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公开(公告)号：CN110582845A
公开(公告)日：2019-12-17
申请号：CN201880028696.5
申请日：2018-07-12
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/768 , H01L21/02
Abstract: 膜堆叠及形成膜堆叠的方法，膜堆叠包含在基板上的高k介电层、在高k介电层上的高k覆盖层、在高k覆盖层上的n金属层及在n金属层上的n金属覆盖层。n金属层具有与高k覆盖层相邻的富铝界面。
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