公开(公告)号：CN105990483A

公开(公告)日：2016-10-05

申请号：CN201510100254.5

申请日：2015-03-06

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 胜野弘 ,  石黑阳

IPC: H01L33/24 ,  H01L33/32 ,  H01L33/62 ,  H01L33/48 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/405 ,  H01L33/06 ,  H01L33/32 ,  H01L33/38 ,  H01L33/382 ,  H01L33/44 ,  H01L33/62 ,  H01L33/24 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/48 ,  H01L2933/0033 ,  H01L2933/0066

Abstract: 本发明的实施方式提供一种高可靠性的半导体发光元件。根据实施方式，半导体发光元件包含积层体、第一电极、第二电极、以及第一导电层。所述积层体包含第一半导体层、第二半导体层、以及设置在所述第一半导体层与所述第二半导体层之间的第三半导体层。所述积层体包含第一区域、以及在与所述第二半导体层和所述第一半导体层积层的第一方向交叉的第二方向上与所述第一区域排列的第二区域。所述第一电极与所述第一半导体层电连接。所述第二电极设置在所述第一区域与所述第二区域之间。所述第一导电层将所述第二半导体层与所述第二电极连接。所述第一导电层的外缘位于较所述积层体的外缘更靠内侧。

公开(公告)号：CN105957940A

公开(公告)日：2016-09-21

申请号：CN201610015618.4

申请日：2016-01-11

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 胜野弘 ,  石黑阳 ,  山田真嗣

IPC: H01L33/44 ,  H01L33/02

CPC classification number: H01L33/38 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/44 ,  H01L33/02

Abstract: 半导体发光元件包含基体、第1～3半导体层、第1导电层及第1、2绝缘层。第1半导体层包含第1导电型区域。第2半导体层设置在第1半导体层与基体之间，且为第2导电型。第3半导体层设置在第1半导体层与第2半导体层之间。第1导电层设置在第2半导体层的一部分与基体之间。第1导电层与第2半导体层电连接。第1绝缘层设置在第2半导体层的另一部分与基体之间以及第1导电层与基体之间。第2绝缘层设置在第1绝缘层与基体之间。第1绝缘层的第1厚度比第1绝缘层的第2厚度薄。第2绝缘层的第3厚度与第2绝缘层的第4厚度的差的第2绝对值小于第1厚度与第2厚度的差的第1绝对值。