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公开(公告)号：CN1266775C
公开(公告)日：2006-07-26
申请号：CN02132109.4
申请日：2002-08-30
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L31/022425 , H01L31/046 , H01L31/0463 , Y02E10/50
Abstract: 提供可高合格率且高产率地制造通用性强的太阳电池的制造方法以及制造装置。包含以下工序：在基板(11)形成长方形的第1电极层(12)的工序；在第1电极层(12)上形成长方形的半导体层(13)的工序；在半导体层(13)上形成长方形的第2电极层(14)的工序。第1电极层(12)以及第2电极层(14)中的至少1个电极层，利用以下工序分割成长方形：(a)涂抹抗蚀液并形成条状的抗蚀图的工序，(b)覆盖抗蚀图地形成上述至少1个电极层的工序，(c)同时除去抗蚀图以及在抗蚀图上形成的上述至少1个电极层的工序。
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公开(公告)号：CN1599082A
公开(公告)日：2005-03-23
申请号：CN200410079736.9
申请日：2004-09-16
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L31/0264 , H01L31/042 , H01L31/0288 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/0323 , Y02E10/541 , Y02P70/521
Abstract: 一种半导体膜具有如下成分：其中Ia族元素和Vb族元素添加到具有包含Ib族元素、IIIb族元素和VIb族元素的黄铜矿结构的化合物半导体中。这允许提供可以有效地控制其载流子密度的半导体膜。本发明的太阳能电池(1)包括：衬底(11)和设置在衬底(11)上作为光吸收层(13)的本发明的半导体膜。通过这种结构，可以提供可有效地控制其载流子密度的光吸收层，由此可提供具有高能转换效率的太阳能电池。
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公开(公告)号：CN1156026C
公开(公告)日：2004-06-30
申请号：CN97126412.0
申请日：1997-10-15
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L31/06 , H01L31/0264 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/0749 , H01L31/0322 , Y02E10/541
Abstract: 本发明涉及一种太阳能电池，包括以下部分：衬底；背电极，形成在所述衬底上；p型黄铜矿结构半导体膜，形成在所述背电极上；n型半导体膜，形成以与所述p型黄铜矿结构半导体膜形成pn结构；透明电极，形成在所述n型半导体膜上；其特征是：在所述p型黄铜矿结构半导体膜和所述n型半导体膜之间形成电阻率比所述p型黄铜矿结构半导体膜高的材料，该材料在p-型黄铜矿结构半导体膜表面上的多个晶界上形成岛状。
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公开(公告)号：CN1319897A
公开(公告)日：2001-10-31
申请号：CN01111902.0
申请日：2001-03-23
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L31/0264 , H01L31/042 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/0392 , H01L31/0322 , H01L31/03925 , H01L31/03926 , Y02E10/541 , Y02P70/521
Abstract: 提供其特性和可靠性良好的太阳能电池及其制造方法,该太阳能电池使用包含Ⅰb族元素、Ⅲb族元素和Ⅵb族元素的半导体。该太阳能电池配有导电性的基体11、在基体11的一主表面11a上形成的第1绝缘层12a、在基体11的另一主表面11b上形成的第2绝缘层12b、以及在第1绝缘层11a的上方配置的光吸收层14,光吸收层14由包含Ⅰb族元素、Ⅲb族元素和Ⅵb族元素的半导体组成。
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公开(公告)号：CN109216551A
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：CN201810588206.9
申请日：2018-06-08
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L31/022466 , H01L31/022425 , H01L31/0445 , H01L51/0032 , H01L51/4213 , H01L51/4226 , H01L51/447 , H01L51/42 , H01L51/0077
Abstract: 本发明提供可以具有高光电转换效率的太阳能电池。所述太阳能电池具有：第1电极；空穴传输层，其位于所述第1电极上且含有镍、锂以及氧；光吸收层，其位于所述空穴传输层上并将光转换为电荷；以及第2电极，其位于所述光吸收层上；其中，所述光吸收层含有在将A设定为1价阳离子、将M设定为2价阳离子、将X设定为1价阴离子时，用组成式AMX3表示的钙钛矿型化合物；在所述空穴传输层内，面向所述光吸收层的部分的锂浓度小于面向所述第1电极的部分的锂浓度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100472815C
公开(公告)日：2009-03-25
申请号：CN200310103649.8
申请日：2003-11-06
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L31/04 , H01L33/00 , H01L21/31 , H01L21/203 , C23C14/08
CPC classification number: H01L33/26 , H01L31/022466 , H01L31/022483 , H01L31/032 , H01L31/0323 , H01L31/0749 , Y02E10/541 , Y02P70/521
Abstract: 提供一种具有新型氧化物层的电子器件及其制造方法。本发明的电子器件是具有氧化物层的电子器件，氧化物层由含有IIA族元素、IIB族元素和IIIA族元素的氧化物构成。例如，可用于太阳能电池，该太阳能电池具有第1电极层即背面电极(11)、透光性的第2电极层即透明导电膜(15)、配置在背面电极(11)和透明电极(15)之间的具有作为光吸收层功能的半导体层(13)、以及进一步具有配置在半导体层(13)和透明导电膜(15)之间的氧化物层(14)。
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公开(公告)号：CN1809932A
公开(公告)日：2006-07-26
申请号：CN200480017508.7
申请日：2004-11-30
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L31/0336 , H01L31/072
CPC classification number: H01L31/02966 , H01L31/0322 , H01L31/0749 , H01L31/1832 , Y02E10/541 , Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及由复合物形成的复合半导体膜，所述复合物含有：A.至少一种选自锌、锡、镉、铟和镓的元素；B.至少一种选自氧和硫的元素；和C.IIa族的元素。太阳能电池被构造为包括：基体(11)；在基体(11)上形成的导电层(12)；在导电层(12)上形成的吸光层(13)，所述吸光层用含有Ib族元素、IIIa族元素和VIa族元素的复合半导体形成；形成于所述吸光层(13)之上的上述复合半导体膜(14)；和形成于所述复合半导体膜(14)之上的透明导电层(16)。所述构造提供了具有低电阻率的复合半导体膜。另外，通过利用具有低电阻率的所述复合半导体膜作为太阳能电池的缓冲层，提高了太阳能电池的能量转化效率。
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公开(公告)号：CN1771610A
公开(公告)日：2006-05-10
申请号：CN200480009521.8
申请日：2004-04-09
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L31/072 , H01L31/032
CPC classification number: H01L31/0749 , H01L31/0322 , Y02E10/541
Abstract: 提供了包含具有黄铜矿结构的化合物半导体的光吸收层并且具有优良特性例如转换效率的太阳能电池。该太阳能电池包括第一电极层，第二电极层，放置于第一电极层和第二电极层的p－型半导体层，和放置于p－型半导体层和第二电极层之间的n－型半导体层。该p－型半导体层包括含有Ib族元素，IIIb族元素，VIb族元素并且具有黄铜矿结构的化合物半导体。该p－型半导体层的带隙从n－型半导体层侧向第一电极层侧单调增加。p－型半导体层在n－型半导体层侧主表面上的带隙至少是1.08eV，并且p－型半导体层在第一导体层侧主表面上的带隙是至少1.17eV。在该p－型半导体层中，在n－型半导体层侧的第一区域和在第一电极层侧的第二区域在p－型半导体层的厚度方向上的带隙增加率各自不同。
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公开(公告)号：CN1682378A
公开(公告)日：2005-10-12
申请号：CN03821566.7
申请日：2003-09-10
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L31/042
CPC classification number: H01L31/046 , H01L31/0443 , Y02E10/541 , Y02P70/521
Abstract: 一种太阳能电池，包括导电基板和在该导电基板上设置的绝缘层、导电层和半导体层。形成通孔以穿透该绝缘层和导电层，用构成所述半导体层的半导体填充通孔。从构成所述导电基板的元素中选出的至少一种元素扩散到用于填充通孔的半导体中。
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公开(公告)号：CN1199288C
公开(公告)日：2005-04-27
申请号：CN01111902.0
申请日：2001-03-23
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L31/0264 , H01L31/042 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/0392 , H01L31/0322 , H01L31/03925 , H01L31/03926 , Y02E10/541 , Y02P70/521
Abstract: 提供其特性和可靠性良好的太阳能电池及其制造方法，该太阳能电池使用包含Ib族元素、IIIb族元素和VIb族元素的半导体。该太阳能电池配有导电性的基体11、在基体11的一主表面11a上形成的第1绝缘层12a、在基体11的另一主表面11b上形成的第2绝缘层12b、以及在第1绝缘层11a的上方配置的光吸收层14，光吸收层14由包含Ib族元素、IIIb族元素和VIb族元素的半导体组成。
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