公开(公告)号：CN101036224A

公开(公告)日：2007-09-12

申请号：CN200580033895.8

申请日：2005-10-04

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 土师宏 ,  有田洁 ,  中川显 ,  野田和宏

IPC: H01L21/78

CPC classification number: H01L21/78

Abstract: 在包括由在半导体晶片上分别网格状排列的假想分割线以及作为半导体晶片外边界轮廓的圆周线划分的多个假想分割区域的半导体晶片中，放置掩模来使得与各个去除区域相对应的全部晶片表面露出，其中去除区域是由晶片的圆周线和假想分割线划分的近似三角形区域以及一些假想分割区域，然后在掩模放置侧表面执行等离子体蚀刻，由此半导体晶片沿分割线被分割成单独的半导体器件，同时晶片中对应于去除区域的部分被去除。

公开(公告)号：CN101151703A

公开(公告)日：2008-03-26

申请号：CN200680010657.X

申请日：2006-04-04

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 有田洁 ,  中川显

IPC: H01J37/32

CPC classification number: H01J37/32532 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449

Abstract: 等离子体处理设备包括：作为下电极(3)的台(31)；作为下电极的对电极的上电极(4)；以及其中放置了下电极和上电极的处理腔室(2)。所述设备向位于下电极和上电极之间的等离子体发生空间(A)提供气体，以产生等离子体，使得处理对象(W)受到等离子处理。在所述设备中，上电极由以下部分构成：本体部分(41)，具有供气端口(T)；透气多孔盘(43)，位于本体部分(41)的下侧上，以便封闭供气端口(T)；以及支架构件(41)，用于支撑多孔盘的外部边缘部分。用于吸收由于在等离子体处理中的热膨胀导致的应力的狭缝(S)以一定间距形成于多孔盘的外部边缘部分中。

公开(公告)号：CN101151702A

公开(公告)日：2008-03-26

申请号：CN200680010656.5

申请日：2006-04-04

Applicant: 松下电器产业株式会社 ,  黑崎播磨株式会社

Inventor： 有田洁 ,  中川显 ,  久我浩司 ,  俣野泰司 ,  佐藤信博

IPC: H01J37/32

CPC classification number: H01L21/67069 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/3244

Abstract: 在等离子体处理设备中，在下电极(3)和上电极(4)之间的等离子体发生空间(A)中产生等离子体，使得在下电极(3)上安装的处理对象(W)受到等离子体处理，多个剪切部分(S)用于吸收由于等离子体处理时的迅速温升导致的热膨胀引起的应力，并以等间距形成在上电极(4)所包括的气体喷头盘(43)的外边缘部分中。因此，可以防止气体喷头盘免于由于在所述气体喷头盘等的外部边缘部分中出现裂缝引起的损坏。

公开(公告)号：CN1823411A

公开(公告)日：2006-08-23

申请号：CN200480020648.X

申请日：2004-07-22

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 有田洁 ,  岩井哲博 ,  中川显

IPC: H01L21/68

Abstract: 对晶片的与电路形成表面相对的表面进行蚀刻加工的等离子加工设备，包括环形的陶瓷绝缘薄膜(26，27)，该陶瓷绝缘薄膜与大晶片(6A)或小晶片(6B)的外边缘相谐调地位于电极元件(3)的安装面(3b)上。当采用大晶片时，附接环元件(29)。当采用小晶片时，安装阻挡元件(9)以遮蔽沉积在安装面(3b)上的绝缘薄膜之间的间隙，并覆盖吸入孔(3c)。此外，附接盖元件(25)以从顶部覆盖阻挡元件。以该布置，可以用同一电极元件对不同尺寸的晶片进行等离子加工。