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公开(公告)号：CN103796425B
公开(公告)日：2017-11-21
申请号：CN201310495062.X
申请日：2009-10-19
Applicant: NCC纳诺责任有限公司
Inventor： K·A·施罗德
IPC: H05K1/09
CPC classification number: H05K3/105 , C23C18/1601 , C23C18/1658 , C23C18/1667 , C23C18/31 , H05K1/0393 , H05K2203/087 , H05K2203/1157 , H05K2203/125 , H05K2203/1545
Abstract: 公开了一种用于使低温基底上的薄膜在反应气氛内反应的方法。所述薄膜包含可还原的金属氧化物，并且所述反应气氛包含诸如氢或甲烷的还原气体。所述低温基底可以为聚合物、塑料或纸。使用来自高强度频闪系统的多个光脉冲将所述金属氧化物还原成金属并且如果适用则烧结所述金属。
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公开(公告)号：CN104992901B
公开(公告)日：2017-03-15
申请号：CN201510261174.8
申请日：2011-06-02
Applicant: NCC纳诺责任有限公司
IPC: H01L21/268 , H01L21/336
CPC classification number: H01L21/428 , B29C35/0266 , B29C35/0272 , B29C35/0805 , B29C2035/0855 , B29C2035/0877 , H01L21/02422 , H01L21/02439 , H01L21/02532 , H01L21/02667 , H01L21/02686 , H01L21/02689 , H01L27/1281 , H01L27/1285 , H01L29/66742 , H01L29/66757 , H01L29/78603
Abstract: 本发明涉及用于提供在低温衬底上的薄膜的横向热处理方法。公开了一种用于以选择性方式热处理最小化吸收薄膜的方法。构图热接触薄膜的两个紧邻的吸收痕。使用脉冲辐射源加热两个吸收痕，并且通过在两个吸收痕之间的传导热处理薄膜。此方法可用于制造薄膜晶体管(TFT)，在其中薄膜是半导体并且吸收器是TFT的源极和漏极。
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公开(公告)号：CN102216859B
公开(公告)日：2014-07-23
申请号：CN200980134624.X
申请日：2009-04-01
Applicant: NCC纳诺责任有限公司
IPC: G03G19/00
CPC classification number: H05K3/1283 , B05D3/06 , F26B3/343 , H05B41/34 , H05B41/38 , H05K1/095 , H05K1/097 , H05K2203/1545
Abstract: 公开了一种用于高速热加工在低温衬底上的薄膜的固化装置。所述固化装置包括频闪头、频闪控制模块和传送器控制模块。所述频闪控制模块控制由在所述频闪头上的闪光灯产生的脉冲组的功率、持续时间和重复速率。根据速度信息，所述传送器控制模块与所述频闪控制模块一起提供在所述脉冲组的所述重复速率与所述衬底在所述频闪头下方移动的速度之间的实时同步。
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公开(公告)号：CN103038389A
公开(公告)日：2013-04-10
申请号：CN201180037944.0
申请日：2011-06-02
Applicant: NCC纳诺责任有限公司
CPC classification number: H01L21/428 , B29C35/0266 , B29C35/0272 , B29C35/0805 , B29C2035/0855 , B29C2035/0877 , H01L21/02422 , H01L21/02439 , H01L21/02532 , H01L21/02667 , H01L21/02686 , H01L21/02689 , H01L27/1281 , H01L27/1285 , H01L29/66742 , H01L29/66757 , H01L29/78603
Abstract: 公开了一种用于以选择性方式热处理最小化吸收薄膜的方法。构图热接触薄膜的两个紧邻的吸收痕。使用脉冲辐射源加热两个吸收痕，并且通过在两个吸收痕之间的传导热处理薄膜。此方法可用于制造薄膜晶体管（TFT），在其中薄膜是半导体并且吸收器是TFT的源极和漏极。
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公开(公告)号：CN102245804A
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：CN200980150327.4
申请日：2009-03-25
Applicant: NCC纳诺责任有限公司
IPC: C23C18/00
CPC classification number: H05K3/105 , C23C18/1601 , C23C18/1658 , C23C18/1667 , C23C18/31 , H05K1/0393 , H05K2203/087 , H05K2203/1157 , H05K2203/125 , H05K2203/1545
Abstract: 本发明公开了在基底上制造导电薄膜的方法。先将可还原的金属化合物和还原剂分散在液体中。然后将该分散体以薄膜形式沉积在基底上。然后使所述薄膜与所述基底一起暴露于脉冲电磁发射，以使所述可还原的金属化合物与所述还原剂化学反应，从而使所述薄膜变导电。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102947013B
公开(公告)日：2018-02-13
申请号：CN201180015046.5
申请日：2011-04-08
Applicant: NCC纳诺责任有限公司
IPC: B05D3/06
CPC classification number: B29C35/10 , B29C35/0805 , H01B7/423 , H01L21/67115 , H05B41/34 , H05K1/095 , H05K3/1283 , H05K2203/1545
Abstract: 公开了一种用于使用来自闪光灯的脉冲光热处理低温基板上的材料的方法和装置。将材料传送通过闪光灯。由脉宽调制来形成光脉冲，以设计脉冲的形状从而在基板上生成热梯度，使材料能够被加热到超出基板的最大加工温度而不会损坏。其整形的脉冲速率与传送系统的传送速度同步。通过使用来自反馈传感器的信息，重新计算热梯度以实时地改变脉冲形状，用于实时地优化随后的固化而不对固化装置断电。组合的脉冲整形和同步允许设计在传送方向上均匀固化的样品的温度分布。
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公开(公告)号：CN104020657B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201410242013.X
申请日：2009-04-01
Applicant: NCC纳诺责任有限公司
IPC: G03G19/00
CPC classification number: H05K3/1283 , B05D3/06 , F26B3/343 , H05B41/34 , H05B41/38 , H05K1/095 , H05K1/097 , H05K2203/1545
Abstract: 本发明涉及用于高速固化在低温衬底上的薄膜的方法和装置。公开了一种用于高速热加工在低温衬底上的薄膜的固化装置。所述固化装置包括频闪头、频闪控制模块和传送器控制模块。所述频闪控制模块控制由在所述频闪头上的闪光灯产生的脉冲组的功率、持续时间和重复速率。根据速度信息，所述传送器控制模块与所述频闪控制模块一起提供在所述脉冲组的所述重复速率与所述衬底在所述频闪头下方移动的速度之间的实时同步。
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公开(公告)号：CN104894538A
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：CN201510329127.2
申请日：2009-03-25
Applicant: NCC纳诺责任有限公司
IPC: C23C18/31
Abstract: 本发明公开了还原低温基底上的薄膜的方法，具体地涉及在基底上制造导电薄膜的方法，所述方法包括：将还原剂和金属氧化物沉积在薄膜上；和使所述薄膜在环境气氛中暴露于单脉冲电磁发射，以使所述还原剂首先与所述金属氧化物通过氧化还原反应进行化学反应形成金属粒子，随后烧结所述金属粒子，从而使所述薄膜导电。
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公开(公告)号：CN103038389B
公开(公告)日：2015-06-17
申请号：CN201180037944.0
申请日：2011-06-02
Applicant: NCC纳诺责任有限公司
CPC classification number: H01L21/428 , B29C35/0266 , B29C35/0272 , B29C35/0805 , B29C2035/0855 , B29C2035/0877 , H01L21/02422 , H01L21/02439 , H01L21/02532 , H01L21/02667 , H01L21/02686 , H01L21/02689 , H01L27/1281 , H01L27/1285 , H01L29/66742 , H01L29/66757 , H01L29/78603
Abstract: 公开了一种用于以选择性方式热处理最小化吸收薄膜的方法。构图热接触薄膜的两个紧邻的吸收痕。使用脉冲辐射源加热两个吸收痕，并且通过在两个吸收痕之间的传导热处理薄膜。此方法可用于制造薄膜晶体管（TFT），在其中薄膜是半导体并且吸收器是TFT的源极和漏极。
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公开(公告)号：CN103796425A
公开(公告)日：2014-05-14
申请号：CN201310495062.X
申请日：2009-10-19
Applicant: NCC纳诺责任有限公司
Inventor： K·A·施罗德
IPC: H05K1/09
CPC classification number: H05K3/105 , C23C18/1601 , C23C18/1658 , C23C18/1667 , C23C18/31 , H05K1/0393 , H05K2203/087 , H05K2203/1157 , H05K2203/125 , H05K2203/1545
Abstract: 公开了一种用于使低温基底上的薄膜在反应气氛内反应的方法。所述薄膜包含可还原的金属氧化物，并且所述反应气氛包含诸如氢或甲烷的还原气体。所述低温基底可以为聚合物、塑料或纸。使用来自高强度频闪系统的多个光脉冲将所述金属氧化物还原成金属并且如果适用则烧结所述金属。
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