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公开(公告)号：CN1156026C
公开(公告)日：2004-06-30
申请号：CN97126412.0
申请日：1997-10-15
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L31/06 , H01L31/0264 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/0749 , H01L31/0322 , Y02E10/541
Abstract: 本发明涉及一种太阳能电池，包括以下部分：衬底；背电极，形成在所述衬底上；p型黄铜矿结构半导体膜，形成在所述背电极上；n型半导体膜，形成以与所述p型黄铜矿结构半导体膜形成pn结构；透明电极，形成在所述n型半导体膜上；其特征是：在所述p型黄铜矿结构半导体膜和所述n型半导体膜之间形成电阻率比所述p型黄铜矿结构半导体膜高的材料，该材料在p-型黄铜矿结构半导体膜表面上的多个晶界上形成岛状。
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公开(公告)号：CN1156020C
公开(公告)日：2004-06-30
申请号：CN99104304.9
申请日：1999-03-24
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L31/0264 , H01L31/042 , H01L31/078 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/0749 , H01L31/0322 , H01L31/0328 , Y02E10/541 , Y10T428/12528
Abstract: 提供了至少包含含有Ib族元素、IIIb族元素和VIb族元素的n型化合物半导体层的半导体薄膜、其制造方法以及使用该半导体薄膜的太阳能电池。该太阳能电池包含有基板(71)，在基板(71)上顺序层合的背面电极(72)、p型半导体层(13)、n型化合物半导体层(12)、n型半导体层(14)、窗层(76)和透明导电膜(77)，p侧电极(78)，以及n侧电极(79)。n型化合物半导体层(12)含有Ib族元素、IIIb族元素、VIb族元素和II族元素，是载流子密度高的n型。
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公开(公告)号：CN1230031A
公开(公告)日：1999-09-29
申请号：CN99104304.9
申请日：1999-03-24
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L31/0264 , H01L31/042 , H01L31/078 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/0749 , H01L31/0322 , H01L31/0328 , Y02E10/541 , Y10T428/12528
Abstract: 提供了至少包含含有Ⅰb族元素、Ⅲb族元素和Ⅵb族元素的n型化合物半导体层的半导体薄膜、其制造方法以及使用该半导体薄膜的太阳能电池。该太阳能电池包含有基板71,在基板71上顺序层合的背面电极72、p型半导体层13、n型化合物半导体层12、n型半导体层14、窗层76和透明导电膜77,p侧电极78,以及n侧电极79。n型化合物半导体层12含有Ⅰb族元素、Ⅲb族元素、Ⅵb族元素和Ⅱ族元素,是载流子密度高的n型。
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公开(公告)号：CN1185662A
公开(公告)日：1998-06-24
申请号：CN97126412.0
申请日：1997-10-15
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L31/06 , H01L31/0264 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/0749 , H01L31/0322 , Y02E10/541
Abstract: 在把P型黄铜矿结构半导体做成光吸收层的薄膜太阳电池中,在P型黄铜矿结构半导体薄膜和n型结构半导体薄膜之间,形成电阻率比该P型黄铜矿结构半导体还要大的材料。在混合Ⅲb族元素盐(例如:lnCl3)、含Ⅵb族元素的有机化合物(例如:CH3CSNH2)、酸(例如:HCl)的溶液中,浸P型黄铜矿结构半导体(例如:CulnSe2),以此形成该材料。
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