公开(公告)号：CN110193974A

公开(公告)日：2019-09-03

申请号：CN201910146091.2

申请日：2019-02-27

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 酒井和也 ,  松本圭祐 ,  安藤豪彦

IPC: B32B7/12 ,  B32B9/00 ,  B32B9/04 ,  B32B15/02 ,  B32B15/08 ,  B32B27/06 ,  B32B27/08 ,  B32B27/32 ,  B32B33/00

Abstract: 本发明提供透明导电性薄膜层叠体及透明导电性薄膜的制造方法。透明导电性薄膜层叠体依次具备：保护树脂薄膜、粘合剂层及透明导电性薄膜。保护树脂薄膜含有环烯烃系树脂，所述透明导电性薄膜层叠体满足下述式(1)及(2)。(式中，X表示保护树脂薄膜的厚度(μm)。Y表示在拉伸速度10m/分钟、剥离角度180°的条件下的粘合剂层的剥离力(N/50mm)。Y

公开(公告)号：CN109698042A

公开(公告)日：2019-04-30

申请号：CN201811203004.4

申请日：2018-10-16

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 松本圭祐 ,  酒井和也 ,  安藤豪彦

IPC: H01B5/14 ,  G06F3/044

Abstract: 本发明提供透明导电性薄膜及透明导电性薄膜层叠体。透明导电性薄膜具备：透明基材；配置于透明基材的厚度方向一侧的透明导电层；配置于透明基材的厚度方向另一侧的阻气层；和配置于阻气层的厚度方向另一侧的覆盖层，阻气层含有Zn、Al及Si中的至少2种成分以上，覆盖层为含有Si的氧化物层，覆盖层的厚度方向另一面的水接触角为40度以上，利用X射线光电子能谱法测定覆盖层的厚度方向另一面时相对于包含Si的金属元素的、Si的元素比率为40％以上。

公开(公告)号：CN109671518A

公开(公告)日：2019-04-23

申请号：CN201811082862.8

申请日：2018-09-17

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 松本圭祐 ,  竹下翔也 ,  河野文彦 ,  酒井和也 ,  安藤豪彦

IPC: H01B5/14 ,  H01B13/00

Abstract: 本发明涉及无机物层层叠体的制造方法，该无机物层层叠体的制造方法具备：在具备基材薄膜的薄膜体的厚度方向一侧配置第1支撑薄膜的工序、在真空下在薄膜体的厚度方向另一侧形成无机物层的工序、将第1支撑薄膜去除的工序、在薄膜体的厚度方向一侧配置第2支撑薄膜的工序、及对无机物层进行加热的工序。