公开(公告)号：CN104303242B

公开(公告)日：2016-11-30

申请号：CN201380025632.7

申请日：2013-02-28

Applicant: 日本石原化学株式会社

Inventor： 川户祐一 ,  宫本一诚 ,  前田祐介 ,  工藤富雄

IPC: H01B13/00 ,  H05K3/12

Abstract: 在使用光烧结的导电膜形成方法中，容易地形成具有低电阻的导电膜。公开的是其中使用光烧结形成导电膜的导电膜形成方法，其包括以下步骤：在基板1上形成由铜颗粒分散体制成的液体膜2，将该液体膜2干燥以形成铜颗粒层3，对该铜颗粒层3施以光烧结以形成导电膜4，将烧结助剂5粘接到该导电膜4上，并对粘接有烧结助剂5的导电膜4进一步施以光烧结。所述烧结助剂5是从金属铜中除去氧化铜的化合物。由此，该烧结助剂5除去了导电膜4中铜颗粒21的表面氧化物膜。

公开(公告)号：CN105210155A

公开(公告)日：2015-12-30

申请号：CN201480025664.1

申请日：2014-01-31

Applicant: 日本石原化学株式会社

Inventor： 川户祐一 ,  有村英俊 ,  工藤富雄

IPC: H01B1/22 ,  B22F7/04 ,  B22F9/00 ,  C09D5/24 ,  C09D7/12 ,  H01B1/02 ,  H01B5/14 ,  H01B13/00 ,  H05K1/09 ,  H05K3/10

CPC classification number: H05K1/092 ,  B22F3/008 ,  B22F7/04 ,  C09D5/24 ,  C09D7/40 ,  C09D7/61 ,  H01B1/02 ,  H01B1/22 ,  H05K1/0386 ,  H05K1/097 ,  H05K3/10 ,  H05K3/105 ,  H05K3/1216 ,  H05K3/125 ,  H05K3/1283 ,  H05K2201/0302 ,  H05K2203/0508 ,  H05K2203/10 ,  H05K2203/108 ,  H05K2203/1131 ,  H05K2203/1476

Abstract: 本发明要解决的技术问题是提供一种铜微粒分散体，所述铜微粒分散体通过光烧结能够促进具有低电阻的导电膜的形成。本发明提供的解决方案是提供包含分散介质和分散于该分散介质中的铜微粒11的铜微粒分散体1。铜微粒分散体1含有烧结助剂。烧结助剂是在高于环境温度的温度下从铜除去铜氧化物的化合物。由此，烧结助剂能够在铜微粒11的光烧结期间从铜微粒11除去表面氧化物涂层。

公开(公告)号：CN104303242A

公开(公告)日：2015-01-21

申请号：CN201380025632.7

申请日：2013-02-28

Applicant: 日本石原化学株式会社

Inventor： 川户祐一 ,  宫本一诚 ,  前田祐介 ,  工藤富雄

IPC: H01B13/00 ,  H05K3/12

CPC classification number: H01B13/003 ,  C09D11/322 ,  C09D11/52 ,  C23C18/1216 ,  C23C18/1295 ,  C23C18/14 ,  H01B1/026 ,  H01B13/322 ,  H05K3/105 ,  H05K3/1283 ,  H05K2203/1131 ,  H05K2203/1157 ,  H05K2203/1476

Abstract: 在使用光烧结的导电膜形成方法中，容易地形成具有低电阻的导电膜。公开的是其中使用光烧结形成导电膜的导电膜形成方法，其包括以下步骤：在基板1上形成由铜颗粒分散体制成的液体膜2，将该液体膜2干燥以形成铜颗粒层3，对该铜颗粒层3施以光烧结以形成导电膜4，将烧结助剂5粘接到该导电膜4上，并对粘接有烧结助剂5的导电膜4进一步施以光烧结。所述烧结助剂5是从金属铜中除去氧化铜的化合物。由此，该烧结助剂5除去了导电膜4中铜颗粒21的表面氧化物膜。