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公开(公告)号：CN103035299B
公开(公告)日：2017-08-15
申请号：CN201210359644.0
申请日：2012-09-21
申请人： 意法半导体(鲁塞)公司
CPC分类号： G01R27/2605 , G01R17/02 , G04F10/10 , G04F13/00 , G11C11/24 , G11C27/024 , H01G4/005 , H01G4/018 , H01G4/38 , H01L21/84 , H01L23/5223 , H01L27/0805 , H01L27/1203 , H01L28/40 , H01L29/94 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 一种用于时间测量的电荷流电路，包括电串联的多个基本电容性元件，每个基本电容性元件经过它的电介质空间泄漏。
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公开(公告)号：CN110265076B
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN201910288732.8
申请日：2015-09-24
申请人： 意法半导体(鲁塞)公司
IPC分类号： G11C16/04 , H10B41/35 , H01L21/336 , H01L29/788
摘要： 本发明涉及一种形成于半导体衬底(SUB)中的存储器单元，包括在该衬底中所形成的沟槽(TR)中垂直延伸并且通过第一栅极氧化物层(D3)与该衬底隔离的选择栅极(SGC)；在该衬底上方延伸并且通过第二栅极氧化物层(D1)与衬底隔离的水平浮置栅极(FG)；和在该浮置栅极上方延伸的水平控制栅极(CG)，该选择栅极(SGC)覆盖该浮置栅极的侧面，该浮置栅极仅通过第一栅极氧化物层(D3)与该选择栅极隔开，并且仅通过第二栅极氧化物层与在该衬底中沿该选择栅极延伸的垂直沟道区域(CH2)隔开。
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公开(公告)号：CN114067884A
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202110899221.7
申请日：2021-08-05
申请人： 意法半导体股份有限公司 , 意法半导体(鲁塞)公司
摘要： 本公开的实施例涉及用于存储器中卷积计算的方法和对应的集成电路。在一个实施例中，一种用于利用权重因子对输入值进行卷积计算(CNVL)的方法包括将输入值转换为电压信号，并且在相应时隙之上在非易失性存储器点阵列中的所选择的位线上连续施加电压信号，每个存储器点包括耦合到位线并且具有与权重因子相对应的电阻状态的相变电阻存储器单元、以及与相变电阻存储器单元串联耦合并且具有与字线耦合的基极端子的双极选择晶体管，其中相应电压信号偏置相应相变存储器单元，在连续时隙之上对由偏置相应相变电阻存储器单元的电压信号产生、并且流过所选择的字线的读取电流进行积分，并且将积分后的读取电流转换为输出值。
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公开(公告)号：CN106782652B
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：CN201610363597.5
申请日：2016-05-26
申请人： 意法半导体股份有限公司 , 意法半导体(鲁塞)公司
摘要： 一种非易失性存储器设备(1)的感测放大器电路(10)，设置有：偏置级(11)，其偏置存储器阵列(2)的位线(BL)用于在存储器单元(3)中存储的数据的读取操作的预充电步骤期间对其预充电；电流至电压变换器级(12)，具有差分配置以及第一电路支路(12a)和第二电路支路(12b)，其在预充电步骤之后的数据读取步骤期间在相应比较输入(INa，INb)上接收单元电流(Icell)和参考电流(Iref)，每个电流具有相应放大模块(22a，22b)，放大模块生成相应经放大的电压(Va，Vb)，输出电压(Vout)是经放大的电压(Va，Vb)之间的差异的函数并且指示数据的值。电容步长模块(26)在第一预充电步骤期间检测并且存储第一与第二电路支路之间的偏移，并且在数据读取步骤期间补偿输出电压(Vout)中的这一偏移。
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公开(公告)号：CN111611627A
公开(公告)日：2020-09-01
申请号：CN202010108632.5
申请日：2020-02-21
申请人： 意法半导体(克洛尔2)公司 , 意法半导体(鲁塞)公司
摘要： 本文描述了具有晶体管的物理不可克隆功能的器件及制造方法。根据一个实施例，一种物理不可克隆功能器件包括晶体管对集合，晶体管对集合中的晶体管具有属于共同随机分布的经随机分布的有效阈值电压；差分读取电路，被配置为测量晶体管对集合中的晶体管对的晶体管的有效阈值电压之间的阈值差，并且将其中所测量的阈值差小于裕度值的晶体管对标识为不可靠的晶体管对；以及写入电路，被配置为将不可靠的晶体管对的晶体管的有效阈值电压移位到共同随机分布内。
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公开(公告)号：CN107544237B
公开(公告)日：2020-04-03
申请号：CN201611228455.4
申请日：2016-12-27
申请人： 意法半导体(克洛尔2)公司 , 意法半导体(鲁塞)公司 , 意法半导体股份有限公司
IPC分类号： G04F13/00
摘要： 一种测试电路(19)，包括用于测量时间间隔的电荷保持电路级(1)，电荷保持电路级设置有：存储电容器(2)，连接在第一偏置端子(3a)与浮置节点(4)之间；以及放电元件(6)，连接在浮置节点(4)与参考端子(7)之间，用于通过穿过对应的电介质的泄漏对存储在存储电容器中的电荷放电。测试电路设想：偏置级(24)，用于将浮置节点偏置处于读取电压(VL)；检测级(30，32)，用于检测读取电压的偏置值(VL(t0))；以及积分器级(20)，具有耦合至浮置节点的测试电容器(28)，用于实现对放电元件中的放电电流(iL)与保持恒定处于偏置值的读取电压的积分运算，以及确定根据积分运算变化的放电元件的有效电阻值(RL')。
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公开(公告)号：CN107272396B
公开(公告)日：2019-07-12
申请号：CN201710618804.1
申请日：2012-09-21
申请人： 意法半导体(鲁塞)公司
IPC分类号： G04F13/00 , G11C27/02 , H01L21/84 , H01L23/522 , H01L27/08 , H01L27/12 , H01L29/94 , H01L49/02
CPC分类号： G01R27/2605 , G01R17/02 , G04F10/10 , G04F13/00 , G11C11/24 , G11C27/024 , H01G4/005 , H01G4/018 , H01G4/38 , H01L21/84 , H01L23/5223 , H01L27/0805 , H01L27/1203 , H01L28/40 , H01L29/94 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 一种用于时间测量的电荷流电路，包括电串联的多个基本电容性元件，每个基本电容性元件经过它的电介质空间泄漏。
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公开(公告)号：CN105390154B
公开(公告)日：2019-05-07
申请号：CN201510459611.7
申请日：2015-07-30
申请人： 意法半导体(鲁塞)公司
发明人： F·拉罗萨
摘要： 本公开提供了页或字可擦除复合非易失性存储器。一种非易失性存储器包括位线、包括第一类型的存储器单元的第一页可擦除扇区和包括第二类型的存储器单元的第二字可擦除或位可擦除扇区。第一类型的存储器单元包括单个浮置栅极晶体管，并且第二类型的存储器单元包括浮置栅极被电耦合的第一浮置栅极晶体管和第二浮置栅极晶体管，第二类型的存储器单元的第二浮置栅极晶体管使该存储器单元能够被单独地擦除。
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公开(公告)号：CN105720060B
公开(公告)日：2019-05-03
申请号：CN201510617909.6
申请日：2015-09-24
申请人： 意法半导体(鲁塞)公司
IPC分类号： H01L27/11517
摘要： 本发明涉及一种形成于半导体衬底(SUB)中的存储器单元，包括在该衬底中所形成的沟槽(TR)中垂直延伸并且通过第一栅极氧化物层(D3)与该衬底隔离的选择栅极(SGC)；在该衬底上方延伸并且通过第二栅极氧化物层(D1)与衬底隔离的水平浮置栅极(FG)；和在该浮置栅极上方延伸的水平控制栅极(CG)，该选择栅极(SGC)覆盖该浮置栅极的侧面，该浮置栅极仅通过第一栅极氧化物层(D3)与该选择栅极隔开，并且仅通过第二栅极氧化物层与在该衬底中沿该选择栅极延伸的垂直沟道区域(CH2)隔开。
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公开(公告)号：CN109696639A
公开(公告)日：2019-04-30
申请号：CN201811217458.7
申请日：2018-10-18
申请人： 意法半导体(鲁塞)公司
摘要： 本发明的各实施例涉及具有用于监测电源的设备的电子电路。通过监测电路监测电源电压，监测电路包括可变电流生成器和带隙电压生成器核，该带隙电压生成器核接收可变电流并且包括第一节点和第二节点。连接到第一节点和第二节点的控制电路被配置为在第一节点上递送控制信号，当增加的电源电压低于第一阈值时控制信号具有第一状态，并且当增加的电源电压超过第一阈值时控制信号具有第二状态。第一阈值至少等于带隙电压。均衡电路也被连接到第一节点和第二节点，并具有向可变电流生成器的反馈，在第二输出节点处生成带隙电压。控制信号操作以控制均衡电路的致动。
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