公开(公告)号：CN1838407A

公开(公告)日：2006-09-27

申请号：CN200610065564.9

申请日：2006-03-22

Applicant: 新光电气工业株式会社

Inventor： 关和光 ,  佐藤晴信 ,  吴宗昭

IPC: H01L23/495 ,  H01L23/50

CPC classification number: H01L23/49582 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2924/00

Abstract: 采用本发明半导体器件引线框架的半导体器件具有将在其上安装半导体芯片的平台部分、连接到该平台部分的内部引线部分、和连接到该内部引线部分的外部引线部分。该引线框架包括：镍(Ni)层(1)，钯(Pd)或钯合金层(2)，锡(Sn)或锡合金层或者锌(Zn)或锌合金层(3)、(3a)或(3b)，以及金(Au)层(4)、(4a)或(4b)，从构成引线框架的基板材料表面开始在该基板材料上顺序形成全部各层。

公开(公告)号：CN1774803A

公开(公告)日：2006-05-17

申请号：CN200580000327.8

申请日：2005-04-19

Applicant: 新光电气工业株式会社

Inventor： 关和光 ,  吉江崇 ,  门崎幸一

IPC: H01L23/50

CPC classification number: H01L23/49582 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/85464 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2224/45099

Abstract: 一种用于半导体器件的Pd－PPF结构的引线框架，包括内引线和外引线，其中构成所述引线框架的衬底的整个表面或至少所述外引线具有复合镀层，所述复合镀层包括由在构成所述引线框架的所述衬底的所述整个表面上或在至少所述外引线上沉积的基于Ni的镀层构成的下层，在所述下层的上表面上沉积的厚度为0.005至0.01μm的Pd或Pd合金镀层，以及在所述Pd或Pd合金镀层的上表面上沉积的厚度为0.02至0.1μm的Au镀层。当通过利用无铅的基于Sn－Zn焊料或任何其它无铅焊料在封装衬底上安装半导体器件时，改善了所述引线框架与所述无铅的基于Sn－Zn的焊料或任何其它无铅焊料之间的润湿性，从而改善了所述半导体器件的封装特性。

公开(公告)号：CN1190840C

公开(公告)日：2005-02-23

申请号：CN00800926.0

申请日：2000-03-24

Applicant: 新光电气工业株式会社

Inventor： 关和光 ,  吉江崇 ,  佐藤晴信

IPC: H01L23/50

Abstract: 一种在树脂密封式半导体装置中使用的由铜或铜合金构成的半导体装置用引线框架，具备：由铜或铜合金构成的引线框架本体；在该引线框架本体上边形成，用由锌或铜-锌合金构成的下层和由厚度0.02～0.4微米的铜构成的上层构成的2层的基底电镀皮膜；和在由该基底电镀皮膜的该铜构成的上层的至少内部引线的金属丝键合部分上边形成的贵金属电镀皮膜。该引线框架与密封树脂之间的贴紧性优良，也没有贵金属电镀液(特别是银电镀液)的污染、贵金属电镀皮膜的外观也好、耐蚀性和耐湿性都优良、外装镀锡皮膜的外观和贴紧性也好。

公开(公告)号：CN1538518A

公开(公告)日：2004-10-20

申请号：CN200410033875.8

申请日：2004-04-15

Applicant: 新光电气工业株式会社

Inventor： 关和光 ,  宫原义仁 ,  吴宗昭

IPC: H01L23/12 ,  H01L23/28 ,  H01L23/495 ,  H01L23/00

CPC classification number: H01L23/49586 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/484 ,  H01L2224/48599 ,  H01L2224/48699 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01011 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01084 ,  H01L2924/01088 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/351 ,  H05K3/202 ,  H05K3/385 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/85399 ,  H01L2224/05599

Abstract: 安装半导体元件的导体衬底，所述导体衬底的至少安装所述半导体元件的部分被绝缘树脂密封，其中所述导体衬底的最上表面层包括铜或其合金，并利用通过所述导体衬底的表面处理形成的含有氢氧化物的铜氧化物层覆盖部分或整个所述导体衬底，以及生产所述导体衬底的方法和生产使用所述导体衬底的半导体器件的方法。