公开(公告)号：CN100368443C

公开(公告)日：2008-02-13

申请号：CN200410080711.0

申请日：2004-10-08

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 岸村真治 ,  远藤政孝 ,  屉子胜 ,  上田充 ,  饭森弘和 ,  福原敏明

IPC: C08F28/04 ,  C08G75/30 ,  G03F7/004

CPC classification number: G03F7/0397 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/0395 ,  Y10S430/106 ,  Y10S430/108 ,  Y10S430/115 ,  Y10S430/146 ,  Y10S430/167

Abstract: 光致抗蚀剂材料的基础树脂，由含有以式1这样的通式表示的第一单元和以式2这样的通式表示的第二单元的高分子化合物构成。由此而提供一种对波长小于等于300nm带的曝光光的透过性优良、基板密接性、显影溶解性优良的光致抗蚀剂材料。

公开(公告)号：CN1993303A

公开(公告)日：2007-07-04

申请号：CN200680000516.X

申请日：2006-05-23

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 中川秀夫 ,  屉子胜 ,  村上友康

IPC: C04B41/91 ,  C23F4/00 ,  G02B6/13 ,  C03B11/00

Abstract: 用由含氯原子的气体生成的等离子体50对WC基板7进行蚀刻。

公开(公告)号：CN1786820A

公开(公告)日：2006-06-14

申请号：CN200510116654.1

申请日：2005-10-26

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 远藤政孝 ,  屉子胜

IPC: G03F7/11 ,  G03F7/20

CPC classification number: G03F7/38 ,  G03F7/11 ,  G03F7/2041 ,  Y10S430/162

Abstract: 本发明公开了一种阻挡膜形成用材料及使用它的图案形成方法。在衬底(101)上形成抗蚀膜(102)。接着，在已形成的抗蚀膜(102)上形成含有碱性化合物即例如二环己基胺的阻挡膜(103)。接着，将含有硫酸铯的液体浸渍用液体(104)供到阻挡膜(103)上的状态下，用曝光光(105)透过阻挡膜(103)选择性地照射抗蚀膜(102)，进行图案曝光。接着，进行了图案曝光后去掉阻挡膜(103)，对已进行图案曝光的抗蚀膜(102)还进行显像处理，形成形状良好的抗蚀图案(102a)。因此，能够防止用于浸渍光刻的液体浸渍用液体对抗蚀膜造成影响，得到形状良好的微细图案。

公开(公告)号：CN1677233A

公开(公告)日：2005-10-05

申请号：CN200510063016.8

申请日：2005-04-01

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 远藤政孝 ,  屉子胜

IPC: G03F7/004 ,  G03F7/20 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/0043 ,  G03F7/0392

Abstract: 在基材上形成包含氧化钛的抗蚀膜后，利用波长小于或等400nm的光或者电子束选择性照射抗蚀膜进行图案曝光。图案曝光后，抗蚀膜被显影形成由抗蚀膜构成的抗蚀图案。

公开(公告)号：CN1606128A

公开(公告)日：2005-04-13

申请号：CN200410080713.X

申请日：2004-10-08

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 远藤政孝 ,  屉子胜

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/20

CPC classification number: G03F7/70341

Abstract: 一种半导体制造装置，其包括：一个曝光部，该曝光部设置在一个腔体内，其用于对位于保护薄膜上的设计图案进行曝光，其中保护薄膜涂敷在一个晶片上；和一个液体回收部，该部用于将浸渍光刻技术所用的液体进送到晶片上，以在曝光过程中增加曝光光线的数值孔径，同时使液体循环流动。该液体回收部包括：一个液体供给部，该部用于将液体进送到晶片的保护薄膜上；一个液体排放部，该部用于排放和回收位于晶片上方的液体；和一个杂质清除部，该部用于容纳液体并将液体中所含的杂质清除掉。