-
公开(公告)号：CN100385666C
公开(公告)日：2008-04-30
申请号：CN200510055997.1
申请日：2005-03-24
Applicant: 恩益禧电子股份有限公司 , 日本电气株式会社
CPC classification number: H01L23/34 , G01K7/16 , H01L23/522 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 在半导体集成电路器件中，提供了由氧化钒制成的片状温度监控器元件，其一端与一个通路相连，而另一端与另一个通路相连。由铝制成的片状导热层位于温度监控器元件之下。在平面图中，等于或大于整个温度监控器元件的一半的区域覆盖了导热层。
-
公开(公告)号：CN1655356A
公开(公告)日：2005-08-17
申请号：CN200510007923.0
申请日：2005-02-05
Applicant: 恩益禧电子股份有限公司 , 日本电气株式会社
CPC classification number: H01C7/1013 , H01L27/16 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 在半导体集成电路器件的温度传感器部分中，形成多层布线结构的最上布线层的布线。在布线的两个之间以覆盖两个布线的方式提供氧化钒的片状温度监视元件。因此，温度监视元件通过最上布线层的两个过孔和两个布线连接在多层布线结构的下面的布线层的两个布线之间。
-
公开(公告)号：CN1645613A
公开(公告)日：2005-07-27
申请号：CN200510004377.5
申请日：2005-01-17
Applicant: 恩益禧电子股份有限公司 , 日本电气株式会社
CPC classification number: H01L23/34 , G01K7/015 , H01L23/522 , H01L27/0248 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 在半导体集成电路器件的温度传感器部分，由钨制成的第一通路形成在多层布线层的最顶层，而由钛制成的衬垫设置在覆盖该通路的多层布线层的区域上。绝缘层以覆盖多层布线层和衬垫的方式设置，第二通路设置成到达该衬垫。通过反应喷溅把氧化钒隐藏在第二通路中，而氧化钒温度监视部件以与第二通路彼此连接的方式设置。于是温度监视部件被连接在两条布线之间。
-
公开(公告)号：CN1222029A
公开(公告)日：1999-07-07
申请号：CN98122331.1
申请日：1998-11-11
Applicant: 日本电气株式会社
Inventor： 中柴康隆
IPC: H04N5/225
Abstract: 一种图像传感器,具有多个导电材料制成的遮光片,各遮光片上开有各自的孔口。在一个半导体上形成单元元件矩阵阵列。各单元元件有光敏区、浮动扩散区和传输门。光敏区供接收通过相应遮光片的孔口照射到图像的光以产生光产生的电子。传输门将光产生的电子从光敏区传感到浮动扩散区。此外还配备了一个放大晶体管,其控制端接浮动扩散区,供放大浮动扩散区中产生的电压其另一个控制端接相应的遮光片,给各遮光片加上随浮动扩散区的电位而变化的偏压。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101452931B
公开(公告)日：2010-11-10
申请号：CN200810189692.3
申请日：2005-01-17
IPC: H01L27/02 , H01L27/04 , H01L23/522
CPC classification number: H01L23/34 , G01K7/015 , H01L23/522 , H01L27/0248 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 在半导体集成电路器件的温度传感器部分，由钨制成的第一通路形成在多层布线层的最顶层，而由钛制成的衬垫设置在覆盖该通路的多层布线层的区域上。绝缘层以覆盖多层布线层和衬垫的方式设置，第二通路设置成到达该衬垫。通过反应喷溅把氧化钒隐藏在第二通路中，而氧化钒温度监视部件以与第二通路彼此连接的方式设置。于是温度监视部件被连接在两条布线之间。
-
公开(公告)号：CN101452931A
公开(公告)日：2009-06-10
申请号：CN200810189692.3
申请日：2005-01-17
Applicant: 恩益禧电子股份有限公司 , 日本电气株式会社
IPC: H01L27/02 , H01L27/04 , H01L23/522
CPC classification number: H01L23/34 , G01K7/015 , H01L23/522 , H01L27/0248 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 在半导体集成电路器件的温度传感器部分，由钨制成的第一通路形成在多层布线层的最顶层，而由钛制成的衬垫设置在覆盖该通路的多层布线层的区域上。绝缘层以覆盖多层布线层和衬垫的方式设置，第二通路设置成到达该衬垫。通过反应喷溅把氧化钒隐藏在第二通路中，而氧化钒温度监视部件以与第二通路彼此连接的方式设置，于是温度监视部件被连接在两条布线之间。
-
公开(公告)号：CN1677671A
公开(公告)日：2005-10-05
申请号：CN200510062739.6
申请日：2005-03-29
Applicant: 恩益禧电子股份有限公司 , 日本电气株式会社
CPC classification number: H01L23/34 , G01K7/01 , G01K7/42 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种半导体集成电路器件，其中在P型硅基片顶部表面和多级布线层处设置逻辑电路区。所述器件还设有温度传感器区，其中在多级布线层的上方设有由氧化钒构成的第一温度监视元件。在多级布线层的最底下层处设有由Ti构成的第二温度监视元件。第一和第二温度监视元件串联连接在地电位布线和电源电位布线之间，具有一个连接到所述二元件接点上输出端。第一温度监视元件的电阻率的温度系数是负的，而第二温度监视元件的是正的。
-
公开(公告)号：CN1255015A
公开(公告)日：2000-05-31
申请号：CN99122481.7
申请日：1999-09-10
Applicant: 日本电气株式会社
IPC: H04N5/335 , H01L27/146 , H01L27/092
CPC classification number: H01L27/14656 , H01L27/14654 , H04N5/35527
Abstract: 一种固态图像传感器件,具有:以矩阵形式排列的多个传感装置;连接到传感装置并累积在传感装置产生的电荷的电荷累积装置;调节电荷累积装置可累积的电荷量的可累积电荷调节装置;和控制可累积电荷调节装置的控制装置。控制装置控制可累积的电荷量,以便在一个成像周期内按时序和控制装置的给定可累积的电荷量内连续或不连续地改变。
-
公开(公告)号：CN1230789A
公开(公告)日：1999-10-06
申请号：CN99105889.5
申请日：1999-03-30
Applicant: 日本电气株式会社
Inventor： 中柴康隆
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14609
Abstract: 一种固态图象传感器,包括:半导体层,具有第2电导率,光电转换部分,把光转换成电荷,控制晶体管,控制所述的光电转换部分的工作,源跟随晶体管,输出由所述的电荷产生的电压,其特征是,所述的光电转换部分包括:具有第1电导率的第1区,延伸到所述的控制晶体管的栅极,与源跟随晶体管的栅极电连接,具有第1电导率第2区,形成在所述的第1区的附近。所述的固态图象传感器减少光电转换部分的寄生电容,因此增加了光电转换部分的效率和灵敏度。
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
19
records
(took 0.024 seconds)
