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公开(公告)号:CN105474378B
公开(公告)日:2019-10-15
申请号:CN201580001487.8
申请日:2015-02-03
Applicant: 应用材料公司
Inventor: 连雷 , Q·沃克 , D·坎特维尔
IPC: H01L21/66
Abstract: 描述了使用光学传感器对脉冲等离子体的监测。在一个示例中,本发明包括:接收由半导体等离子体处理腔室中的脉冲等离子体所发射的光;以比脉冲等离子体的脉冲速率高的采样率对所接收的光进行采样,其中所采样的光具有周期性的振幅波形并且采样率比振幅波形的周期高;累积多个经采样的波形以形成平均波形;以及将平均波形的特性传输至腔室控制工具。
公开(公告)号:CN105474378A
公开(公告)日:2016-04-06