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公开(公告)号：CN110462839A
公开(公告)日：2019-11-15
申请号：CN201780088751.5
申请日：2017-12-27
Applicant: 新电元工业株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/06
Abstract: MOSFET100，具备：半导体基体110，在n型柱形区域113以及p型柱形区域115构成超结结构；以及栅极电极122，通过栅极绝缘膜120形成，其中，在半导体基体110中，当将提供作为MOSFET的主要运作的区域设为活性区域A1、将保持耐压的区域设为外周区域A3、以及将位于活性区域A1与外周区域A3中间的区域设为活性连接区域A2时，在半导体基体110的活性区域A1、活性连接区域A2以及外周区域A3中，晶格缺陷仅被生成于活性区域A1以及活性连接区域A2。此外，电力转换电路，具备：用于制造MOSFET100的制造方法以及MOSFET100。本发明的MOSFET100能够减少恢复损失，并且与以往的MOSFET相比难以产生振动。
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公开(公告)号：CN109729743A
公开(公告)日：2019-05-07
申请号：CN201680088772.2
申请日：2016-11-11
Applicant: 新电元工业株式会社
Abstract: 本发明的MOSFET100的特征在于，包括：半导体基体110，具有n型柱形区域114、p型柱形区域116、基极区域118、以及源极区域120，并且由n型柱形区域114以及p型柱形区域116构成超级结结构；沟槽122，具有侧壁以及底部；栅电极126，经由栅极绝缘膜124形成在沟槽122内；载流子补偿电极128，位于栅电极126与沟槽122的底部之间；绝缘区域130，将载流子补偿电极128与侧壁以及底部分离；以及源电极132，在与源极区域120电气连接的同时也与载流子补偿电极128电气连接。根据本发明的MOSFET100，即便栅极周围的电荷平衡存在变动，也能够将关断MOSFET后的开关特性的变动减小至比以往更小的水平。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109643734A
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201780052518.1
申请日：2017-03-17
Applicant: 新电元工业株式会社
IPC: H01L29/78
Abstract: 本发明的MOSFET100，包括：具有超级结结构117的半导体基体110；以及经由栅极绝缘膜124后被形成在半导体基体110的第一主面侧上的栅电极126，其特征在于：在以超级结结构117中规定深度位置的深度x为横轴，以超级结结构117中规定深度位置上的平均正电荷密度p(x)为纵轴时，将MOSFET关断后超级结结构117耗尽时的，超级结结构117中规定深度位置上的平均正电荷密度p(x)展现为上凸的向右上扬的曲线。根据本发明的MOSFET，即便栅极周围的电荷平衡存在变动，也能够将关断后的开关特性的变动减小至比以往更小的水平。
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公开(公告)号：CN109643731A
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201680088767.1
申请日：2016-09-16
Applicant: 新电元工业株式会社
Abstract: 本发明的MOSFET100，用于具备：反应器；电源；MOSFET100；以及整流元件，的电力转换电路中，其特征在于，包括：半导体基体110，具有n型柱形区域114以及p型柱形区域116，并且由n型柱形区域114以及p型柱形区域116构成超级结结构，其中，n型柱形区域114以及p型柱形区域116被形成为：p型柱形区域116的掺杂物总量比n型柱形区域114的掺杂物总量更高，在开启MOSFET后，运作为：从平面上看在n型柱形区域114的中央，出现电场强度比n型柱形区域114的中央以外的区域更低的低电场区域。根据本发明的MOSFET，在开启MOSFET后，就能够使MOSFET更难产生振荡，并且，还能够降低整流元件的浪涌。
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公开(公告)号：CN109643731B
公开(公告)日：2021-10-29
申请号：CN201680088767.1
申请日：2016-09-16
Applicant: 新电元工业株式会社
Abstract: 本发明的MOSFET100，用于具备：反应器；电源；MOSFET100；以及整流元件，的电力转换电路中，其特征在于，包括：半导体基体110，具有n型柱形区域114以及p型柱形区域116，并且由n型柱形区域114以及p型柱形区域116构成超级结结构，其中，n型柱形区域114以及p型柱形区域116被形成为：p型柱形区域116的掺杂物总量比n型柱形区域114的掺杂物总量更高，在开启MOSFET后，运作为：从平面上看在n型柱形区域114的中央，出现电场强度比n型柱形区域114的中央以外的区域更低的低电场区域。根据本发明的MOSFET，在开启MOSFET后，就能够使MOSFET更难产生振荡，并且，还能够降低整流元件的浪涌。
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公开(公告)号：CN109643656A
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201680088771.8
申请日：2016-09-02
Applicant: 新电元工业株式会社
IPC: H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 本发明的MOSFET100，用于具备：反应器；电源；MOSFET；以及整流元件的电力转换电路中，其特征在于：具备：具有由所述n型柱形区域以及所述p型柱形区域构成超级结结构的半导体基体，其中，所述n型柱形区域以及所述p型柱形区域被形成为：使所述n型柱形区域的掺杂物总量比所述p型柱形区域的掺杂物总量更高，在关断所述MOSFET后，运作为：在从漏极电流开始减少直到漏极电流最初变为零的期间内，依次出现所述漏极电流减少的第一期间、所述漏极电流增加的第二期间、以及所述漏极电流再次减少的第三期间。根据本发明的MOSFET，由于能够在关断MOSFET后，将MOSFET的浪涌电压减小至比以往更小的程度，因此就能够使其适用于各种电力转换电路。
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公开(公告)号：CN108292679A
公开(公告)日：2018-07-17
申请号：CN201680068884.1
申请日：2016-03-31
Applicant: 新电元工业株式会社
IPC: H01L29/78
Abstract: 本发明的功率半导体装置100，具有超级结结构，包括：低电阻半导体层112、n-型柱形区域113、p-型柱形区域115、基极区域116、沟槽118、栅极绝缘膜120、栅电极122、源极区域124、层间绝缘膜126、接触孔128、金属塞130、p+型扩散区域、源电极134、以及栅极焊盘电极135，并且，有源元件部R1，在距离栅极焊盘部R2最近的规定的p-型柱形区域115A，与沟槽118接触的n-型柱形区域113中距离栅极焊盘部R2最近的规定的n-型柱形区域113A之间，具备n-型柱形区域113B。本发明的功率半导体装置，是一种符合低成本化以及小型化要求的，并且能够在维持高耐压的同时降低导通电阻的，具有高击穿耐量的功率半导体装置。
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