一种平行结构的石墨烯-金刚石复合材料的制备方法

    公开(公告)号:CN119194399A

    公开(公告)日:2024-12-27

    申请号:CN202411331838.9

    申请日:2024-09-24

    Abstract: 本发明公开了一种平行结构的石墨烯‑金刚石复合材料的制备方法,包括如下步骤:采用微波化学气相沉积的方法,在单晶金刚石表面沉积金刚石薄膜,通过切片打磨的方法分别制备上下表面为(111)取向的单晶金刚石薄膜;利用微波等离子体技术,通过氢等离子处理单晶金刚石薄膜表面得到具有氢终端表面的单晶金刚石;在低真空环境下,通过热丝加热甲烷、氢气的混合气体,热解产生石墨烯生长所需的碳原子,碳原子吸附在金刚石表面成核后二维重构,最终得到平行结构的石墨烯‑金刚石复合材料。本发明所公开的方法避免了石墨烯转移技术带来的破坏。该复合结构的表面可以表现出导体或半导体特性,在半导体芯片领域具有极大的应用潜力。

    一种全金刚石结构的压力传感器芯片及其制备方法

    公开(公告)号:CN117330215A

    公开(公告)日:2024-01-02

    申请号:CN202311417581.4

    申请日:2023-10-30

    Abstract: 本发明公开了一种全金刚石结构的压力传感器芯片及其制备方法,压力传感器芯片包括单晶金刚石基片,所述基片上表面刻蚀有4个凹槽,每个凹槽内均沉积有硼掺杂金刚石薄膜作为桥电阻,4个桥电阻通过金属电极联通形成惠斯通电桥结构,所述基片背面通过刻蚀形成应力杯。本发明从结构仿真设计、金刚石薄膜生长、电桥设计、电极生长、芯体封装全过程进行相关研制,并最终完成形成高稳定性、高灵敏度的金刚石压阻传感器制备。在全金刚石结构的条件下,可以克服硅基半导体的本征激发温度低,材料强度差的缺点,有利于提高器件的测量范围和应用范围。

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