公开(公告)号：CN1838390A

公开(公告)日：2006-09-27

申请号：CN200610065382.1

申请日：2006-03-23

Applicant: 本田技研工业株式会社 ,  新电元工业株式会社

Inventor： 野中贤一 ,  桥本英喜 ,  横山诚一 ,  岩永健介 ,  齐藤吉三 ,  岩黑弘明 ,  清水正章 ,  福田祐介 ,  西川恒一 ,  前山雄介

IPC: H01L21/337

CPC classification number: H01L29/7722

Abstract: 结型半导体装置的制造方法。该结型半导体装置的制造方法由以下工序构成：第一高电阻层形成工序；沟道掺杂层形成工序；第二高电阻层形成工序；形成作为源区的第一导电型的低电阻层(34)的工序；进行局部刻蚀直至低电阻层(34)和第二高电阻层(33)的中途深度的工序；在刻蚀工序中刻蚀后的部分的下部形成栅区(G)的工序；以及在栅区(G)和源区之间的区域的表面形成保护膜(38)的工序。在预先刻蚀到了源区下面和沟道掺杂层的上面之间的高度的面上，使用较低能量的离子注入来形成栅区。