公开(公告)号：CN117153799A

公开(公告)日：2023-12-01

申请号：CN202310064876.1

申请日：2023-02-06

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝电子元件及存储装置株式会社

Inventor： 井上一裕 ,  藤原真美

IPC: H01L23/492 ,  H01L23/31 ,  H01L23/29

Abstract: 本实施方式涉及半导体装置。本实施方式的半导体装置具备基板、受光元件、开关元件及发光元件。所述基板具有树脂基材和所述树脂基材的第一面上的第一至第三金属焊盘。所述受光元件具有：背面，经由第一连接部件与所述第一、第二金属焊盘及所述第一、第二金属焊盘间的所述第一面的一部分连接；和设置在与所述背面相反一侧的表面的第一、第二接合焊盘。所述第一及第二接合焊盘分别在与所述第一面垂直的方向上设置在与所述第一及第二金属焊盘的某一个重叠的位置。所述开关元件经由第二连接部件与所述第三金属焊盘连接，与所述受光元件的所述第一、第二接合焊盘电连接，所述发光元件隔着第三连接部件设置在所述受光元件的所述表面上。

公开(公告)号：CN111211198B

公开(公告)日：2023-07-21

申请号：CN201910623904.2

申请日：2019-07-11

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝电子元件及存储装置株式会社

Inventor： 藤原真美 ,  野口吉雄 ,  鹰居直也

IPC: H01L31/12

Abstract: 本发明的实施方式提供一种光耦合装置，能够改善高频通过特性。实施方式的光耦合装置具有输入端子、输出端子、第一MOSFET、第二MOSFET、半导体受光元件、半导体发光元件以及树脂层。所述输入端子包括第一引线以及第二引线。所述输出端子包括第三引线以及第四引线。第一MOSFET与漏极区域电连接。第二MOSFET与漏极区域电连接。半导体受光元件具有受光区域和电极焊盘区域。树脂层以输入端子的下表面的中央部以及输出端子的下表面的中央部分别露出的方式，密封第一和第二MOSFET、半导体受光元件、半导体发光元件、输入端子的上表面和侧面、以及输出端子的上表面和侧面。第一以及第二MOSFET被进行共源极连接。

公开(公告)号：CN115116978A

公开(公告)日：2022-09-27

申请号：CN202110830262.0

申请日：2021-07-22

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝电子元件及存储装置株式会社

Inventor： 堀将彦 ,  刀祢馆达郎 ,  田村佳哉 ,  藤原真美

IPC: H01L23/31 ,  H01L25/07 ,  H01L23/488 ,  H01L23/49

Abstract: 实施方式提供可靠性高的半导体装置。实施方式的半导体装置具备：安装基板，设置有第一电极焊盘及第二电极焊盘；半导体元件，设置于安装基板上，具有支承基板、设置于支承基板的朝向安装基板的面的第三电极焊盘及设置于支承基板的朝向安装基板的面的第四电极焊盘，在支承基板和第三电极焊盘上设置有第一狭缝，在支承基板和第四电极焊盘上设置有第二狭缝；第一导电性接合剂，将第一电极焊盘和第三电极焊盘连接；以及第二导电性接合剂，将第二电极焊盘和第四电极焊盘连接。