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公开(公告)号：CN101438345A
公开(公告)日：2009-05-20
申请号：CN200780016454.6
申请日：2007-05-07
Applicant: 国立大学法人东北大学 , 株式会社东芝 , 昭和电工株式会社
CPC classification number: G11B5/667 , G11B5/7325
Abstract: 本发明提供通过兼备垂直磁记录层的粒径微细化和垂直取向性而可进行高密度信息记录再生的磁记录介质、其制造方法以及磁记录再生装置。所述磁记录介质是在非磁性基板上至少具有衬里层、基底膜、中间层和垂直磁记录膜的垂直磁记录介质，其中，所述中间层的至少一层，由具有fcc结构的元素与具有bcc结构或hcp结构的元素的合金材料构成，并且，为兼具(111)取向的结晶结构和由fcc结构与bcc结构或hcp结构的混合所引起的层状无规则晶格(层叠缺陷)的结构。另外，中间层的至少一层，由以选自Pt、Ir、Pd、Au、Ni和Co之中的至少一种为主成分的具有fcc结构的合金和具有bcc结构或hcp结构的元素的合金材料构成。
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公开(公告)号：CN113196392B
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN201980083935.1
申请日：2019-12-23
Applicant: 田中贵金属工业株式会社 , 国立大学法人东北大学
Abstract: 本发明提供具备特性(使垂直磁记录介质的热稳定性提高并且使开关磁场减弱的特性)比现有的帽层更优良的帽层从而实现了热稳定性的提高和开关磁场的减弱的垂直磁记录介质。垂直磁记录层(24)具有包含CoPt合金磁性晶粒(24A)和非磁性晶界氧化物(24B)的颗粒结构，帽层(26)具有包含CoPt合金磁性晶粒(26A)和磁性晶界氧化物(26B)的颗粒结构，帽层(26)的CoPt合金磁性晶粒(26A)含有65原子％以上且90原子％以下的Co、10原子％以上且35原子％以下的Pt，磁性晶界氧化物(26B)相对于帽层(26)整体的体积分数为5体积％以上且40体积％以下。
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公开(公告)号：CN113838623A
公开(公告)日：2021-12-24
申请号：CN202110699002.4
申请日：2021-06-23
Applicant: 新东工业株式会社 , 国立大学法人东北大学
Abstract: 本发明是一种软磁性合金粉末，其中，以铁为主要成分且具有软磁性的合金粉末被具有绝缘性的绝缘被膜被覆。该绝缘被膜包括：与构成软磁性合金粉末的合金粉末的表面相接的第一被膜，与第一被膜相接的第二被膜。其中，第二被膜的厚度相对于第一被膜的厚度的比值为0.02～300。
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公开(公告)号：CN108291294B
公开(公告)日：2020-03-17
申请号：CN201680069144.X
申请日：2016-11-15
Applicant: 田中贵金属工业株式会社 , 国立大学法人东北大学
Abstract: 本发明提供能够制作矫顽力Hc大的磁性薄膜的溅射靶。该溅射靶含有金属Co、金属Pt和氧化物而成，其是除了不可避免的杂质以外不含金属Cr的溅射靶，上述氧化物的熔点为600℃以下、并且该氧化物的每1mol O2的标准生成吉布斯自由能ΔGf为‑1000kJ/mol O2以上且‑500kJ/mol O2以下。
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公开(公告)号：CN114600190A
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN202080074953.6
申请日：2020-10-27
Applicant: 田中贵金属工业株式会社 , 国立大学法人东北大学
Abstract: 本发明提供用于成膜出使构成单轴磁各向异性提高、热稳定性和SNR(信噪比)提高的热辅助磁记录介质的FePt磁性粒子被氧化物孤立的粒状结构磁性薄膜的溅射靶。一种热辅助磁记录介质用溅射靶，其是以FePt合金和非磁性材料为主要成分的热辅助磁记录介质用溅射靶，其特征在于，该非磁性材料是熔点为800℃以上且1100℃以下的氧化物。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112106134B
公开(公告)日：2022-05-03
申请号：CN201980030501.5
申请日：2019-07-25
Applicant: 田中贵金属工业株式会社 , 国立大学法人东北大学
Abstract: 为了进一步高容量化，提供能够制作提高单轴磁各向异性、降低晶粒间交换耦合、提高热稳定性和SNR(信噪比)的磁性薄膜的磁记录介质用溅射靶。一种磁记录介质用溅射靶，其包含由选自Cu和Ni中的至少一种以上、Pt、作为余量的Co和不可避免的杂质构成的金属相以及至少含有B2O3的氧化物相。
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公开(公告)号：CN113196392A
公开(公告)日：2021-07-30
申请号：CN201980083935.1
申请日：2019-12-23
Applicant: 田中贵金属工业株式会社 , 国立大学法人东北大学
Abstract: 本发明提供具备特性(使垂直磁记录介质的热稳定性提高并且使开关磁场减弱的特性)比现有的帽层更优良的帽层从而实现了热稳定性的提高和开关磁场的减弱的垂直磁记录介质。垂直磁记录层(24)具有包含CoPt合金磁性晶粒(24A)和非磁性晶界氧化物(24B)的颗粒结构，帽层(26)具有包含CoPt合金磁性晶粒(26A)和磁性晶界氧化物(26B)的颗粒结构，帽层(26)的CoPt合金磁性晶粒(26A)含有65原子％以上且90原子％以下的Co、10原子％以上且35原子％以下的Pt，磁性晶界氧化物(26B)相对于帽层(26)整体的体积分数为5体积％以上且40体积％以下。
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公开(公告)号：CN114600190B
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202080074953.6
申请日：2020-10-27
Applicant: 田中贵金属工业株式会社 , 国立大学法人东北大学
Abstract: 本发明提供用于成膜出使构成单轴磁各向异性提高、热稳定性和SNR(信噪比)提高的热辅助磁记录介质的FePt磁性粒子被氧化物孤立的粒状结构磁性薄膜的溅射靶。一种热辅助磁记录介质用溅射靶，其是以FePt合金和非磁性材料为主要成分的热辅助磁记录介质用溅射靶，其特征在于，该非磁性材料是熔点为800℃以上且1100℃以下的氧化物。
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公开(公告)号：CN112106134A
公开(公告)日：2020-12-18
申请号：CN201980030501.5
申请日：2019-07-25
Applicant: 田中贵金属工业株式会社 , 国立大学法人东北大学
Abstract: 为了进一步高容量化，提供能够制作提高单轴磁各向异性、降低晶粒间交换耦合、提高热稳定性和SNR(信噪比)的磁性薄膜的磁记录介质用溅射靶。一种磁记录介质用溅射靶，其包含由选自Cu和Ni中的至少一种以上、Pt、作为余量的Co和不可避免的杂质构成的金属相以及至少含有B2O3的氧化物相。
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公开(公告)号：CN106232862B
公开(公告)日：2019-11-26
申请号：CN201580021850.2
申请日：2015-04-14
Applicant: 田中贵金属工业株式会社 , 国立大学法人东北大学
Abstract: 本发明提供能够制作矫顽力Hc大的磁性薄膜的溅射靶及其制造方法。一种溅射靶，其含有金属Co、金属Pt和氧化物而成，其中，不含有金属Cr，并且，上述氧化物具有WO3和TiO2中的至少任意一者而成。
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