公开(公告)号：CN103021449B

公开(公告)日：2015-11-11

申请号：CN201210223483.2

申请日：2012-06-29

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 北川英二

IPC: G11C11/16 ,  H01L27/22

CPC classification number: G11C11/16 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1655 ,  G11C11/1659 ,  G11C11/1673 ,  G11C11/1675 ,  H01L27/222

Abstract: 本发明提供一种能够实现高速工作的磁性存储器。本实施方式的磁性存储器具备：磁阻效应元件，具有根据自旋注入写入而磁化的方向不变的第1磁性层、磁化的方向可变的第2磁性层、以及设置在所述第1磁性层与所述第2磁性层之间的隧道势垒层；第1布线，与所述磁阻效应元件的所述第1磁性层以及所述第2磁性层中的一个磁性层电连接；选择晶体管，该选择晶体管的源极/漏极中的一个与所述磁阻效应元件的所述第1磁性层以及所述第2磁性层中的另一个电连接；第2布线，与所述选择晶体管的源极/漏极中的另一个电连接；二极管，该二极管的一个端子与所述磁阻效应元件的所述第1磁性层以及所述第2磁性层中的另一个电连接；第3布线，与所述二极管的另一端子电连接；以及读出放大器，与所述第3布线电连接。

公开(公告)号：CN103021449A

公开(公告)日：2013-04-03

申请号：CN201210223483.2

申请日：2012-06-29

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 北川英二

IPC: G11C11/16 ,  H01L27/22

CPC classification number: G11C11/16 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1655 ,  G11C11/1659 ,  G11C11/1673 ,  G11C11/1675 ,  H01L27/222

Abstract: 本发明提供一种能够实现高速工作的磁性存储器。本实施方式的磁性存储器具备：磁阻效应元件，具有根据自旋注入写入而磁化的方向不变的第1磁性层、磁化的方向可变的第2磁性层、以及设置在所述第1磁性层与所述第2磁性层之间的隧道势垒层；第1布线，与所述磁阻效应元件的所述第1磁性层以及所述第2磁性层中的一个磁性层电连接；选择晶体管，该选择晶体管的源极/漏极中的一个与所述磁阻效应元件的所述第1磁性层以及所述第2磁性层中的另一个电连接；第2布线，与所述选择晶体管的源极/漏极中的另一个电连接；二极管，该二极管的一个端子与所述磁阻效应元件的所述第1磁性层以及所述第2磁性层中的另一个电连接；第3布线，与所述二极管的另一端子电连接；以及读出放大器，与所述第3布线电连接。

公开(公告)号：CN101154709B

公开(公告)日：2010-06-09

申请号：CN200710161358.2

申请日：2007-09-28

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 吉川将寿 ,  甲斐正 ,  永濑俊彦 ,  北川英二 ,  岸达也 ,  与田博明

IPC: H01L43/08 ,  H01L27/22 ,  H01F10/32 ,  G11C11/15 ,  G11C11/16

CPC classification number: H01F10/3254 ,  B82Y10/00 ,  B82Y25/00 ,  B82Y40/00 ,  G11C11/16 ,  H01F41/307 ,  H01L27/228 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10

Abstract: 提供了一种可以用低电流反转磁化方向，具有低面电阻(RA)和高TMR比值的磁阻效应元件。磁阻效应元件包括：膜叠层，其包括磁化自由层、磁化固定层和位于所述磁化自由层和所述磁化固定层之间的中间层，其中，所述磁化自由层包括其中磁化方向可以改变的磁性层，所述磁化固定层包括其中磁化方向被固定的磁性层，所述中间层是包含硼(B)和从由Ca、Mg、Sr、Ba、Ti和Sc组成的组中选出的元素的氧化物。通过所述中间层在所述磁化固定层和所述磁化自由层之间双向提供电流，使得所述磁化自由层的磁化可反转。

公开(公告)号：CN100539231C

公开(公告)日：2009-09-09

申请号：CN200610141248.5

申请日：2006-09-29

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 池川纯夫 ,  中山昌彦 ,  甲斐正 ,  北川英二 ,  与田博明

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12 ,  H01F10/00 ,  H01F10/32

CPC classification number: G11C11/1657 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1655 ,  G11C11/1659 ,  G11C11/1673 ,  G11C11/1675

Abstract: 根据本发明一个方面的一种磁阻元件包括其磁化状态改变的自由层和其磁化状态固定的钉扎层。所述自由层包括第一和第二铁磁性层以及设置在所述第一和第二铁磁性层之间的非磁性层。设定所述第一和第二铁磁性层之间的交换耦合强度，以使星形曲线沿难磁化方向开口。

公开(公告)号：CN101399312A

公开(公告)日：2009-04-01

申请号：CN200810215231.9

申请日：2008-09-22

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 永瀬俊彦 ,  吉川将寿 ,  北川英二 ,  西山胜哉 ,  大坊忠臣 ,  岸达也 ,  与田博明

IPC: H01L43/08 ,  H01L27/22 ,  H01F10/32 ,  G11C11/16 ,  G11C11/15

CPC classification number: H01L43/10 ,  B82Y25/00 ,  G11C11/161 ,  H01F10/123 ,  H01F10/3254 ,  H01F10/3286 ,  H01L27/228

Abstract: 磁阻元件(10)包含：基底层(23)，其由具有NaCl构造、并且取向于(001)面的氮化物构成；第一磁性层(14)，其被设置在上述基底层(23)上，且具有垂直于膜面的方向的磁各向异性，并且由具有L10构造、并且取向于(001)面的铁磁性合金构成；非磁性层(16)，其被设置在上述第一磁性层(14)上；以及第二磁性层(17)，其被设置在上述非磁性层(16)上，并且具有垂直于膜面的方向的磁各向异性。

公开(公告)号：CN101162756A

公开(公告)日：2008-04-16

申请号：CN200710141632.X

申请日：2007-08-17

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 北川英二 ,  永濑俊彦 ,  吉川将寿 ,  西山胜哉 ,  岸达也 ,  与田博明

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  H01L27/22 ,  G11C11/15 ,  G11C11/16 ,  H01F10/32

CPC classification number: G11C11/16 ,  B82Y25/00 ,  H01F10/123 ,  H01F10/3236 ,  H01F10/3254 ,  H01F10/3286 ,  H01F10/329 ,  H01L43/08 ,  Y10S977/935

Abstract: 本发明涉及磁阻元件和磁存储器。一种磁阻元件(10)包括：包含磁性材料并具有(001)面取向的fct晶体结构的自由层(12)，该自由层(12)具有与膜面垂直并具有可通过自旋极化电子改变的方向的磁化；夹住自由层(12)并具有四方晶体结构和立方晶体结构中的一个的第一非磁性层(13)和第二非磁性层(14)；和仅被设置在自由层(12)的一侧和第一非磁性层(13)的与具有自由层(12)的表面相对的表面上并包含磁性材料的固定层(11)，该固定层(11)具有与膜面垂直并具有固定方向的磁化。

公开(公告)号：CN101131866A

公开(公告)日：2008-02-27

申请号：CN200710141062.4

申请日：2007-08-16

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 北川英二 ,  吉川将寿 ,  岸达也 ,  与田博明

IPC: G11C11/16

CPC classification number: G11C11/1693 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1659 ,  G11C11/1673 ,  G11C11/1675

Abstract: 本发明公开了一种磁性存储元件、磁性存储器和驱动磁性存储器的方法。在执行读取时可以防止不经意的写入。用于在磁性存储层中写入信息的写入电流脉冲的持续时间比用于从磁性存储层读取信息的读取电流脉冲的持续时间长。