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公开(公告)号：CN1943084A
公开(公告)日：2007-04-04
申请号：CN200580011771.X
申请日：2005-10-13
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01S5/02
CPC classification number: H01L21/0254 , H01S5/02
Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体元件，是具备：具有上面及下面的基板(1)、和由基板(1)的上面支撑的半导体叠层构造(40)，基板(1)及半导体叠层构造(40)至少具有2个解理面的氮化物半导体元件。具备与2个解理面中的任意一个相接的至少一个解理引发构件(3)，解理引发构件(3)的与解理面平行的方向的尺寸小于基板(1)的上面的与解理面平行的方向的尺寸。
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