公开(公告)号：CN119999336A

公开(公告)日：2025-05-13

申请号：CN202380070414.9

申请日：2023-11-29

Applicant: 日新电机株式会社

Inventor： 藤原将喜 ,  酒井敏彦 ,  东大介

IPC: H05H1/46 ,  C23C14/40 ,  C23C16/509 ,  H01L21/31 ,  H01L21/3065

Abstract: 本发明提供一种即便在设置有内侧罩的情况下也可提高维护性的等离子体处理装置。等离子体处理装置(1)包括：壳体(2)，设置有将处理室内部与外部连通的开口部(2b)；真空罩(4)，以能够拆装的方式安装于壳体(2)，且闭塞开口部(2b)；棒状的天线(8)，用于产生等离子体；以及天线罩(5)，在与真空罩(4)之间构成包围天线(8)的天线收容空间(AK)。天线罩(5)沿着天线(8)的长边方向被分割为多个。被覆罩(14)以覆盖天线罩(5)的分割部的方式设置。

公开(公告)号：CN117501453B

公开(公告)日：2024-10-01

申请号：CN202380010510.4

申请日：2023-03-16

Applicant: 国立大学法人东京农工大学 ,  日新电机株式会社

Inventor： 鲛岛俊之 ,  瀬戸口佳孝 ,  安东靖典 ,  酒井敏彦

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/425 ,  H01L21/336 ,  H01L21/265

Abstract: 本发明提供一种固定电荷显现方法、薄膜晶体管的制造方法及薄膜晶体管。所述固定电荷显现方法，为在具有包含氧化物半导体的沟道层的半导体元件中的背沟道侧的绝缘膜中显现出固定电荷的方法，所述方法中，在形成有所述绝缘膜后，在所述绝缘膜的表面形成金属膜，经由所述金属膜对所述绝缘膜进行离子注入，由此在所述绝缘膜中显现出固定电荷。

公开(公告)号：CN118510941A

公开(公告)日：2024-08-16

申请号：CN202380016174.4

申请日：2023-01-26

Applicant: 日新电机株式会社

Inventor： 酒井敏彦 ,  东大介

IPC: C23C16/509 ,  H05H1/46

Abstract: 本发明提供一种能够对连续地供给的膜进行等离子体处理的小型的等离子体处理装置。等离子体处理装置(1)包括对被处理基板(H1)进行规定的等离子体处理的处理室(2)。处理室(2)的内部包括：滚筒(6)，导引连续地供给至处理室(2)的被处理基板(H1)；以及天线(8)，用于在处理室(2)的内部产生感应耦合性的等离子体。天线(8)配置于滚筒(6)的内部，等离子体处理是对滚筒(6)上的被处理基板(H1)进行。

公开(公告)号：CN119302037A

公开(公告)日：2025-01-10

申请号：CN202280096674.9

申请日：2022-12-16

Applicant: 日新电机株式会社

Inventor： 酒井敏彦 ,  东大介 ,  藤原将喜

IPC: H05H1/46 ,  C23C16/505

Abstract: 等离子体处理装置(1)包括：壳体(2)，设置有第一开口部(2b)；真空罩(4)，以能够拆装的方式安装于第一开口部(2b)，且闭塞该第一开口部(2b)；天线罩(5)，支撑于第一开口部(2b)的内部，且具有介电性；以及天线(8)，配设于至少由真空罩(4)及天线罩(5)包围而形成的天线收容空间(AK)中，用于产生感应耦合性的等离子体。天线罩(5)形成有在真空罩(4)侧开口并且构成天线收容空间(AK)的一部分的罩开口部(5c)，且所述天线罩(5)能够自第一开口部(2b)卸下。

公开(公告)号：CN119278666A

公开(公告)日：2025-01-07

申请号：CN202380043374.9

申请日：2023-05-22

Applicant: 日新电机株式会社

Inventor： 藤原将喜 ,  酒井敏彦 ,  东大介

IPC: H05H1/46 ,  C23C16/505 ,  C23C16/52

Abstract: 本发明实现一种能够简易地调整天线的高度的等离子体处理装置。等离子体处理装置(1)包括：外侧罩(20)，以将设置于壳体(10)的第一开口部(12)闭塞的方式安装于壳体；内侧罩(30)，将处理室(11)与外侧罩之间分割；天线(40)，用于在处理室内产生等离子体；插通构件(45)，与天线链接；以及位置调整机构(60)，在安装有外侧罩的状态下使插通构件移位。

公开(公告)号：CN117501453A

公开(公告)日：2024-02-02

申请号：CN202380010510.4

申请日：2023-03-16

Applicant: 国立大学法人东京农工大学 ,  日新电机株式会社

Inventor： 鲛岛俊之 ,  瀬戸口佳孝 ,  安东靖典 ,  酒井敏彦

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/425 ,  H01L21/336 ,  H01L21/265

Abstract: 一种固定电荷显现方法，为在具有包含氧化物半导体的沟道层的半导体元件中的背沟道侧的绝缘膜中显现出固定电荷的方法，所述方法中，在形成有所述绝缘膜后，在所述绝缘膜的表面形成金属膜，经由所述金属膜对所述绝缘膜进行离子注入，由此在所述绝缘膜中显现出固定电荷。

公开(公告)号：CN117501419A

公开(公告)日：2024-02-02

申请号：CN202380010868.7

申请日：2023-03-17

Applicant: 日新电机株式会社

Inventor： 酒井敏彦 ,  安东靖典

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L21/425 ,  H01L21/265

Abstract: 一种固定电荷控制方法，为对半导体元件中使用的绝缘层内的固定电荷进行控制的方法，所述方法中，在形成有所述绝缘层后，对所述绝缘层的表层部进行离子注入，在所述离子注入后的所述绝缘层的表面形成包含金属膜或绝缘膜的顶盖层，对在表面形成有所述顶盖层的所述绝缘层进行热处理，由此在所述绝缘层中显现出固定电荷。