-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107584709B
公开(公告)日：2020-04-03
申请号：CN201710717275.0
申请日：2012-03-28
Applicant: NCC纳诺责任有限公司
Abstract: 本发明涉及以能量有效方式干燥薄膜的方法。公开了一种以选择性方式最小吸收薄膜的热处理方法。两个邻近设置的吸收痕迹与薄膜热接触地被构图。脉冲的辐射源被用来加热两个吸收痕迹，薄膜通过两个吸收痕迹间的传导而被热处理。该方法可被用来制造薄膜晶体管(TFT)，其中薄膜是半导体而吸收体是TFT的源极和漏极。
-
公开(公告)号：CN107584709A
公开(公告)日：2018-01-16
申请号：CN201710717275.0
申请日：2012-03-28
Applicant: NCC纳诺责任有限公司
Abstract: 本发明涉及以能量有效方式干燥薄膜的方法。公开了一种以选择性方式最小吸收薄膜的热处理方法。两个邻近设置的吸收痕迹与薄膜热接触地被构图。脉冲的辐射源被用来加热两个吸收痕迹，薄膜通过两个吸收痕迹间的传导而被热处理。该方法可被用来制造薄膜晶体管(TFT)，其中薄膜是半导体而吸收体是TFT的源极和漏极。
-
公开(公告)号：CN102245804A
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：CN200980150327.4
申请日：2009-03-25
Applicant: NCC纳诺责任有限公司
IPC: C23C18/00
CPC classification number: H05K3/105 , C23C18/1601 , C23C18/1658 , C23C18/1667 , C23C18/31 , H05K1/0393 , H05K2203/087 , H05K2203/1157 , H05K2203/125 , H05K2203/1545
Abstract: 本发明公开了在基底上制造导电薄膜的方法。先将可还原的金属化合物和还原剂分散在液体中。然后将该分散体以薄膜形式沉积在基底上。然后使所述薄膜与所述基底一起暴露于脉冲电磁发射，以使所述可还原的金属化合物与所述还原剂化学反应，从而使所述薄膜变导电。
-
公开(公告)号：CN104894538A
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：CN201510329127.2
申请日：2009-03-25
Applicant: NCC纳诺责任有限公司
IPC: C23C18/31
Abstract: 本发明公开了还原低温基底上的薄膜的方法，具体地涉及在基底上制造导电薄膜的方法，所述方法包括：将还原剂和金属氧化物沉积在薄膜上；和使所述薄膜在环境气氛中暴露于单脉冲电磁发射，以使所述还原剂首先与所述金属氧化物通过氧化还原反应进行化学反应形成金属粒子，随后烧结所述金属粒子，从而使所述薄膜导电。
-
公开(公告)号：CN103688427A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201280023304.9
申请日：2012-03-28
Applicant: NCC纳诺责任有限公司
IPC: H01S3/30
CPC classification number: H05B3/009 , B29C35/0805 , B29C35/10 , B29C71/02 , B29C2071/022 , F26B3/28 , F26B13/10 , H05B1/0294 , H05B41/34 , H05K1/0386 , H05K3/125 , H05K3/1283 , H05K2203/1545
Abstract: 公开了一种以选择性方式最小吸收薄膜的热处理方法。两个邻近设置的吸收痕迹与薄膜热接触地被构图。脉冲的辐射源被用来加热两个吸收痕迹，薄膜通过两个吸收痕迹间的传导而被热处理。该方法可被用来制造薄膜晶体管（TFT），其中薄膜是半导体而吸收体是TFT的源极和漏极。
-
-
-
-
Search Results
5
records
(took 0.014 seconds)
