公开(公告)号：CN111316401A

公开(公告)日：2020-06-19

申请号：CN201880069448.5

申请日：2018-10-30

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 荻野浩司 ,  西卷裕和 ,  柄泽凉 ,  新城彻也 ,  上林哲 ,  森谷俊介 ,  奥野贵久

IPC: H01L21/304 ,  B32B7/023 ,  B32B7/06 ,  B32B27/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/683

Abstract: 本发明是在支持体与被加工物之间具有以能够剥离的方式粘接的中间层、用于通过切断等分离被加工物、或是用于进行晶片的背面研磨等加工的层叠体，该中间层至少含有与支持体侧接触的剥离层，剥离层含有能够吸收隔着支持体照射的190nm～600nm的光而改性的酚醛清漆树脂，本发明提供可以不进行机械加工就可以进行分离的材料和方法。本发明是支持体与晶片的电路面之间具有以能够剥离的方式粘接的中间层的用于晶片背面研磨的层叠体，该中间层含有与晶片一侧接触的粘接层和与支持体侧接触的剥离层，剥离层能够吸收隔着支持体照射的190nm～600nm的光而改性的酚醛清漆树脂。剥离层的透光率在190nm～600nm的范围为1～90％。光吸收改性是酚醛清漆树脂的光分解。

公开(公告)号：CN113439324B

公开(公告)日：2025-03-04

申请号：CN202080014654.3

申请日：2020-02-14

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 荻野浩司 ,  新城彻也 ,  柄泽凉 ,  奥野贵久

IPC: H01L21/304 ,  C11D7/32 ,  C11D7/50

Abstract: 本发明提供一种清洗剂组合物，其用于去除残留于基体上的聚硅氧烷系粘接剂，所述清洗剂组合物包含氟化四(烃)铵和有机溶剂，上述有机溶剂包含式(1)所示的内酰胺化合物和含环状结构的醚化合物，所述含环状结构的醚化合物包含选自环状醚化合物、环状烷基链状烷基醚化合物、环状烷基支链状烷基醚化合物以及二(环状烷基)醚化合物中的至少一种。(式中，R101表示碳原子数1～6的烷基，R102表示碳原子数1～6的亚烷基。)#imgabs0#

公开(公告)号：CN118507421A

公开(公告)日：2024-08-16

申请号：CN202410586917.8

申请日：2018-10-30

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 荻野浩司 ,  西卷裕和 ,  柄泽凉 ,  新城彻也 ,  上林哲 ,  森谷俊介 ,  奥野贵久

IPC: H01L21/683 ,  C09J161/06 ,  C09J183/04 ,  C09J183/07

Abstract: 本发明是在支持体与被加工物之间具有以能够剥离的方式粘接的中间层、用于通过切断等分离被加工物、或是用于进行晶片的背面研磨等加工的层叠体，该中间层至少含有与支持体侧接触的剥离层，剥离层含有能够吸收隔着支持体照射的190nm～600nm的光而改性的酚醛清漆树脂，本发明提供可以不进行机械加工就可以进行分离的材料和方法。本发明是支持体与晶片的电路面之间具有以能够剥离的方式粘接的中间层的用于晶片背面研磨的层叠体，该中间层含有与晶片一侧接触的粘接层和与支持体侧接触的剥离层，剥离层能够吸收隔着支持体照射的190nm～600nm的光而改性的酚醛清漆树脂。剥离层的透光率在190nm～600nm的范围为1～90％。光吸收改性是酚醛清漆树脂的光分解。

公开(公告)号：CN113574159A

公开(公告)日：2021-10-29

申请号：CN202080020705.3

申请日：2020-03-11

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 荻野浩司 ,  奥野贵久 ,  柄泽凉 ,  新城彻也

IPC: C11D7/32 ,  H01L21/304 ,  C11D7/50

Abstract: 本发明提供一种清洗剂组合物，其用于去除粘接剂残留物，所述清洗剂组合物包含季铵盐和溶剂，上述溶剂仅由有机溶剂形成，上述有机溶剂包含N，N，N’，N’－四(烃)脲。

公开(公告)号：CN108885403A

公开(公告)日：2018-11-23

申请号：CN201780022967.1

申请日：2017-04-17

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 柄泽凉 ,  桥本圭祐

IPC: G03F7/11 ,  G03F7/20 ,  G03F7/26 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/11 ,  G03F7/20 ,  G03F7/26 ,  H01L21/027

Abstract: 本发明的课题在于提供不发生与抗蚀剂层的混合、具有高干式蚀刻耐性、具有高耐热性、高温下的质量减少少、显示平坦的高低差基板被覆性的光刻用抗蚀剂下层膜及用于形成该抗蚀剂下层膜的抗蚀剂下层膜形成用组合物。解决手段为一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含含有下述式(1)的结构单元的聚合物。式(1)的结构单元为式(2)的结构单元。本发明提供半导体装置的制造方法，其包括下述工序：由抗蚀剂下层膜形成用组合物在半导体基板上形成抗蚀剂下层膜的工序，在该抗蚀剂下层膜上形成硬掩模的工序，进一步在该硬掩模上形成抗蚀剂膜的工序，通过对该抗蚀剂照射光或电子束并进行显影而形成抗蚀剂图案的工序，通过该抗蚀剂图案对该硬掩模进行蚀刻而形成图案的工序，通过该图案化了的硬掩模对该下层膜进行蚀刻而形成图案的工序，以及，通过该图案化了的抗蚀剂下层膜对该半导体基板进行加工的工序。