公开(公告)号：CN1298492C

公开(公告)日：2007-02-07

申请号：CN03801406.8

申请日：2003-01-30

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 庄司孝志 ,  西冈绫子 ,  黑住忠利 ,  涩谷义纪 ,  网田仁

IPC: B23K35/26 ,  B23K35/363 ,  B23K101/36

CPC classification number: B23K35/26 ,  B23K35/02 ,  H05K3/3484

Abstract: 本发明涉及主要由8.8—5.0质量%的Zn、0.05—0质量%的Bi和余量的Sn以及不可避免的杂质组成的焊料金属。

公开(公告)号：CN1902291A

公开(公告)日：2007-01-24

申请号：CN200480040377.4

申请日：2004-11-15

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 伊藤祐司 ,  西冈绫子 ,  鱼谷信夫

IPC: C09G1/02 ,  H01L21/321

CPC classification number: C09G1/02 ,  C09K3/1463 ,  H01L21/32115 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/7684

Abstract: 作为允许高速抛光并且同时防止盘形凹陷和侵蚀并维持金属膜的平直度的抛光组合物，本发明提供一种抛光组合物，它用于抛光在具有沟槽的基材上提供的金属膜以使金属膜填充所述沟槽，从而提供平面化表面，其中所述组合物包含水、在分子中具有C≥6碳原子烷基的磷酸酯和用于金属的蚀刻剂，并且具有5－11的pH。

公开(公告)号：CN1708565A

公开(公告)日：2005-12-14

申请号：CN200380102127.4

申请日：2003-10-31

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 佐藤孝志 ,  西冈绫子 ,  鱼谷信夫

IPC: C09G1/02 ,  H01L21/321 ,  H01L21/768

Abstract: 使用一种金属抛光组合物抛光金属层，所述金属抛光组合物包含在金属层表面聚合、在金属层表面形成聚合物膜的成膜化合物。金属层的抛光方法包括使用金属抛光组合物的金属层的抛光和平面化的步骤。晶片的生产方法，其中包括形成于含有凹槽的晶片顶部以填充和覆盖凹槽的金属层的抛光和平面化的步骤。根据该组合物和抛光方法，避免了凹陷以改善平面性，并且抛光金属层、特别是铜层的抛光速率得到了改善，从而使低压下的膏抛光速率成为可能，由于也防止了金属层的划伤，产能得到了提高。

公开(公告)号：CN1665902A

公开(公告)日：2005-09-07

申请号：CN03816146.X

申请日：2003-06-06

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 佐藤孝志 ,  西冈绫子 ,  伊藤大悟

IPC: C09K3/14 ,  H01L21/304

CPC classification number: C09G1/02 ,  C09K3/1463 ,  C23F3/00 ,  H01L21/3212

Abstract: 一种含有由通式(1)所表示的胺的金属抛光组合物，其中m代表从1到3的整数，n代表从0到2的整数，m和n使得(3－n－m)是0到2的整数；A代表碳原子数为1到5的取代亚苯基、亚苯基或直链或支化亚烷基；R1和R3各自独立地代表氢或碳原子数为1到5的取代或未取代的烃基；R3代表碳原子数为1到20的取代或未取代的烃基；R1和R3的组合、R2和R3的组合以及A和R3的组合可以形成环状结构；R1、R2、R3和A可各自形成环状结构。