存储器控制器及其控制方法、非易失性存储装置及系统

    公开(公告)号:CN100590608C

    公开(公告)日:2010-02-17

    申请号:CN200680017750.3

    申请日:2006-05-18

    CPC classification number: G06F12/0246 G06F2212/7201

    Abstract: 本发明提供一种存储器控制器,其能够避免在正常动作时由于地址管理表的写回处理所引起的存取速度下降,并且能够缩短在存储器卡初始化时地址管理表的生成时间。存储器控制器(114)具有,暂时存储地址管理表(112)的读写存储器(113);存储器控制部(122),在数据的写入目标的物理块从某地址范围切换到其它地址范围时,其向非易失性存储器(115)写入读写存储器中暂时存储的地址管理表和用于将切换后的地址范围特定下来的地址范围确定信息;以及地址管理表生成部(107),在初始化时基于地址范围确定信息,读取在特定的地址范围内中包含的、用于管理物理块的状态的分布管理信息,并基于读取的分布管理信息生成地址管理表(112)。

    等离子体显示面板驱动装置及等离子体显示器

    公开(公告)号:CN101568951A

    公开(公告)日:2009-10-28

    申请号:CN200880001272.6

    申请日:2008-06-19

    CPC classification number: G09G3/294 G09G3/2965

    Abstract: 本发明公开了一种等离子体显示面板驱动装置及等离子体显示器。该装置包括生成施加在等离子体显示面板的电极上的驱动脉冲的电极驱动部。电极驱动部具有多个开关,多个开关中的至少一个开关是使用了双栅极半导体元件(10)的开关元件。双栅极半导体元件(10)具有形成在衬底(11)上且由氮化物半导体或碳化硅构成的半导体形成的半导体层叠层体(13)、在半导体层叠层体(13)上相互保持间隔形成的源电极(16)与漏电极(17)、在源电极(16)与漏电极(17)之间从源电极(16)一侧开始依次形成的第一栅电极(18A)与第二栅电极(18B)。

    半导体存储装置
    13.
    发明授权

    公开(公告)号:CN100422962C

    公开(公告)日:2008-10-01

    申请号:CN200580006079.8

    申请日:2005-02-25

    CPC classification number: G06F11/1441 G06F11/1435

    Abstract: 把存储与簇或物理块等的预定的存储单位对应的写入结束标志的写入结束标志表(105)保存到非易失性的控制存储器(106)内。然后,检测向预定的存储单位进行的数据写入的结束,把写入结束标志写入到写入结束标志表(105)上的对应的存储单位的地址内。这样就可以确认已正常地写入了数据。即便是不能向作为主存储器的写入单位的页内写入表示写入结束的标志的情况下,也可以提高写入的可靠性。

    直流—直流变换器
    20.
    发明授权

    公开(公告)号:CN100334798C

    公开(公告)日:2007-08-29

    申请号:CN03138604.0

    申请日:2003-05-28

    Abstract: 一种直流-直流变换器,具有使诸如待机时那样的轻负载状态减少耗电的专用工作模式即待机工作模式的直流-直流变换器中,设置输出比输出目标电压(E0)高出规定电压的输出上限电压(E1)与输出直流电压(Vo)的比较结果的输出功率快降检测电路,并且在输出直流电压(Vo)高于输出上限电压(E1)时,不为待机工作模式,使输出直流电压(Vo)高效到达输出目标电压(E0)的响应速度大幅度提高。

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