公开(公告)号：CN101752487B

公开(公告)日：2013-12-11

申请号：CN200910258229.4

申请日：2009-12-17

Applicant: 斯坦雷电气株式会社

Inventor： 梁吉镐 ,  千野根崇子 ,  柴田康之 ,  东野二郎

IPC: H01L33/18

CPC classification number: H01L21/02639 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02516 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/0265 ,  H01L33/007 ,  H01L33/0079

Abstract: 本发明提供了一种制造半导体器件的方法，其中，在生长衬底上形成部分地覆盖生长衬底的选择性生长掩模；在该生长衬底上未被该掩模覆盖的非掩模部上形成比该掩模更厚的缓冲层，并在该缓冲层的表面上暴露出预定的小面；使用该缓冲层作为起点使半导体膜横向生长，并且在掩模的上部上形成空腔的同时形成覆盖该掩模的横向生长层；以及在横向生长层上外延生长器件功能层。空腔形成步骤包括以第一生长速率生长半导体膜的第一步骤和以与该第一生长速率彼此不同的另一个生长速率生长另一个半导体膜的第二步骤，其中，该第一步骤和该第二步骤以交替方式执行多次。

公开(公告)号：CN101764185A

公开(公告)日：2010-06-30

申请号：CN200910266316.4

申请日：2009-12-24

Applicant: 斯坦雷电气株式会社

Inventor： 千野根崇子 ,  梁吉镐 ,  柴田康之 ,  东野二郎

IPC: H01L33/20 ,  H01L21/205 ,  H01L21/78

CPC classification number: H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02636 ,  H01L33/007 ,  H01L33/0079

Abstract: 本发明涉及半导体器件以及半导体器件制造方法。通过以交替方式进行以彼此不同的生长速率生长III族氮化物的第一和第二生长步骤的多个循环，在生长基板上形成具有多个空腔的空腔包含层。随后在空腔包含层上形成半导体外延层，之后将支承基板接合到半导体外延层。将生长基板从空腔包含层分离。

公开(公告)号：CN101752487A

公开(公告)日：2010-06-23

申请号：CN200910258229.4

申请日：2009-12-17

Applicant: 斯坦雷电气株式会社

Inventor： 梁吉镐 ,  千野根崇子 ,  柴田康之 ,  东野二郎

IPC: H01L33/18

CPC classification number: H01L21/02639 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02516 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/0265 ,  H01L33/007 ,  H01L33/0079

Abstract: 本发明提供了一种制造半导体器件的方法，其中，在生长衬底上形成部分地覆盖生长衬底的选择性生长掩模；在该生长衬底上未被该掩模覆盖的非掩模部上形成比该掩模更厚的缓冲层，并在该缓冲层的表面上暴露出预定的小面；使用该缓冲层作为起点使半导体膜横向生长，并且在掩模的上部上形成空腔的同时形成覆盖该掩模的横向生长层；以及在横向生长层上外延生长器件功能层。空腔形成步骤包括以第一生长速率生长半导体膜的第一步骤和以与该第一生长速率彼此不同的另一个生长速率生长另一个半导体膜的第二步骤，其中，该第一步骤和该第二步骤以交替方式执行多次。