公开(公告)号：CN1389883A

公开(公告)日：2003-01-08

申请号：CN02122810.8

申请日：2002-06-06

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 小岛浩一 ,  广田洁 ,  栗田淳一 ,  御堂勇治 ,  河内步

IPC: H01G9/04 ,  H01G9/028 ,  H01G9/15

CPC classification number: H01G9/042 ,  H01G9/26 ,  H01G11/56 ,  Y02E60/13

Abstract: 一种固体电解电容用阳极构件,具有纯度99%以上的阀金属箔制的阳极体和在该阳极体上形成的阀金属粉末烧结体制的阳极层。通过将阀金属箔所含杂质量抑制在1%以下,能减少阳极氧化形成的介质氧化薄膜中的杂质,即能减少薄膜的缺陷,能够在将最终的固体电解电容的ESR值保持为较低的情况下,降低漏电流。同时,使用高CV粉末,能实现固体电解电容的小型大电容化。本发明还使用该阳极构件,提供低漏电流、低ESR、小型大电容的固体电解电容器及其制造方法。

公开(公告)号：CN100369167C

公开(公告)日：2008-02-13

申请号：CN01800975.1

申请日：2001-04-19

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 御堂勇治 ,  是近哲广 ,  木村凉 ,  小岛浩一 ,  益见英树 ,  高木诚司

IPC: H01G9/012 ,  H01G9/04 ,  H01G9/048 ,  H01G9/025

CPC classification number: H01G9/15 ,  H01G4/40 ,  H01G11/48 ,  Y02E60/13

Abstract: 本发明的固体电解电容器，具有其一部分上形成有阳极电极部的阀金属片体，在所述阀金属表面形成的介质薄膜，在所述介质薄膜上形成的固体电解质层，在所述固体电解质层上形成的阴极电极部，以及保护所述阳极电极部、介质薄膜、固体电解质层及阴极电极部的绝缘保护层，还具有在所述绝缘保护层上形成的、至少与所述阳极电极部或阴极电极部连接的凸头。使用本发明的固体电解电容器，能制成高频响应性能优秀的半导体装置或电路。

公开(公告)号：CN1476028A

公开(公告)日：2004-02-18

申请号：CN03145845.9

申请日：2003-07-10

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 广田洁 ,  小岛浩一

IPC: H01G9/04 ,  H01G9/15

CPC classification number: H01G9/15 ,  H01G9/04 ,  H01G9/26

Abstract: 提供一种在固体电解电容器用阳极体上形成的电介质保护膜缺陷较少、漏电流特性和ESR特性优异的固体电解电容器。所述阳极体由形成阳极的阀金属箔及在此金属箔的表面和内面形成的烧结体层所构成，该烧结体层将除阀金属箔的阳极导出部之外的3个方向的端面全部包覆。而且，形成阳极的阀金属箔被烧结体层包覆的平面部面积在烧结体层的平面部面积的1/2以上。

公开(公告)号：CN1381061A

公开(公告)日：2002-11-20

申请号：CN01801417.8

申请日：2001-05-21

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 御堂勇治 ,  是近哲广 ,  木村涼 ,  高木诚司 ,  小岛浩一

IPC: H01G4/18

CPC classification number: H01G9/15

Abstract: 本发明的电容器,包括其一部分形成电极部的金属多孔层,在金属表面上形成的有机介质,在有机介质上形成的固体电解质层,在固体电解质层上形成的电极层,保护所述电极部、所述介质、所述固体电解质层和所述电极层的绝缘保护层,并具有形成在所述绝缘保护层上、至少与所述电极部或者所述电极层连接的凸出。使用本发明的电容器,能构成高频响应性能好的半导体装置或电路。