-
公开(公告)号：CN118221914A
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202211639059.6
申请日：2022-12-20
Applicant: 彤程化学(中国)有限公司 , 上海彤程电子材料有限公司 , 彤程新材料集团股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一类含有杂原子氮的共价有机框架材料及其制备和其在光刻胶领域的应用。其制备路线为：含杂原子氮修饰的共轭平面分子、兼卤族元素的单体和含两个以上硼酯基团修饰的芳香环通过溶剂热法进行Suzuki反应，经过索氏提取等步骤，最终制得所述含有杂原子氮的共价有机框架材料。本发明还公开了利用所述含有杂原子氮的共价有机框架材料去除树脂溶液(尤其是G线、I线、KrF线)中无机酸和金属杂质的方法以及应用。本发明方法得到的树脂产品中无机酸含量大幅度降低，同时单项金杂可降低至1ppb以下。本发明可用于光刻胶技术领域，用于光刻胶提纯，具有广泛应用前景。
-
公开(公告)号：CN117631453A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202210987968.2
申请日：2022-08-17
Applicant: 彤程化学(中国)有限公司 , 上海彤程电子材料有限公司 , 彤程新材料集团股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种新的负性光刻胶组合物及其应用，该组合物包含两种改性聚羟基苯乙烯树脂混合物、光致产酸剂和光刻胶溶剂。在图案曝光部分，光致产酸剂产生一定强度的酸，催化树脂混合物交联，而非曝光部分在碱水中可溶。本发明还公开了所述组合物中树脂的合成方法。本发明所述负性光刻胶组合物有效提高光刻胶的分辨率及感光速度，适用于集成电路、平板显示及半导体照明芯片制造等领域的广泛应用。
-
公开(公告)号：CN113504289B
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN202110732386.5
申请日：2021-06-29
Applicant: 上海彤程电子材料有限公司 , 北京彤程创展科技有限公司 , 北京科华微电子材料有限公司 , 彤程化学(中国)有限公司 , 彤程新材料集团股份有限公司
Abstract: 本申请涉及一种含醌二叠氮基化合物样品中酚类骨架的鉴定方法，涉及化合物分析的领域，其包括以下步骤：在醇的存在下，使待测样品与强碱试剂发生水解反应，得到包含目标产物的混合溶液；对混合溶液进行除水处理，随后加入有机溶剂并过滤，得到包含目标产物的上清液；取包含目标产物的上清液进行场解吸质谱系统测试，得到质谱图；所述待测样品含有含醌二叠氮基化合物、含醌二叠氮基化合物的曝光后产物中的一种或多种。本申请具有能够检出并鉴别出感光剂的效果。
-
公开(公告)号：CN114136908B
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202111459965.3
申请日：2021-12-02
Applicant: 上海彤程电子材料有限公司 , 北京彤程创展科技有限公司 , 北京科华微电子材料有限公司 , 彤程化学(中国)有限公司 , 彤程新材料集团股份有限公司
IPC: G01N21/35 , G01N21/3563
Abstract: 本申请涉及光刻胶树脂技术领域，提供了一种测试缩醛部分保护的聚对羟基苯乙烯树脂保护率的方法，通过获得已知保护率缩醛部分保护的聚对羟基苯乙烯树脂样品中醚键的特征峰高度和苯环对位取代基的特征峰高度的比值，建立得到标准曲线的回归方程；将缩醛部分保护的聚对羟基苯乙烯树脂待测样品中醚键的特征峰高度和苯环对位取代基的特征峰高度的比值代入上述回归方程，即可计算得到待测样品的保护率；该方法能够准确获得缩醛部分保护的聚对羟基苯乙烯树脂待测样品的保护率，且不需要使用毒性较大的良溶剂，具有简便、分析速度快、准确度高、误差小、检测成本低、安全环保等优势。
-
公开(公告)号：CN113804867A
公开(公告)日：2021-12-17
申请号：CN202111138814.8
申请日：2021-09-27
Applicant: 上海彤程电子材料有限公司 , 北京彤程创展科技有限公司 , 北京科华微电子材料有限公司 , 彤程化学(中国)有限公司 , 彤程新材料集团股份有限公司
IPC: G01N33/44
Abstract: 本申请提供了一种测试光刻胶树脂组分的方法，通过获得光刻胶树脂中保护基团R的结构及分子量，采用凝胶渗透色谱获得光刻胶树脂经衍生化处理前后的重均分子量，并经本申请的公式计算，获得光刻胶树脂中保护基团R的保护率，进而获得光刻胶树脂中各单体的组分；所述方法能够准确获得光刻胶树脂中各单体的组分，为确定光刻胶树脂的性能提供了理论依据，且所述方法具有简便、灵敏度高、分析速度快、准确率高、误差小等优势。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113485072B
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202110691354.5
申请日：2021-06-22
Applicant: 北京科华微电子材料有限公司 , 北京科华丰园微电子科技有限公司 , 上海彤程电子材料有限公司 , 彤程新材料集团股份有限公司
IPC: G03F7/004
Abstract: 本申请提供了一种光刻胶组合物及其用途，该光刻胶组合物，以重量份计，包括以下成分：酚醛树脂10‑50份、感光剂1‑10份、塑化剂0.1‑5份、添加剂0.1‑5份和有机溶剂40‑100份，添加剂包括结构式(I)所示化合物中的至少一种。将本申请的光刻胶作为G线光刻胶或I线光刻胶使用，具有较低的回流温度，能避免高温对器件造成不利影响，在较低的温度下迅速回流形成形貌良好的微镜阵列，可用于对温度要求苛刻的生产工艺中。而且较小尺寸、或者较大高宽比的图形也能回流成形貌良好的微镜阵列。#imgabs0#
-
公开(公告)号：CN115725216B
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202211319214.6
申请日：2022-10-26
Applicant: 北京科华微电子材料有限公司 , 上海彤程电子材料有限公司 , 彤程新材料集团股份有限公司
IPC: G03F7/09 , C09D133/14
Abstract: 本申请提供了一种底部抗反射涂层组合物及其用途，其中，底部抗反射涂层组合物不含小分子的交联剂、产酸剂，该底部抗反射涂层组合物含有丙烯酸树脂共聚物A和丙烯酸树脂共聚物B，能够引入含有可热交联的环氧基团和芳香胺基团，可以在热交联的过程中减少由于小分子气化‑重结晶导致的污染情况的发生。
-
公开(公告)号：CN115793391A
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202211513745.9
申请日：2022-11-29
Applicant: 北京科华微电子材料有限公司 , 上海彤程电子材料有限公司 , 彤程新材料集团股份有限公司
Abstract: 本申请提供一种光刻胶及其应用，属于半导体及集成电路技术领域。光刻胶包括10wt％～30wt％酚醛树脂、2wt％～10wt％重氮萘醌感光剂和0.1wt％～10wt％添加剂。本申请在重氮萘醌型光刻胶中加入含卤素的添加剂，添加剂能够和光刻胶中的其他成分相互作用，从而提高光刻胶的光敏感度，且能够使得光刻胶具有较好的光刻性能，具体表现为侧壁较垂直的形貌。
-
公开(公告)号：CN113234194B
公开(公告)日：2022-08-12
申请号：CN202110725188.6
申请日：2021-06-29
Applicant: 北京科华微电子材料有限公司 , 北京科华丰园微电子科技有限公司 , 上海彤程电子材料有限公司 , 彤程新材料集团股份有限公司
IPC: C08F222/40 , C08F220/14 , C08F220/20 , C08F8/12 , C09J135/00 , G03F7/42
Abstract: 本申请提供一种共聚物、底层胶组合物、双层体系及其在双层剥离工艺中的应用。属于半导体技术领域。共聚物由N取代马来酰亚胺单体、溶解速率控制单体、丙烯酸酯疏水性单体和丙烯酸羟乙酯亲水性单体聚合得到。本申请的共聚物不溶解于传统光刻胶的溶剂，可以溶解于碱性溶液中，不溶于水，且具有较高的玻璃化转变温度，并具有较好的化学稳定性和抗刻蚀能力，能够作为双层剥离工艺的底层树脂材料。双层体系包括顶层光刻胶和共聚物形成的底层胶。双层体系能够用于双层剥离工艺，且只需要单次显影和单次显影就可以得到目标光刻图案，大大提高光刻效率。
-
公开(公告)号：CN115947648B
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202211695370.2
申请日：2022-12-28
Applicant: 北京彤程创展科技有限公司 , 上海彤程电子材料有限公司 , 北京科华微电子材料有限公司 , 彤程新材料集团股份有限公司
Abstract: 本申请提供一种交联剂及其制备方法、光刻胶，属于光刻技术领域。光刻胶包括溶质和第一溶剂，其中，溶质包括70wt％～95wt％碱溶性树脂、1wt％～30wt％光致产酸剂、0.1wt％～15wt％酸淬灭剂和5wt％～20wt％上述的交联剂，第一溶剂的质量为碱溶性树脂的质量的1倍～10倍。本申请的交联剂能够用于添加到光刻胶中，并使得光刻胶的基体树脂的交联反应更加均匀，减少或避免局部分子量太大引起的形貌缺陷，得到的图形线条边缘更加垂直，且窗口更大。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
43
records
(took 0.07 seconds)
