公开(公告)号：CN102034908A

公开(公告)日：2011-04-27

申请号：CN201010502435.8

申请日：2010-09-29

Applicant: JSR株式会社

Inventor： 野边洋平 ,  加藤仁史 ,  小林薰平 ,  宫本智明 ,  住谷孝治 ,  小久保辉一

IPC: H01L33/00 ,  C09D183/04

Abstract: 本发明提供光半导体元件的制造方法、及该元件保护层形成用组合物。提供即使为了除去在形成用于分离元件单元的分离沟槽时产生的附着物而使用酸时，也不会对半导体层造成不良影响，并且耐酸性以及耐断裂性优异的保护层形成用组合物，以及使用该组合物的光半导体元件的制造方法。保护层形成用组合物包含硅氧烷系聚合物和有机溶剂。光半导体元件的制造方法包含以下工序：向在基板(1)上形成的半导体层(2)、(3)的表面涂布保护层形成用组合物，从而形成保护层(4)的工序；从保护层(4)的上方照射激光，形成分离沟槽(6)的工序；以及除去在形成分离沟槽(6)时生成的附着物的工序。

公开(公告)号：CN107851797B

公开(公告)日：2020-12-11

申请号：CN201680046453.5

申请日：2016-09-28

Applicant: JSR株式会社

Inventor： 住谷孝治 ,  浅野重人 ,  古贺康行 ,  木村亮 ,  礼场强 ,  小久保辉一 ,  安东信雄

IPC: H01M4/587 ,  H01G11/06 ,  H01G11/86

Abstract: 本发明提供一种电极材料的制造方法，具有在碱金属供给源和溶剂的存在下对至少含有活性物质的无定型集合物进行静态加压的状态的加压工序。

公开(公告)号：CN104205443A

公开(公告)日：2014-12-10

申请号：CN201380016051.7

申请日：2013-05-21

Applicant: JSR株式会社

Inventor： 本多达朗 ,  前川真希 ,  住谷孝治

IPC: H01M4/62 ,  C08L25/08 ,  C08L27/12 ,  C08L33/08 ,  H01G11/22 ,  H01M4/13

CPC classification number: H01M4/622 ,  H01G11/06 ,  H01G11/38 ,  Y02E60/13 ,  Y02T10/7022

Abstract: 本发明涉及的蓄电设备用粘结剂组合物是用于制作蓄电设备的粘结剂组合物，含有聚合物(A)和液态介质(B)，上述聚合物(A)在100质量份中含有0.5～20质量份来自含氟乙烯系单体的重复单元(Ma)、41～60质量份来自不饱和羧酸酯的重复单元(Mb)和16～40质量份来自芳香族乙烯基化合物的重复单元(Mc)。