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公开(公告)号：CN118642211A
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN202410728039.9
申请日：2024-06-04
Applicant: 成都信息工程大学
Abstract: 本发明公开了能够产生可观测光自旋霍尔效应横向位移的太赫兹超构器件及其在光自旋霍尔效应二维控制中的应用方法，属于光学器件领域，包括呈周期性排布的多个超单元，超单元由全硅介质制备，且超单元包括长方体基座和垂直成型于长方体基座顶端的花瓣型立柱，花瓣型立柱包括垂直相交的两个椭圆立柱。本发明采用上述能够产生可观测光自旋霍尔效应横向位移的太赫兹超构器件及其在光自旋霍尔效应二维控制中的应用方法，可以对光波的相位、偏振等核心参数在不同的通道内进行同时控制，具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN117886601B
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202410060575.6
申请日：2024-01-16
Applicant: 成都信息工程大学
IPC: C04B35/468 , C04B35/622 , C04B35/63 , C04B41/88
Abstract: 本发明公开了一种高电致伸缩性能的钛酸钡基陶瓷及其制备方法，属于压电陶瓷材料技术领域。高电致伸缩性能的钛酸钡基陶瓷的化学通式为(0.99‑x)BaTiO3‑xBaZrO3‑0.01Bi(Zn2/3Nb1/3)O3，0≤x≤0.2。本发明通过同时在A位掺杂Bi3+和B位掺杂Zn2+、Nb5+、Zr4+，增加极性纳米微区数量，引入A位缺位和氧空位来打破原体系的长程铁电有序性，在室温附近诱导出弛豫相，且在外场激励下弛豫相和铁电相实现可逆转变，从而产生高的电致伸缩应变和电致伸缩系数。本发明采用上述高电致伸缩性能的钛酸钡基陶瓷及其制备方法，制备的钛酸钡基陶瓷具有较高的电致伸缩系数和电致伸缩应变。
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公开(公告)号：CN114859622B
公开(公告)日：2024-07-30
申请号：CN202210299963.0
申请日：2022-03-25
Applicant: 成都信息工程大学
Abstract: 本发明公开了一种空间光调制器及其设计方法、光束扫描方法，属于空间光调制器领域，包括电可调谐的等离子体激元谐振器单元，且为顶层、中层和底层结构；顶层为天线，中层为绝缘薄膜，底层为反射镜衬底；所述天线采用相变材料‑金属电极‑相变材料的包覆型结构，相变材料贴合在金属电极两侧，金属电极在电驱动下对相变材料进行加热；所述相变材料包括二氧化钒。本发明实现超表面中对近红外光束的高反射率与大角度的光束扫描，提高了近红外波段的调制深度，提高了设计效率。
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公开(公告)号：CN116930082B
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202310882996.2
申请日：2023-07-18
Applicant: 成都信息工程大学
Abstract: 本发明公开了一种手性药物的光自旋弱测量系统及其参数优化方法，属于手性分子测量技术领域，包括导轨、氦氖激光器、半波片、第一透镜、第一格兰偏振镜、棱镜、第二透镜、第二格兰偏振镜和CCD，所述棱镜上设置有多层介质薄膜，所述CCD、所述第二格兰偏振镜、所述第二透镜、所述棱镜、所述第一格兰偏振镜、所述第一透镜、所述半波片和所述氦氖激光器依次设置在所述导轨上；还公开了一种手性药物的光自旋弱测量系统的参数优化方法。本发明通过上述结构和方法，解决了现有的检测方法所需时间长且检测过程中会破坏待测样品结构的问题和传统弱测量系统不在意系统参数对系统灵敏度和检出限的影响从而导致的测量结果不准确和无法测量少量手性分子的问题。
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公开(公告)号：CN116774322B
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202310857256.3
申请日：2023-07-13
Applicant: 成都信息工程大学
Abstract: 本发明公开了一种赫兹矢量和标量光束双通道纵向切换超表面器件，涉及超表面的太赫兹波操控研究技术领域，包括超表面器件、两个不同结构的超单元和双通道，两个不同结构的超单元集成到超表面器件，两个不同结构的超单元包括自旋解耦合结构和各向同性结构，双通道包括同极化通道和交叉极化通道。本发明利用超单元对光场双通道的调控作用，使两个通道在不同的偏振态入射时同时产生两束携带相反角量子数的圆偏振涡旋不同焦点的聚焦光束，在不同入射偏振状态间引入一个附加相位差，在不同焦平面上得到不同初始偏振角度的矢量光束，实现超表面器件在不同偏振通道中标量‑矢量光束、矢量标量光束、矢量‑矢量光束的空间切换。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116986896B
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202311241871.8
申请日：2023-09-25
IPC: C04B35/475 , C04B35/622 , C04B41/88
Abstract: 本发明涉及压电陶瓷技术领域，具体公开了阴离子取代改性的钛酸铋钠无铅压电陶瓷及其制备方法，所述钛酸铋钠无铅压电陶瓷的化学通式为：Bi0.51(Na0.82K0.18)0.5TiO3‑0.41xF0.41x，其中，0.2≤x≤1.0。本发明利用NaF取代Na2CO3，实现F‑2‑取代O ，在钛酸铋钠基陶瓷中实现阴离子掺杂。相较于O2‑，F‑的化学价更低、电负性更强，非等价取代有利于形成晶格缺陷，并增大化学键强度，从而增强极化强度，进而同时提升钛酸铋钠基陶瓷的压电性能和退极化温度，使之具有高的压电性能和宽的使用温度范围，压电常数d33可达122~170 pC/N，退极化温度Td可达77‑142℃。(56)对比文件Yoshimura, S 等.Crystal growth andelectric-field-induced strain inBi0.5Na0.5TiO3 singlecrystals.TRANSACTIONS OF THE MATERIALSRESEARCH SOCIETY OF JAPAN.2006,第31卷(第01期),47.
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公开(公告)号：CN116986895B
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202311241879.4
申请日：2023-09-25
IPC: C04B35/468 , C04B35/622 , C04B41/88
Abstract: 本发明涉及压电陶瓷技术领域，具体公开了一种阴离子改性的高压电性能无铅压电陶瓷及其制备方法，所述无铅压电陶瓷的化学通式为：Ba0.94Sr0.06Ti0.92Sn0.08O3‑0.08xS0.08x，其中，0.2≤x≤1。本发明通过利用SnS部分取代SnO2作为原4‑ 2‑料，实现S 取代O ，进而实现阴离子掺杂取代。相较于O2‑，S4‑的化学价更高，有利于建立非等价阴离子取代诱导的缺陷结构，并增大缺陷对的自发极化强度，从而增强极化强度，进而提升无铅压电陶瓷的压电和介电性能，压电常数d33最高可达1010~1700pC/N，室温相对介电常数ε r可达6120~8830；远高于钛酸钡陶瓷的压电性能。(56)对比文件李涛 等.锆钛酸铅压电陶瓷的研究进展与发展动态.湘南学院学报.2004,(第02期),54-57.
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公开(公告)号：CN116774322A
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202310857256.3
申请日：2023-07-13
Applicant: 成都信息工程大学
Abstract: 本发明公开了一种赫兹矢量和标量光束双通道纵向切换超表面器件，涉及超表面的太赫兹波操控研究技术领域，包括超表面器件、两个不同结构的超单元和双通道，两个不同结构的超单元集成到超表面器件，两个不同结构的超单元包括自旋解耦合结构和各向同性结构，双通道包括同极化通道和交叉极化通道。本发明利用超单元对光场双通道的调控作用，使两个通道在不同的偏振态入射时同时产生两束携带相反角量子数的圆偏振涡旋不同焦点的聚焦光束，在不同入射偏振状态间引入一个附加相位差，在不同焦平面上得到不同初始偏振角度的矢量光束，实现超表面器件在不同偏振通道中标量‑矢量光束、矢量标量光束、矢量‑矢量光束的空间切换。
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公开(公告)号：CN116573936A
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN202310850114.4
申请日：2023-07-12
IPC: C04B35/49 , C04B35/622 , C04B41/88
Abstract: 本发明涉及压电陶瓷技术领域，具体公开了一种阴离子改性的压电陶瓷及其制备方法，压电陶瓷的化学通式为：Ba0.86Sr0.14Ti0.92Zr0.08 O3‑0.16xF0.32x，其中，x为用氟化锆ZrF4取代氧化锆ZrO2的摩尔比，0.2≤x≤1。本发明利用ZrF4取代部分ZrO2作为原料，实现F‑取代O2‑，进而实现阴离子掺杂。相较于O2‑，F‑的化学价更低、电负性更强，有利于形成晶格缺陷，并增大化学键强度，从而增强铁电极性，进而提升压电陶瓷的压电和介电性能，使压电陶瓷具有超高的压电和介电性能，压电常数d33最高可达950~1245pC/N，室温相对介电常数εr可达3201~3786；远高于钛酸钡陶瓷的压电性能。
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公开(公告)号：CN108303377B
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN201810105858.2
申请日：2018-02-02
Applicant: 成都信息工程大学
IPC: G01N21/17
Abstract: 本发明公开了一种基于热光效应光波导检测装置，包括：第一光电探测器、具有热光效应的光波导器件、第二光电探测器和第一放大器。可以采用现存半导体工艺将光波导、加热装置、温度检测装置、放大器等全部集成于单个晶片上。第一放大器输出的电信号调整光波导器件的温度，基于热光效应调整光波导器件的输出光信号，从而获得环路稳定。测量第一放大器输出的电信号或者光波导器件的温度即可快速准确地获得待测物品的信息。
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