公开(公告)号：CN118867011A

公开(公告)日：2024-10-29

申请号：CN202310489192.6

申请日：2023-04-27

Applicant: 杭州海康威视数字技术股份有限公司

Inventor： 浦世亮 ,  彭彧 ,  徐凯敏 ,  苏星 ,  沈林杰

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/107 ,  H01L27/144

Abstract: 本发明公开一种雪崩二极管、光电二极管器件和探测器，雪崩二极管包括具有第一掺杂类型的衬底、第三半导体区以及第四半导体区，具有第二掺杂类型的第一半导体区和第二半导体区，第一半导体区由衬底的第一表面向第二表面延伸设置；第二半导体区由第一表面向第二表面延伸设置，并包裹于第一半导体区的周缘；第三半导体区由第二半导体区背离第一表面的一侧向第二表面延伸设置，第三半导体区与第一半导体区在第一表面至第二表面的方向上至少部分重叠；第四半导体区与第二半导体区在平行于第一表面的方向具有间隔，第四半导体区以第一半导体区的中垂线为轴对称设置。本发明技术方案的雪崩二极管可减少边缘击穿并提高探测效率。

公开(公告)号：CN117334757A

公开(公告)日：2024-01-02

申请号：CN202210743017.0

申请日：2022-06-27

Applicant: 杭州海康威视数字技术股份有限公司

Inventor： 彭彧 ,  徐凯敏 ,  苏星 ,  沈林杰

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/101 ,  H01L31/102 ,  G01J1/44

Abstract: 本申请提供一种光电探测器，所述光电探测器包括金属硅化物层，所述金属硅化物层包括金属硅化物区域和多个第一金属硅化物阻挡区域，所述金属硅化物区域用于放置金属硅化物，所述第一金属硅化物阻挡区域用于放置目标物质，所述目标物质的透光性优于所述金属硅化物的透光性；所述多个第一金属硅化物阻挡区域对称分布在所述金属硅化物区域的周围区域。通过本申请的技术方案，通过设置多个金属硅化物阻挡区域，且多个金属硅化物阻挡区域对称分布在金属硅化物区域的周围区域，使得每个金属硅化物阻挡区域的电场一致性比较好，即中心区与边缘区的电场一致性比较好，避免影响电场分布的均匀性，也不影响电场的分布，从而避免影响光电探测器的特性。

公开(公告)号：CN115064601A

公开(公告)日：2022-09-16

申请号：CN202210770504.6

申请日：2022-06-30

Applicant: 杭州海康威视数字技术股份有限公司

Inventor： 徐凯敏 ,  彭彧 ,  苏星 ,  沈林杰

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/0336 ,  H01L31/107 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明提供一种光电器件及其制造方法。所述光电器件包括衬底、重掺杂区、量子点薄膜及透明导电膜层。所述衬底具有相对的第一表面和第二表面。所述重掺杂区设于所述衬底中并自所述衬底的第一表面外露，所述重掺杂区的材料为第一导电类型材料。所述量子点薄膜设于所述衬底的第二表面，所述量子点薄膜的材料为第二导电类型材料。所述透明导电膜层，设于所述量子点薄膜背离所述衬底的一侧。上述光电器件在衬底的第二表面设置量子点薄膜，使得量子点薄膜与重掺杂区之间形成异质结，基于量子点薄膜可设置为能吸收更大波长的光，使得该设置量子点薄膜的光电器件能够探测更大波长范围的光，提高光电器件的探测效果。