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公开(公告)号：CN1847270B
公开(公告)日：2012-05-09
申请号：CN200510104100.X
申请日：1999-10-05
Applicant: 普罗米鲁斯有限责任公司 , 宾西法尼亚州研究基金会
Inventor： J-H·里皮安 , L·F·罗迪斯 , B·L·古德戴尔 , A·拜尔 , R·A·米姆纳 , J·C·方德兰 , A·D·汉尼斯 , C·N·艾里亚 , J·D·波雷 , A·森 , J·赛库玛
CPC classification number: C08F32/08 , C08F32/00 , Y02P20/582
Abstract: 本发明涉及一种包括下式催化剂前体的组合物：[R′M(L′)xA′]，其中R′表示含阴离子配体；M选自钯、铂和镍；L′表示15族中性给电子配体，选自胺、吡啶、胂、和含有机磷化合物；A′表示带离子基团，选自卤素、硝酸根、三氟甲磺酸根、双三氟甲磺酰亚胺、三氟乙酸根、甲苯磺酸根、AlBr4-、AlF4-、AlCl4-、AlF3O3SCF3-、AsCl6-、SbCl6-、SbF6-、PF6-、BF4-、ClO4-、HSO4-、羧酸根、乙酸根、乙酰丙酮根、碳酸根、铝酸根、硼酸根：和x是1或2。
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公开(公告)号：CN1847270A
公开(公告)日：2006-10-18
申请号：CN200510104100.X
申请日：1999-10-05
Applicant: 普罗米鲁斯有限责任公司 , 宾西法尼亚州研究基金会
Inventor： J-H·里皮安 , L·F·罗迪斯 , B·L·古德戴尔 , A·拜尔 , R·A·米姆纳 , J·C·方德兰 , A·D·汉尼斯 , C·N·艾里亚 , J·D·波雷 , A·森 , J·赛库玛
CPC classification number: C08F32/08 , C08F32/00 , Y02P20/582
Abstract: 本发明涉及一种包括下式催化剂前体的组合物：[R′M(L′)xA′]其中R′表示含阴离子配体；M选自钯、铂和镍；L′表示15族中性给电子配体，选自胺、吡啶、胂、和含有机磷化合物；A′表示带离子基团，选自卤素、硝酸根、三氟甲磺酸根、双三氟甲磺酰亚胺、三氟乙酸根、甲苯磺酸根、AlBr4－、AlF4－、AlCl4－、AlF3O3SCF3－、AsCl6－、SbCl6－、SbF6－、PF6－、BF4－、ClO4－、HSO4－、羧酸根、乙酸根、乙酰丙酮根、碳酸根、铝酸根、硼酸根；和x是1或2。
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公开(公告)号：CN1249105C
公开(公告)日：2006-04-05
申请号：CN99802712.X
申请日：1999-10-05
Applicant: 普罗米鲁斯有限责任公司 , 宾西法尼亚州研究基金会
Inventor： J-H·里皮安 , L·F·罗迪斯 , B·L·古德戴尔 , A·拜尔 , R·A·米姆纳 , J·C·方德兰 , A·D·汉尼斯 , C·N·艾里亚 , J·D·波雷 , A·森 , J·赛库玛
CPC classification number: C08F32/08 , C08F32/00 , Y02P20/582
Abstract: 本发明涉及使用10族金属配阳离子和下式的弱配位阴离子将环烯烃加聚的方法：式中[(R′)zM(L′)x(L″)y]是配阳离子，其中的M代表10族过渡金属；R′代表含阴离子烃基的配体；L′代表15族中性给电子配体；L″代表不稳定的给电子配体；x是1或2，y是0、1、2或3，z是0或1，且x、y和z的总和为4；[WCA]代表弱配位的反配阴离子；且b和d代表配阳离子与弱配位反配阴离子在整体催化剂配合物的电荷配平时的倍数。[(R′)zM(L′)x(L″)y]b[WCA]d。
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公开(公告)号：CN108886096B
公开(公告)日：2022-10-28
申请号：CN201780018991.8
申请日：2017-03-22
Applicant: 普罗米鲁斯有限责任公司 , 默克专利股份有限公司
IPC: H01L51/30
Abstract: 本发明涉及有机电子器件，和更具体地涉及有机场效应晶体管，其包含含有多环烯烃聚合物和双吖丙啶化合物的介电层。
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公开(公告)号：CN104105726B
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201380008858.6
申请日：2013-01-29
Applicant: 默克专利股份有限公司 , 普罗米鲁斯有限责任公司
IPC: C08F232/08 , H01L51/05
CPC classification number: H01L51/107 , C08F232/08 , C08G2261/418 , H01L51/0001 , H01L51/0012 , H01L51/0034 , H01L51/0035 , H01L51/0094 , H01L51/0096 , H01L51/0508 , H01L51/0541 , H01L51/0545 , Y02E10/549 , Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及包含聚环烯烃平坦化层的有机电子器件，更具体地涉及位于基板与功能层，例如半导体层、介电层或电极，之间的平坦化层，进一步涉及此类平坦化层在有机电子器件中的用途，和涉及此类聚环烯烃平坦化层和有机电子器件的生产方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103261250B
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201180042505.9
申请日：2011-08-26
Applicant: 默克专利股份有限公司 , 普罗米鲁斯有限责任公司
Inventor： D·C·穆勒 , T·库尔 , P·米斯基韦茨 , M·卡拉斯克-奥罗兹可 , A·贝尔 , E·埃尔斯 , L·F·罗迪斯 , 藤田一羲 , H·恩格 , P·坎达纳拉什切 , S·史密斯
IPC: C08F232/00 , H01L51/05
CPC classification number: H01L51/052 , C08F32/04 , C08F232/00 , C08L45/00 , H01L51/0035 , H01L51/004 , H01L51/0043 , H01L51/0537 , H01L51/0541 , H01L51/0545 , H01L51/107
Abstract: 根据本发明的实施方案提供了聚环烯烃在电子器件中的用途且更特别涉及这种聚环烯烃作为栅绝缘层在电子器件制造中的用途、包括这种聚环烯烃栅绝缘体的电子器件，以及用于制备这种聚环烯烃栅绝缘层和电子器件的方法。
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公开(公告)号：CN103097420B
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：CN201180042209.9
申请日：2011-08-26
Applicant: 默克专利股份有限公司 , 普罗米鲁斯有限责任公司
Inventor： D·C·穆勒 , P·米斯基韦茨 , T·库尔 , P·维尔兹乔维克 , A·贝尔 , E·埃尔斯 , L·F·罗迪斯 , 藤田一義 , H·恩格 , P·坎达纳拉什希 , S·史密斯
IPC: C08F232/00 , H01L51/00
CPC classification number: H01L51/0043 , C08F232/00 , C08L65/00 , C08L2203/20 , H01L51/0035 , H01L51/0529 , H01L51/0541 , H01L51/0545 , Y10T428/31938
Abstract: 本发明涉及聚环烯烃在电子器件中的用途且特别涉及这种聚环烯烃作为施用于用于电子器件中的绝缘层的夹层的用途，包含这种聚环烯烃夹层的电子器件以及用于制备这种聚环烯烃夹层和电子器件的方法。
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公开(公告)号：CN105440540A
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201510809675.5
申请日：2011-08-26
Applicant: 默克专利股份有限公司 , 普罗米鲁斯有限责任公司
Inventor： D·C·穆勒 , P·米斯基韦茨 , T·库尔 , P·维尔兹乔维克 , A·贝尔 , E·埃尔斯 , L·F·罗迪斯 , 藤田一義 , H·恩格 , P·坎达纳拉什希 , S·史密斯
IPC: C08L45/00 , C08K5/544 , C08K5/3415
CPC classification number: H01L51/0043 , C08F232/00 , C08L65/00 , C08L2203/20 , H01L51/0035 , H01L51/0529 , H01L51/0541 , H01L51/0545 , Y10T428/31938 , C08L45/00 , C08K5/3415 , C08K5/544 , C08L33/12
Abstract: 本发明涉及聚环烯烃在电子器件中的用途且特别涉及这种聚环烯烃作为施用于电子器件中的绝缘层的夹层的用途，包含这种聚环烯烃夹层的电子器件以及用于制备这种聚环烯烃夹层和电子器件的方法。
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公开(公告)号：CN105038069A
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：CN201510255696.7
申请日：2011-08-26
Applicant: 默克专利股份有限公司 , 普罗米鲁斯有限责任公司
Inventor： D·C·穆勒 , T·库尔 , P·米斯基韦茨 , M·卡拉斯克-奥罗兹可 , A·贝尔 , E·埃尔斯 , L·F·罗迪斯 , 藤田一義 , H·恩格 , P·坎达纳拉什切 , S·史密斯
IPC: C08L45/00 , C08K5/3415 , H01L51/05 , H01L51/30
CPC classification number: H01L51/052 , C08F32/04 , C08F232/00 , C08L45/00 , H01L51/0035 , H01L51/004 , H01L51/0043 , H01L51/0537 , H01L51/0541 , H01L51/0545 , H01L51/107
Abstract: 根据本发明的实施方案提供了聚环烯烃在电子器件中的用途且更特别涉及这种聚环烯烃作为栅绝缘层在电子器件制造中的用途、包括这种聚环烯烃栅绝缘体的电子器件，以及用于制备这种聚环烯烃栅绝缘层和电子器件的方法。
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公开(公告)号：CN103097420A
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：CN201180042209.9
申请日：2011-08-26
Applicant: 默克专利股份有限公司 , 普罗米鲁斯有限责任公司
Inventor： D·C·穆勒 , P·米斯基韦茨 , T·库尔 , P·维尔兹乔维克 , A·贝尔 , E·埃尔斯 , L·F·罗迪斯 , 藤田一義 , H·恩格 , P·坎达纳拉什希 , S·史密斯
IPC: C08F232/00 , H01L51/00
CPC classification number: H01L51/0043 , C08F232/00 , C08L65/00 , C08L2203/20 , H01L51/0035 , H01L51/0529 , H01L51/0541 , H01L51/0545 , Y10T428/31938
Abstract: 本发明涉及聚环烯烃在电子器件中的用途且特别涉及这种聚环烯烃作为施用于用于电子器件中的绝缘层的夹层的用途，包含这种聚环烯烃夹层的电子器件以及用于制备这种聚环烯烃夹层和电子器件的方法。
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