半导体元件的制造设备及制造方法

    公开(公告)号:CN1126368A

    公开(公告)日:1996-07-10

    申请号:CN95108536.0

    申请日:1995-06-09

    CPC classification number: H01L21/2236 H01L21/67213 H01L29/66765

    Abstract: 本发明提供一种半导体元件的制造设备及制造方法,以高生产率地制作金属与半导体界面的电阻小、特性优异、可靠性高的大面积的半导体元件。打开闸阀2a将备有a-Si∶H薄膜的样品送入样品准备室3,排气至10-210-3Pa的压力,从样品室3经中间室1将样品传送到离子照射室4,进行磷等的离子照射。离子照射后,打开闸阀2c,传送到压力10-3~10-7Pa的中间室1,然后打开闸阀2d,传送到淀积室5,将Ar气体导入淀积室5,通过溅射法,进行Al/Ti的金属膜的淀积,经中间室1将样品移出取出室6。

    气体放电显示面板
    12.
    发明授权

    公开(公告)号:CN100583360C

    公开(公告)日:2010-01-20

    申请号:CN200580018795.8

    申请日:2005-04-07

    Abstract: 本发明的第一目的是提供一种气体放电显示面板,其成本较低且能维持壁电荷的保持力,同时能将放电滞后控制在对图像显示最合适的区域内,进而,通过降低放电开始电压,可以发挥良好的显示性能。此外,本发明的第二目的是提供一种PDP和气体放电显示面板的制造方法,其中,PDP使2次电子发射系数γ比以往进一步提高,降低了放电开始电压以扩大驱动容限,从而提高显示质量和可靠性;气体放电显示面板的制造方法缩短密封排气工序时的排气时间以降低制造成本,并且降低驱动电路的成本。因此,在本发明中,通过以MgO为主要成分,进而,包含添加量范围为20质量ppm以上且5000质量ppm以下的Si和添加量范围为300质量ppm以上且10000质量ppm以下的H来构成保护层。

    等离子体显示面板及其制造方法

    公开(公告)号:CN1742353A

    公开(公告)日:2006-03-01

    申请号:CN200380109088.0

    申请日:2003-11-12

    Abstract: 本发明是一种等离子体显示面板,形成了保护层(15)的第1衬底(11)经放电空间和第2衬底相对配置,且上述两衬底周围被密封;在保护层(15)的表面,电子发射特性互不相同的第1材料和第2材料分别暴露于上述放电空间,而且,第1材料和第2材料中的至少一方是分散存在的。这里,上述第1材料是第1结晶体(15A),上述第2材料是第2结晶体(15B),在上述保护层的表面,第2结晶体分散在第1结晶体中。

    等离子体显示面板及等离子体显示装置

    公开(公告)号:CN1717768A

    公开(公告)日:2006-01-04

    申请号:CN200380104342.8

    申请日:2003-11-28

    Abstract: 本发明的等离子体显示面板在第1基板上大致平行地配置了多个由第1电极和第2电极构成的1对显示电极,与上述第1基板相对置的第2基板上,在与上述显示电极的较长方向垂直的方向上配设了第3电极,相邻第3电极之间形成有间隔壁,其特征在于,相邻显示电极之间的附近,在与上述间隔壁或第1基板一侧的上述间隔壁的相对置的壁面上配设了第4电极,该第4电极电气地暴露在由上述间隔壁形成的放电空间。

    等离子显示板及其制造方法

    公开(公告)号:CN1501429A

    公开(公告)日:2004-06-02

    申请号:CN200310116402.X

    申请日:2003-11-18

    CPC classification number: H01J11/12 H01J9/02 H01J11/40

    Abstract: 一种由第一衬底和第二衬底组成的等离子显示板,所述第一衬底和第二衬底通过放电空间彼此面对并密封在一起。在第一衬底上的保护层主要由氧化镁组成,包括在禁带区域中创建第一能级的物质或结构,该区域位于导带附近,还包括在禁带的另一区域中创建第二能级的物质或结构,该另一区域位于价带附近。在驱动期间,电子占据第二能级,在第一能级中几乎不存在电子,或者电子由于负电荷态能够很容易占据第一能级,没有降低MgO的绝缘电阻。这维持了壁电荷保持并降低了放电不规律和着火电压Vf。

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