公开(公告)号：CN109328184A

公开(公告)日：2019-02-12

申请号：CN201780039493.1

申请日：2017-06-19

Applicant: 日本特殊陶业株式会社

Inventor： 茂木淳 ,  胜祐介 ,  光冈健

IPC: C04B35/117 ,  C09K11/08 ,  C09K11/80

Abstract: 在陶瓷烧结体中，在提高耐久性的同时抑制发光强度的降低以及色度偏差的产生。一种陶瓷烧结体，其特征在于，包含：氧化铝以及由M13-XM2XM35O12表示的化合物，陶瓷烧结体中的化合物的体积比例为3％～70％，铝与M2的复合氧化物相对于化合物的XRD强度比小于0.05，陶瓷烧结体中包含的氧化铝的平均粒径为0.30(μm)～3.00(μm)。M1为选自Sc、Y和镧系元素中的至少一种，M2为选自除了M1中所选择的镧系元素以外的镧系元素中的至少一种，M3为Al或Ga中的至少一种，X为0.003～0.500。

公开(公告)号：CN109891275B

公开(公告)日：2021-08-24

申请号：CN201780066927.7

申请日：2017-10-24

Applicant: 日本特殊陶业株式会社

Inventor： 胜祐介 ,  高久翔平 ,  伊藤经之 ,  光冈健 ,  茂木淳

IPC: G02B5/20 ,  C04B35/44 ,  C04B35/50 ,  C09K11/08 ,  C09K11/80 ,  H01L33/50

Abstract: 本发明提供一种能够抑制光波长转换构件的黑色化的光波长转换构件的制造方法、抑制黑色化的光波长转换构件、具备光波长转换构件的光波长转换部件及具备光波长转换构件或光波长转换部件的发光装置。所述制造方法是由以Al2O3与用A3B5O12：Ce表示的成分作为主要成分的烧结体构成的光波长转换构件(9)的制造方法。在该制造方法中，由于在压力为104Pa以上且氧浓度为0.8体积％以上小于25体积％的烧成气氛下进行烧成，因而抑制了由炉内气氛造成的烧结体的黑化，并能够得到较高的荧光特性。用这样的制造方法制造出的光波长转换构件(9)能够得到较高的荧光强度。另外，也能够提高颜色的均匀性。因此，可以制作在高功率的LED或激光光源下能够发挥较高的荧光特性的光波长转换构件(9)。

公开(公告)号：CN109923446A

公开(公告)日：2019-06-21

申请号：CN201780066919.2

申请日：2017-10-20

Applicant: 日本特殊陶业株式会社

Inventor： 高久翔平 ,  胜祐介 ,  伊藤经之 ,  志村祐纪 ,  光冈健 ,  茂木淳

IPC: G02B5/20 ,  C04B35/50 ,  C09K11/80 ,  H01L33/50

Abstract: 本发明提供一种光波长转换构件及发光装置，具有较高的照度及荧光强度，并能够抑制色斑。光波长转换构件(9)由具有以具有荧光性的结晶粒子为主体的荧光相和以具有透光性的结晶粒子为主体的透光相的陶瓷烧结体所构成。荧光相的结晶粒子具有用化学式A3B5O12：Ce表示的组成，并且A元素及B元素分别由从下述元素群中选择的至少1种元素所构成。即，A元素可以从“Sc、Y、除Ce之外的镧系元素”中选择，B元素可以从“Al、Ga”中选择。进一步地，在光波长转换构件(9)中，光波长转换构件9的截面中的透光相与荧光相的面积比a为0.3＜a＜34，且荧光相的界面长度y为300μm＜y＜1050μm。

公开(公告)号：CN109891275A

公开(公告)日：2019-06-14

申请号：CN201780066927.7

申请日：2017-10-24

Applicant: 日本特殊陶业株式会社

Inventor： 胜祐介 ,  高久翔平 ,  伊藤经之 ,  光冈健 ,  茂木淳

IPC: G02B5/20 ,  C04B35/44 ,  C04B35/50 ,  C09K11/08 ,  C09K11/80 ,  H01L33/50

Abstract: 本发明提供一种能够抑制光波长转换构件的黑色化的光波长转换构件的制造方法、抑制黑色化的光波长转换构件、具备光波长转换构件的光波长转换部件及具备光波长转换构件或光波长转换部件的发光装置。所述制造方法是由以Al2O3与用A3B5O12：Ce表示的成分作为主要成分的烧结体构成的光波长转换构件(9)的制造方法。在该制造方法中，由于在压力为104Pa以上且氧浓度为0.8体积％以上小于25体积％的烧成气氛下进行烧成，因而抑制了由炉内气氛造成的烧结体的黑化，并能够得到较高的荧光特性。用这样的制造方法制造出的光波长转换构件(9)能够得到较高的荧光强度。另外，也能够提高颜色的均匀性。因此，可以制作在高功率的LED或激光光源下能够发挥较高的荧光特性的光波长转换构件(9)。

公开(公告)号：CN103974922A

公开(公告)日：2014-08-06

申请号：CN201380004197.X

申请日：2013-06-10

Applicant: 日本特殊陶业株式会社

Inventor： 茂木淳 ,  胜祐介 ,  光冈健

IPC: C04B35/10 ,  B23B27/14 ,  C04B35/56

CPC classification number: C04B35/106 ,  B23B2226/18 ,  C04B35/119 ,  C04B35/48 ,  C04B35/5626 ,  C04B35/645 ,  C04B37/02 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3246 ,  C04B2235/3843 ,  C04B2235/3847 ,  C04B2235/3856 ,  C04B2235/3886 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/72 ,  C04B2235/85 ,  C04B2235/96 ,  C04B2235/9607 ,  Y10T407/27 ,  Y10T428/268

Abstract: 本发明涉及一种陶瓷烧结体，其包含碳化钨、氧化锆和氧化铝。所述碳化钨的含量为20～50体积％，且所述氧化锆的含量为5～25体积％。所述氧化锆的晶相为正方晶或者正方晶与单斜晶的混晶。所述陶瓷烧结体实质上不含Ti化合物。所述碳化钨的平均粒径、所述氧化锆的平均粒径和所述氧化铝的平均粒径都为1μm以下。

公开(公告)号：CN103189332B

公开(公告)日：2014-08-06

申请号：CN201280003538.7

申请日：2012-07-06

Applicant: 日本特殊陶业株式会社

Inventor： 茂木淳 ,  胜祐介 ,  田中邦治 ,  光冈健 ,  黑木义博 ,  草薙宏信

IPC: C04B35/10 ,  B23B27/14 ,  B23C5/16 ,  C04B35/622

CPC classification number: B23B27/148 ,  C04B35/119 ,  C04B35/4885 ,  C04B35/62695 ,  C04B35/6455 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/72 ,  C04B2235/765 ,  C04B2235/785 ,  C04B2235/85 ,  C04B2235/96 ,  Y10T407/27

Abstract: 以氧化铝晶粒和氧化锆晶粒为主要成分的烧结体包含正方晶的晶粒作为氧化锆晶粒。另外，将烧结体的任意切割面的边长10μm的正方形的范围内的氧化锆晶粒的总数设为N个，将周围仅被氧化锆晶粒围绕的第一氧化锆晶粒的数量a个、周围仅被前述氧化铝晶粒围绕的第二氧化锆晶粒的数量b个、周围被前述氧化锆晶粒和氧化铝晶粒围绕的第三氧化锆晶粒的数量c个各自相对于N个的比率设为A～C时，满足0%≤A≤3%、且3%≤B≤22%、且77%≤C≤96%。另外，N的值为140以上。