公开(公告)号：CN1259734C

公开(公告)日：2006-06-14

申请号：CN02811802.2

申请日：2002-06-13

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 川口靖利 ,  石桥明彦 ,  辻村步 ,  大信之

IPC: H01L33/00 ,  H01S5/343 ,  H01L21/205

CPC classification number: B82Y20/00 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/0265 ,  H01L33/007 ,  H01S5/34333

Abstract: 在由氮化镓(GaN)构成的基板(11)上，形成由至少含有铝的氮化物半导体构成的小面形成层(12)。在小面形成层(12)的表面上，形成相对C面倾斜的小面，选择生长层(13)从该倾斜的小面，沿横向生长。其结果是，可使选择生长层(13)、和由在其上生长的n型AlGaN构成的n型包覆层(14)实质上晶格匹配，比如，通过晶体生长，获得没有裂缝的发生的激光器结构。

公开(公告)号：CN1765036A

公开(公告)日：2006-04-26

申请号：CN200480007918.3

申请日：2004-03-09

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 菅原岳 ,  川口靖利 ,  石桥明彦 ,  木户口勋 ,  横川俊哉

IPC: H01S5/20

CPC classification number: H01S5/227 ,  H01S5/0202 ,  H01S5/0421 ,  H01S5/2205 ,  H01S5/32341

Abstract: 本发明的氮化物半导体元件的制造方法，其中包括：工序(A)，其准备：作为被分割成多个芯片用基板的氮化物半导体基板，分割后具有起着各芯片用基板作用的多个元件部分，和将所述元件部分结合的元件间部分，所述元件间部分的平均厚度比所述元件部分厚度小的氮化物半导体基板；工序(B)，其在氮化物半导体基板的上面形成在所述元件部分上具有条状开口部分的掩模层；工序(C)，其在所述氮化物半导体基板的上面，在通过所述掩模层的所述开口部分露出的区域上，使氮化物半导体层选择性生长；和工序(D)，其将所述氮化物半导体基板从所述氮化物半导体基板的元件间部分劈开，形成具有被分割成单个芯片用基板的多个氮化物半导体元件的。

公开(公告)号：CN1739225A

公开(公告)日：2006-02-22

申请号：CN200480002182.0

申请日：2004-01-14

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 菅原岳 ,  川口靖利 ,  石桥明彦 ,  横川俊哉 ,  松原敦

IPC: H01S5/323

Abstract: 一种氮化物半导体元件，其特征在于，具有：在表面形成有由空隙构成的凹部(102b)和由III族氮化物构成的凸部(102a)的基板(101)、在基板(101)上形成的氮化物半导体层(106)和在氮化物半导体层(106)上形成的具有活性层的氮化物半导体层叠体，基板(101)的晶格常数与III族氮化物(102a)的晶格常数不同，基板(101)具有由电介质(104)构成的掩模(104a)，掩模(104a)仅在凸部(102a)的侧面形成，凸部(102a)的上面露出，并且在凹部(102b)露出基板(101)，掩模(104a)的高度L1在50nm以上5000nm以下，凹部(102b)的宽度L2在5000nm以上50000nm以下，凹部(102b)的高宽比L1/L2在0.001以上1.0以下。利用这样的结构，可以提高氮化物半导体元件的可靠性。