公开(公告)号：CN1333385A

公开(公告)日：2002-01-30

申请号：CN01121971.8

申请日：2001-06-22

Applicant: 松下电工株式会社 ,  城户淳二

Inventor： 椿健治 ,  城户淳二 ,  岸上泰久 ,  近藤行广

IPC: C23C14/24 ,  C23C14/12 ,  H01J63/04

CPC classification number: C23C14/541 ,  C23C14/12 ,  C23C14/24

Abstract: 一真空蒸镀设备包括具有多个蒸发源和一加热器的一真空室,加热器加热诸蒸发源以实现在真空室内的至少一基片的一表面上的真空蒸镀。至少一蒸发源利用一有机材料,将包围诸蒸发源和诸蒸发源和基片在内相互面对的一空间的一热壁加热至该有机材料既不附着又不分解的一温度。通过加热诸蒸发源同时使诸蒸发源和基片彼此相对运动使该有机材料蒸镀在基片的表面上。

公开(公告)号：CN1287678A

公开(公告)日：2001-03-14

申请号：CN99801925.9

申请日：1999-08-26

Applicant: 松下电工株式会社

Inventor： 幡井崇 ,  菰田卓哉 ,  本多由明 ,  相泽浩一 ,  渡部祥文 ,  栎原勉 ,  近藤行广 ,  冈直正 ,  越田信义

IPC: H01J1/30 ,  H01J9/02 ,  H01J29/04 ,  H01J31/12

CPC classification number: B82Y10/00 ,  H01J1/312 ,  H01J9/022 ,  H01J31/127 ,  H01J2201/3125

Abstract: 本发明提供能够使表面电极的所希望的区域发射出电子的场发射型电子源及其制造方法,场发射型电子源10具备作为导电性基板的p型硅基板1、形成于p型硅基板1内的主表面侧的带状的作为扩散层的n型区域8、形成于n型区域8上,从n型区域注入的电子发生漂移的、氧化的多孔多晶硅构成的强电场漂移层6、形成于强电场漂移层6之间的多晶硅层3,以及在与n型区域8交叉的方向上形成带状,跨越强电场漂移层6上面及多晶硅层3上面形成的导电性薄膜构成的表面电极7。适当选择施加电压的n型区域8和表面电极7,能够使得施加电压的表面电极7中只有与施加电压的n型区域8交叉的区域发射出电子,所以能够使表面电极7的所希望的区域发射出电子。