公开(公告)号：CN110709968B

公开(公告)日：2023-03-10

申请号：CN201880037318.3

申请日：2018-06-07

Applicant: 日新电机株式会社

Inventor： 松尾大辅 ,  安东靖典 ,  瀬戸口佳孝 ,  岸田茂明

IPC: H01L21/336 ,  C23C14/08 ,  C23C14/34 ,  H01L21/363 ,  H01L29/786

Abstract: 一种薄膜晶体管的制造方法，制造在基板上具有栅极电极、栅极绝缘层、氧化物半导体层、源极电极及漏极电极的薄膜晶体管，且所述薄膜晶体管的制造方法包括通过使用等离子体来溅射靶材而在所述栅极绝缘层上形成氧化物半导体层的步骤，所述形成氧化物半导体层的步骤包括：第一成膜步骤，仅供给氩气作为溅射气体来进行溅射；以及第二成膜步骤，供给氩气与氧气的混合气体作为溅射气体来进行溅射；并且对所述靶材施加的偏电压为‑1kV以上的负电压。

公开(公告)号：CN110382734B

公开(公告)日：2022-11-29

申请号：CN201880016032.7

申请日：2018-03-14

Applicant: 日新电机株式会社

Inventor： 岸田茂明 ,  松尾大辅

IPC: C23C14/40 ,  H05H1/46

Abstract: 本发明在使用等离子体的溅射装置中提高成膜的均匀性。本发明的溅射装置(100)使用等离子体(P)对靶(T)进行溅射而于基板(W)上成膜，且包括：真空容器(2)，经真空排气且供导入气体；基板保持部(3)，在真空容器(2)内保持基板(W)；靶保持部(4)，在真空容器(2)内保持靶(T)；多根天线(5)，沿着由基板保持部(3)所保持的基板(W)的表面而排列，且产生等离子体(P)；以及往返扫描机构(14)，使基板保持部(3)沿着多根天线(5)的排列方向(X)而往返扫描。

公开(公告)号：CN110709968A

公开(公告)日：2020-01-17

申请号：CN201880037318.3

申请日：2018-06-07

Applicant: 日新电机株式会社

Inventor： 松尾大辅 ,  安东靖典 ,  瀬戸口佳孝 ,  岸田茂明

IPC: H01L21/336 ,  C23C14/08 ,  C23C14/34 ,  H01L21/363 ,  H01L29/786

Abstract: 一种薄膜晶体管的制造方法，制造在基板上具有栅极电极、栅极绝缘层、氧化物半导体层、源极电极及漏极电极的薄膜晶体管，且所述薄膜晶体管的制造方法包括通过使用等离子体来溅射靶材而在所述栅极绝缘层上形成氧化物半导体层的步骤，所述形成氧化物半导体层的步骤包括：第一成膜步骤，仅供给氩气作为溅射气体来进行溅射；以及第二成膜步骤，供给氩气与氧气的混合气体作为溅射气体来进行溅射；并且对所述靶材施加的偏电压为-1kV以上的负电压。

公开(公告)号：CN104427736A

公开(公告)日：2015-03-18

申请号：CN201410415737.X

申请日：2014-08-21

Applicant: 日新电机株式会社 ,  株式会社日本制钢所

Inventor： 安东靖典 ,  入泽一彦 ,  岸田茂明 ,  千叶理树

IPC: H05H1/46 ,  C23C16/505 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01J37/32541 ,  H01J37/321 ,  H01J37/3211 ,  H01J37/32119

Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置，可以提升在天线的长度方向上的基板处理的均匀性。天线形成将高频电极收纳在电介质盒内的构造。高频电极形成：使2片电极导体以两者作为整体来呈现矩形板状的方式，相互隔开间隙且接近并平行地配置，且利用导体将两电极导体的长度方向的其中一端彼此连接而构成返回导体构造，且高频电流相互逆向地流向两电极导体。且在电极导体的间隙侧的边形成开口部，将该开口部以多个分散并配置在高频电极的长度方向。将该天线以高频电极的主面与基板的表面成为实质上相互垂直的方向而配置在真空容器内。