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公开(公告)号：CN101330083A
公开(公告)日：2008-12-24
申请号：CN200810125346.9
申请日：2008-06-20
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L27/082 , H01L27/06 , H01L27/144 , G05F3/30
CPC classification number: G05F3/30 , H01L27/0207 , H01L27/0825
Abstract: 提供一种降低了因光照射导致的电压波动的带隙基准电压产生电路。该带隙基准电压产生电路的特征在于包括：由第1导电类型的半导体构成的基板；在上述基板上形成的第1晶体管；在上述基板上形成的、与上述第1晶体管基极共同连接的第2晶体管；在上述基板上形成的、具有第2导电类型、在上述第2晶体管的集电极层和上述基板之间并联连接的光吸收区；以及与上述第1晶体管的基极和第2晶体管的基极共同连接的基准电压输出端子，且上述第1晶体管的集电极层的面积比上述第2晶体管的上述集电极层的面积大。
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公开(公告)号：CN100370631C
公开(公告)日：2008-02-20
申请号：CN200510064011.7
申请日：2005-04-05
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H05B33/0803 , H05B33/0818 , Y02B20/347
Abstract: 本发明提供一种发光元件驱动电路，在高速驱动发光元件的同时，防止因反向电压而破坏元件。恒流源(9)与LED(1)串联连接，与该LED(1)并联形成了由二极管(10)和NMOS晶体管(11)构成的电流路径(B1)。NMOS晶体管(11)为导通状态时的电流路径(B1)整体的电压降，比LED(1)的发光时的正向电压(Vf)小。若NMOS晶体管(11)根据输入信号(IN)成为导通状态，LED(1)的阳极电位就比(Vf)小，使LED(1)熄灭。
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公开(公告)号：CN100362668C
公开(公告)日：2008-01-16
申请号：CN200410075205.2
申请日：2004-09-03
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G01J1/44 , H01L31/101
Abstract: 本发明涉及一种半导体光传感器及利用它的携带式终端，既能降低半导体光传感器的功耗，又能改善从等待状态转移动到工作状态时的响应特性。在等待状态时，向光电二极管电流运算电路(110)和初级的电流放大器(112)供给电源电压使其工作，但不向第二级以后的电流放大器(114、116)供给电源电压而使其不工作。然后，在进行键操作等作为触发的操作而从等待状态转移动到工作状态时，也向第二级以后的电流放大器供给电源电压，使其工作。并且，在读入半导体光传感器的输出电流之后，再次停止向第二级以后的电流放大器(114、116)的电源电压的供给。
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公开(公告)号：CN1941675A
公开(公告)日：2007-04-04
申请号：CN200610141560.4
申请日：2006-09-28
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H04B10/1141 , H04B14/026 , H04B14/06
Abstract: 本发明提供一种收发装置以及发送装置和接收装置，该收发装置具有发送装置和接收装置，发送装置具有：多个总和增量模数转换部，与所输入的模拟信号的通道数相对应地设置，并且通过对模拟信号进行总和增量模数转换，生成二进制数字信号；脉宽调制编码器，生成脉宽信号；和发光元件驱动部，通过基于脉宽信号使发光元件发光，生成光信号并传输，接收装置具有：光接收部，将通过由感光元件对光信号感光而获得的电流信号转换成脉宽信号；脉宽解调解码器，以脉宽信号为基础，还原多个通道的二进制数字信号；和多个1比特数模转换部，与二进制数字信号的通道数相对应地设置，并且通过对所输入的二进制数字信号进行1比特的数模转换，还原模拟信号。
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公开(公告)号：CN101900603B
公开(公告)日：2012-09-05
申请号：CN201010128849.9
申请日：2010-03-04
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G01J1/44 , H01L27/144
Abstract: 本发明提供一种光传感器电路，可以确保通过入射光生成的电流的宽动态范围，并且可以降低输出电流的温度变动。该光传感器电路包括：第一端子；第二端子；电流源；第一电流镜电路，包含：第一晶体管、第二晶体管以及第一电阻；以及第二电流镜电路，包含：第三晶体管以及第四晶体管。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1941675B
公开(公告)日：2012-01-11
申请号：CN200610141560.4
申请日：2006-09-28
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H04B10/1141 , H04B14/026 , H04B14/06
Abstract: 本发明提供一种收发装置以及发送装置和接收装置，该收发装置具有发送装置和接收装置，发送装置具有：多个总和增量模数转换部，与所输入的模拟信号的通道数相对应地设置，并且通过对模拟信号进行总和增量模数转换，生成二进制数字信号；脉宽调制编码器，生成脉宽信号；和发光元件驱动部，通过基于脉宽信号使发光元件发光，生成光信号并传输，接收装置具有：光接收部，将通过由感光元件对光信号感光而获得的电流信号转换成脉宽信号；脉宽解调解码器，以脉宽信号为基础，还原多个通道的二进制数字信号；和多个1比特数模转换部，与二进制数字信号的通道数相对应地设置，并且通过对所输入的二进制数字信号进行1比特的数模转换，还原模拟信号。
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公开(公告)号：CN101900603A
公开(公告)日：2010-12-01
申请号：CN201010128849.9
申请日：2010-03-04
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G01J1/44 , H01L27/144
Abstract: 本发明提供一种光传感器电路，可以确保通过入射光生成的电流的宽动态范围，并且可以降低输出电流的温度变动。该光传感器电路包括：第一端子；第二端子；电流源；第一电流镜电路，包含：第一晶体管、第二晶体管以及第一电阻；以及第二电流镜电路，包含：第三晶体管以及第四晶体管。
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公开(公告)号：CN100470816C
公开(公告)日：2009-03-18
申请号：CN200610089849.6
申请日：2006-05-24
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L27/144
CPC classification number: H01L27/14645 , H01L27/14603 , H01L27/14609 , H01L27/14621
Abstract: 本发明提供半导体光传感器装置，具有半导体基板；第一光电二极管，形成在半导体基板上；第二光电二极管，形成在半导体基板上；第一放大电路，形成在半导体基板上，放大来自第一光电二极管的光电流；第二放大电路，形成在半导体基板上，放大来自第二光电二极管的光电流，并具有与第一放大电路大致相同的放大特性；红外透射滤波器，设置在第二光电二极管上，使入射光中的可见光成分相对于红外光成分相对衰减；减法运算电路，形成在半导体基板上，输出第一放大电路的输出和第二放大电路的输出的差值；半导体基板上，第一光电二极管的中心和第二光电二极管的中心关于通过半导体基板中心的直线实质上对称地配置。
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公开(公告)号：CN1681139A
公开(公告)日：2005-10-12
申请号：CN200510064011.7
申请日：2005-04-05
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H05B33/0803 , H05B33/0818 , Y02B20/347
Abstract: 本发明提供一种发光元件驱动电路，在高速驱动发光元件的同时，防止因反向电压而破坏元件。恒流源(9)与LED(1)串联连接，与该LED(1)并联形成了由二极管(10)和NMOS晶体管(11)构成的电流路径(B1)。NMOS晶体管(11)为导通状态时的电流路径(B1)整体的电压降，比LED(1)的发光时的正向电压(Vf)小。若NMOS晶体管(11)根据输入信号(IN)成为导通状态，LED(1)的阳极电位就比(Vf)小，使LED(1)熄灭。
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公开(公告)号：CN1542411A
公开(公告)日：2004-11-03
申请号：CN200410033490.1
申请日：2004-04-09
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G01D5/30
CPC classification number: G01D5/34715
Abstract: 本发明的目的是提供一种能够大幅度降低光电流中DC成分的光学式编码器。本发明的光学式编码器，其特征在于，具有：第1光检测单元，其输出相对于明暗图形沿第1方向的移动而变化，该明暗图形的间距不大于一定值；第2光检测单元，其对上述明暗图形沿上述第1方向的移动，一直检测与明图形对应的光，该明暗图形具有不大于一定值的间距；及运算电路，其对上述第1光检测单元的输出与上述第2光检测单元的输出进行运算。
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