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公开(公告)号：CN1155152C
公开(公告)日：2004-06-23
申请号：CN99801005.7
申请日：1999-04-19
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H03G1/007 , H03H11/245 , H03K2217/0054
Abstract: 在携带终端发送部的高频部中，为了在70dB以上的大范围内线性地(平直度±1dB)进行对一个控制电压的增益控制，用至少由两个以上的串联的可变电阻51、52构成的信号线51连接信号输入部34和信号输出部35，将并联连接的可变电阻53、54分别连接在信号输入部34和接地线57之间、以及信号输出部35和接地线57之间，将增益控制线56连接在可变电阻51、52、53、54上，将基准电压施加部23、27、31、33连接在各个可变电阻51、52、53、54上，将增益控制电压施加部19通过增益控制线56连接在各个可变电阻51、52、53、54上。
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公开(公告)号：CN100377350C
公开(公告)日：2008-03-26
申请号：CN200410055996.2
申请日：2004-08-04
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L25/04
CPC classification number: H01L25/18 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48145 , H01L2224/48227 , H01L2224/49171 , H01L2224/49175 , H01L2924/30107 , H01L2924/3011 , H01L2924/3025 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明提供一种小型半导体器件，成本低，具有高集成度，且抑制由金线的寄生电感分量造成的电路的插入损耗的增加和隔离特性的下降。半导体器件包括：对开关电路半导体芯片(111)的高频信号处理进行控制的控制用半导体芯片(110)；搭载在控制用半导体芯片(110)上，对高频信号进行处理的开关电路半导体芯片(111)；搭载了控制用半导体芯片(110)的基板(410)；作为与外部的接口的外部端子(113)；将控制用半导体芯片(110)、开关电路半导体芯片(111)和外部端子(113)之间连接的金线(210)；以及形成于控制用半导体芯片(110)上和基板(410)内部，用于对高频信号进行处理的MIM电容器(120、430)。
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公开(公告)号：CN1311631C
公开(公告)日：2007-04-18
申请号：CN200410036884.2
申请日：2004-04-16
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H03K17/284
Abstract: 使5个电阻的一端分别与串联连接的4个耗尽型FET的两端和中点连接，对5个电阻的另一端施加规定的电压。由此，固定4个FET的源漏电位。通过固定各FET的源漏电位，对各FET的栅源之间稳定地施加用于使各FET导通的偏置电压，可靠地进行FET的通断切换。
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公开(公告)号：CN1574630A
公开(公告)日：2005-02-02
申请号：CN200410049035.0
申请日：2004-06-11
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H03K17/693 , H03K17/06
CPC classification number: H03K17/04123 , H03K17/693
Abstract: 在输入输出高频信号的多个输入输出端子之间设置由4组FET的串联电路构成的4个开关电路部。各开关电路部通过独立地分别对4个FET的栅端子施加栅控制电压，实现导通状态和关断状态。进而，在各开关电路部中，对FET的漏端子或源端子独立地施加漏控制电压，供给与输入到各开关电路部的高频信号的功率值对应的电压，作为栅控制电压和漏控制电压。
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公开(公告)号：CN1379544A
公开(公告)日：2002-11-13
申请号：CN02106117.3
申请日：2002-04-04
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H03D7/12
CPC classification number: H03D7/125
Abstract: 本发明提供了一种能够减少电流消耗而不损害射频特性的频率变换电路。本地振荡放大器由第一场效应晶体管构成。其源极在高频时由第一电容器接地,其栅极与第一、第二电阻的每个的一端相连。第一电阻的另一端接地,第二电阻的另一端和电源端子相连。中频放大器由第二场效应晶体管构成。其源极通过相互并联的第三电阻和第二电容器接地。其漏极通过第三电容器和中频输出匹配电路与中频信号输出端相连。第一场效应晶体管的源极和第二场效应晶体管的漏极通过交流阻断电路相连。
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公开(公告)号：CN1272977A
公开(公告)日：2000-11-08
申请号：CN99801005.7
申请日：1999-04-19
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H03G1/007 , H03H11/245 , H03K2217/0054
Abstract: 在携带终端发送部的高频部中,为了在70dB以上的大范围内线性地(平直度±1dB)进行对一个控制电压的增益控制,用至少由两个以上的串联的可变电阻51、52构成的信号线51连接信号输入部34和信号输出部35,将并联连接的可变电阻53、54分别连接在信号输入部34和接地线57之间、以及信号输出部35和接地线57之间,将增益控制线56连接在可变电阻51、52、53、54上,将基准电压施加部23、27、31、33连接在各个可变电阻51、52、53、54上,将增益控制电压施加部19通过增益控制线56连接在各个可变电阻51、52、53、54上。
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