀刻对象物的蚀刻气体和蚀刻方法。蚀刻气体含有由通式C4HxFy表示并且通式中的x为1以上7以下、y为1以上7以下且x+y为8的氟丁烯。并且,蚀刻气体含有碳酰氟作为杂质,碳酰氟的浓度为100质量ppm以下。蚀刻方法具备蚀刻工序,蚀刻工序使蚀刻气体与具有蚀刻对象物和非蚀刻对象物的被蚀刻构件(12)接触,与非蚀刻对象物相比选择性地蚀刻蚀刻对象物,蚀刻对象物是蚀刻气体的蚀刻对象,非蚀刻对象物不是蚀刻气体的蚀刻对象。蚀刻对象物含有硅。
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公开(公告)号:CN116325087A
公开(公告)日:2023-06-23
申请号:CN202180069264.0
申请日:2021-10-08
Applicant: 株式会社力森诺科
Inventor: 铃木淳
IPC: H01L21/3065
Abstract: 提供一种能够与非蚀刻对象物相比选择性地对含有硅的蚀刻对象物进行蚀刻的蚀刻气体及蚀刻方法。一种蚀刻气体,含有氟丁烯,所述氟丁烯由通式C4HxFy表示,并且所述通式中的x为1以上7以下、y为1以上7以下、x+y为8。该蚀刻气体含有或不含有碱金属和碱土金属中的至少一种作为金属杂质,在含有所述金属杂质的情况下碱金属和碱土金属的浓度之和为5000质量ppb以下。一种蚀刻方法,具备蚀刻工序,在所述蚀刻工序中使蚀刻气体与具有蚀刻对象物和非蚀刻对象物的被蚀刻构件(12)接触,与非蚀刻对象物相比选择性地对蚀刻对象物进行蚀刻。蚀刻对象物含有硅。
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