公开(公告)号：CN118507512A

公开(公告)日：2024-08-16

申请号：CN202311076085.7

申请日：2023-08-25

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝电子元件及存储装置株式会社

Inventor： 井口智明 ,  小林勇介 ,  马场祥太郎 ,  根本宏树 ,  福田大地 ,  西脇达也 ,  清水达雄

IPC: H01L29/08 ,  H01L29/78 ,  H01L29/417 ,  H01L29/47

Abstract: 提供能够降低体二极管的正向电压的半导体装置。根据实施方式，半导体装置包括第1导电部、第2导电部、第3导电部、第1绝缘部以及半导体部。从第1导电部向第2导电部的方向沿着第1方向。从第2导电部向第3导电部的方向沿着与第1方向交叉的第2方向。第1绝缘部包括设置于第2导电部与第3导电部之间的第1绝缘区域。半导体部包括设置于第1导电部与第2导电部之间的第1半导体区域和设置于第2导电部与第1绝缘区域之间的第2半导体区域。第2导电部包括与第1半导体区域肖特基接合的第1导电区域和与第2半导体区域肖特基接合的第2导电区域。在半导体部为n型的情况下，第1导电区域的功函数低于第2导电区域的功函数。

公开(公告)号：CN115440819A

公开(公告)日：2022-12-06

申请号：CN202210069128.8

申请日：2022-01-21

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 小林勇介 ,  清水达雄 ,  井口智明 ,  雁木比吕 ,  根本宏树

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336

Abstract: 提供能够提高特性的半导体装置及其制造方法。根据实施方式，半导体装置包括第1～第3电极、第1导电构件半导体构件以及第1绝缘构件。第1绝缘构件包括第1～第3位置。第1绝缘构件在第3位置处包含第1元素，该第1元素包括从包括氮、铝、铪以及锆的群选择的至少一个元素。第1绝缘构件在第1位置以及第2位置处不包含第1元素。或者，第1位置处的第1元素的浓度以及第2位置处的第1元素的浓度分别比第3位置处的第1元素的浓度低。