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公开(公告)号：CN111900366B
公开(公告)日：2023-01-06
申请号：CN202010629154.2
申请日：2020-07-02
Applicant: 有研资源环境技术研究院(北京)有限公司
IPC: H01M4/38 , H01M4/62 , H01M4/48 , H01M10/0525
Abstract: 本发明公开了一种含锂SiOx粉体的制备方法。所述含锂SiOx粉体中的x为0.9＜x＜1.1，主要成分为SiO、Si、SiO2和含锂化合物，该制备方法包括以下步骤：(1)原料的混合：将高纯Si粉和SiO2粉按一定配比称量，添加一定量的金属锂或者含锂化合物，采用球磨的方法进行混合；(2)含锂SiOx的制备：采用单源蒸发或双源蒸发化学气相沉积法制备含锂SiOx块体；(3)粉体整形：将含锂SiOx块体通过球磨或者气流破碎法进行粉体整形，得到目标含锂SiOx粉体。采用该方法制备SiOx粉体能够有效的实现SiOx材料的预锂化，并能够有效的避免SiOx材料在预锂化过程中的歧化反应。
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公开(公告)号：CN111900366A
公开(公告)日：2020-11-06
申请号：CN202010629154.2
申请日：2020-07-02
Applicant: 有研资源环境技术研究院(北京)有限公司
IPC: H01M4/38 , H01M4/62 , H01M4/48 , H01M10/0525
Abstract: 本发明公开了一种含锂SiOx粉体的制备方法。所述含锂SiOx粉体中的x为0.9＜x＜1.1，主要成分为SiO、Si、SiO2和含锂化合物，该制备方法包括以下步骤：(1)原料的混合：将高纯Si粉和SiO2粉按一定配比称量，添加一定量的金属锂或者含锂化合物，采用球磨的方法进行混合；(2)含锂SiOx的制备：采用单源蒸发或双源蒸发化学气相沉积法制备含锂SiOx块体；(3)粉体整形：将含锂SiOx块体通过球磨或者气流破碎法进行粉体整形，得到目标含锂SiOx粉体。采用该方法制备SiOx粉体能够有效的实现SiOx材料的预锂化，并能够有效的避免SiOx材料在预锂化过程中的歧化反应。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111969196B
公开(公告)日：2023-01-10
申请号：CN202010780626.4
申请日：2020-08-05
Applicant: 有研资源环境技术研究院(北京)有限公司
Abstract: 本发明公开了一种纳米片状氧化亚硅及其复合负极材料。该纳米片状氧化亚硅的化学式为SiOx，其中0.9＜x＜1.1；并且具有纳米片状颗粒形貌；其由激光粒度仪测试的中位粒径(D50)为100‑1000nm，由氮吸附测试的比表面积为50‑150m2/g。该纳米片状氧化亚硅颗粒平面方向的平均直径为100‑1000nm，厚度为10‑50nm，且所述颗粒平面方向的平均直径与颗粒厚度的比值大于5。所述复合负极材料包含所述纳米片状氧化亚硅及添加剂，其中纳米片状氧化亚硅在复合负极材料中的质量分数为5‑50％。本发明的纳米片状氧化亚硅具有电子、离子传输距离短的优势，在电极充放电过程中能够保持导电结构稳定。基于该纳米片状氧化亚硅的复合负极材料，可以减少导电组分的用量，在提高导电性和改善循环性能的同时保持高容量。
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公开(公告)号：CN114591089A
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN202210343585.1
申请日：2022-04-02
Applicant: 有研资源环境技术研究院(北京)有限公司
IPC: C04B35/58 , C04B35/622 , C04B35/626
Abstract: 本发明提供了一种基于缺陷调控的超高温陶瓷的致密化方法，所述方法包括：采用多种合成方法制备得到与每种合成方法对应的超高温陶瓷粉体；计算得到超高温陶瓷粉体的位错密度；基于计算得到的粉体的位错密度，确定多种合成方法分别得到超高温陶瓷粉体的混合比例；按照所述混合比例，将多种合成方法分别得到的超高温陶瓷进行混合以调控超高温陶瓷粉体缺陷浓度；将混合后的超高温陶瓷粉体进行烧结，得到超高温陶瓷；本发明通过计算位错密度并利用不同位错密度的粉体调控粉体缺陷，制备得到致密度高的超高温陶瓷。
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公开(公告)号：CN111969196A
公开(公告)日：2020-11-20
申请号：CN202010780626.4
申请日：2020-08-05
Applicant: 有研资源环境技术研究院(北京)有限公司
Abstract: 本发明公开了一种纳米片状氧化亚硅及其复合负极材料。该纳米片状氧化亚硅的化学式为SiOx，其中0.9＜x＜1.1；并且具有纳米片状颗粒形貌；其由激光粒度仪测试的中位粒径(D50)为100-1000nm，由氮吸附测试的比表面积为50-150m2/g。该纳米片状氧化亚硅颗粒平面方向的平均直径为100-1000nm，厚度为10-50nm，且所述颗粒平面方向的平均直径与颗粒厚度的比值大于5。所述复合负极材料包含所述纳米片状氧化亚硅及添加剂，其中纳米片状氧化亚硅在复合负极材料中的质量分数为5-50％。本发明的纳米片状氧化亚硅具有电子、离子传输距离短的优势，在电极充放电过程中能够保持导电结构稳定。基于该纳米片状氧化亚硅的复合负极材料，可以减少导电组分的用量，在提高导电性和改善循环性能的同时保持高容量。
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公开(公告)号：CN114956832A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210342262.0
申请日：2022-04-02
Applicant: 有研资源环境技术研究院(北京)有限公司
IPC: C04B35/58 , C04B35/56 , C04B35/622
Abstract: 本发明提供了一种超高温陶瓷致密化方法和超高温陶瓷，所述方法包括：按照添加剂与原料混合物之间的目标比例，在合成所述超高温陶瓷粉体的过程中添加所述添加剂以实现缺陷调控，得到超高温陶瓷粉体；其中，所述添加剂包括B粉、NaCl、Na2B4O7、KCl中的至少一种；对所述超高温陶瓷粉体进行烧结，以得到致密化的超高温陶瓷；本发明通过添加添加剂对超高温陶瓷粉体进行缺陷调控，得到了烧结活性高的超高温陶瓷粉体，从而烧结得到了致密度高的超高温陶瓷。
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公开(公告)号：CN111393165B
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN202010234167.X
申请日：2020-03-27
Applicant: 有研资源环境技术研究院(北京)有限公司
IPC: C04B35/50 , C04B35/622 , C23C14/08 , C23C14/24 , C23C14/30
Abstract: 本发明公开了一种镀膜用氧化铈颗粒的制备方法，包括以下步骤：(1)以高纯氧化铈粉体为原料，向其中添加去离子水并进行造粒处理，得到结合紧密的氧化铈片状物；(2)将得到的片状物研磨破碎，并筛分出＜0.1mm的预处理粉体；(3)将所得预处理粉体装入胶套中进行冷等静压成型为坯体。(4)将所得坯体按照如下烧结工艺进行烧结：2‑3小时升温到300‑400℃保温1h‑2h，2小时升到600℃‑800℃保温1h‑2h，4小时升温到1000℃‑1200℃保温1h‑2h，4小时升温到1300℃保温1h‑2h，2小时升温至1400℃保温1‑2h，1小时升温到1450‑1550℃保温3h‑5h；(5)冷却得到氧化铈烧结坯料，将坯料进行破碎和筛分得到镀膜用氧化铈颗粒。该方法生产的氧化铈颗粒具有高纯度、高密度、低喷溅等优点。
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