用离子注入和退火制备铌酸锂晶体波导的方法

    公开(公告)号:CN1238578C

    公开(公告)日:2006-01-25

    申请号:CN03111918.2

    申请日:2003-03-04

    申请人: 山东大学

    摘要: 一种用离子注入制备钕掺杂钒酸钇晶体波导激光的方法,主要在(Nd3+:YVO4)晶体中形成平面及条形波导和实现波导激光输出。采用能量为2.0-6.0MeV,剂量为1×1012~5×1015离子/平方厘米范围的磷离子注入,在钕离子掺杂钒酸钇晶体表面形成平面光波导,或利用先做条形掩膜,再做磷离子注入的方法,形成钕离子掺杂钒酸钇的条形光波导。对波导端面进行激光谐振腔镀膜后,利用一定波长和功率的泵浦激光对钕离子掺杂钒酸钇平面波导或条形波导进行泵浦,输出波长在1064nm左右的红外激光。

    离子束增强腐蚀制备晶体薄膜的方法

    公开(公告)号:CN113381286B

    公开(公告)日:2023-03-03

    申请号:CN202110614863.8

    申请日:2021-06-02

    申请人: 山东大学

    发明人: 谭杨 李慧琦 陈峰

    IPC分类号: H01S3/16 B24B1/00

    摘要: 本发明涉及一种离子束增强腐蚀制备晶体薄膜的方法,该方法采用重离子束碳离子结合化学腐蚀法进行,利用离子辐照技术认为对晶体材料制造缺陷层,使用采用金刚石切割刀在辐照过的晶体表面进行切割制备出凹槽,进而将缺陷层暴露出来增大与酸溶液的接触面积,利用化学腐蚀技术对缺陷层进行腐蚀,实现大面积微米量级厚度晶体薄膜的剥离,实现晶体薄膜的快速制备,时间短、工序简单、成本低,易于大规模推广应用。

    基于聚焦离子束辐照制备二维光伏探测器的方法

    公开(公告)号:CN113725316A

    公开(公告)日:2021-11-30

    申请号:CN202110791067.1

    申请日:2021-07-13

    申请人: 山东大学

    发明人: 谭杨 刘悦 陈峰

    摘要: 本发明涉及基于聚焦离子束辐照制备二维光伏探测器的方法,该方法利用离子束技术在二维材料一侧表面制备缺陷结构,利用缺陷调控二维材料的载流子掺杂,构建PN节,即将单层TMDCs与石墨烯堆叠在一起构成异质结,TMDCs在石墨烯上方,使用聚焦离子束轰击TMDCs薄膜,制备缺陷结构,并降低TMDCs的功函数。利用TMDCs与石墨烯间的纵向电子传输,对石墨烯进行电荷掺杂,调控石墨烯N态及P态电子性质,构建二维光伏探测器。可以实现全自动化过程,操作简单,重复性强,短时间内可制备出大批次光伏探测器的PN结二极管,制备出的二维光伏探测器具有宽波段探测能力,表现出优异的光伏性能。

    一种基于脊型铌酸锂单晶薄膜波导集成周期性畴反转结构的频率转换器及其制备

    公开(公告)号:CN110568694B

    公开(公告)日:2021-01-22

    申请号:CN201910718080.7

    申请日:2019-08-05

    申请人: 山东大学

    摘要: 本发明涉及一种基于脊型铌酸锂单晶薄膜波导集成周期性畴反转结构的频率转换器及其制备,首先在铌酸锂单晶薄膜表面用相同的激光加工参数,制备畴反转区域占空比为0.5的周期结构;然后应用飞秒激光直写或者精密金刚石刀切割技术在铌酸锂单晶薄膜上制备脊型波导,集成在预先加工好的周期性结构上;进而对LNOI的两个X端面进行抛光处理,然后清洗、得到抛光面;最后将半导体激光器与光纤耦合系统、具有周期性畴反转结构的铌酸锂单晶薄膜波导,以及滤光片集成在一起,实现对特定波长激光的频率转换功能。本发明具有转换效率高、光束质量好、寿命长等特点,该产品主要应用于光纤通讯、电子学器件制备、信息存储、红外探测等领域。

    一种基于钇铝石榴石光波导的起偏器及其制备方法与应用

    公开(公告)号:CN108710172A

    公开(公告)日:2018-10-26

    申请号:CN201810526550.5

    申请日:2018-05-23

    申请人: 山东大学

    发明人: 陈峰 李让 逄驰

    摘要: 本发明涉及一种基于钇铝石榴石光波导的起偏器及其制备方法与应用,主要包括在YAG晶体中形成银金属纳米粒子光波导结构,以及实现对偏振光的分辨。通过光刻技术在晶体表面形成掩膜,采用能量为100~300keV,剂量为1~10×1016ions/cm2的银离子通过离子注入技术在YAG晶体表面形成银纳米粒子,采用能量为12~16MeV,剂量为2~6×1014ions/cm2的氧离子通过离子注入技术在YAG晶体表面形成光波导结构,清洗掉掩膜,得到基于钇铝石榴石光波导的起偏器;通过端面耦合系统,将偏振光耦合进该起偏器中,实现对偏振光的分辨。本发明利用光刻掩膜技术、银离子与氧离子依次注入后的钇铝石榴石晶体制备起偏器,并结合端面耦合系统实现对偏振光的分辨。

    双掺CaF2晶体中三维波导型分束器的制备方法

    公开(公告)号:CN107632341A

    公开(公告)日:2018-01-26

    申请号:CN201710883054.0

    申请日:2017-09-26

    IPC分类号: G02B6/125 G02B6/13

    摘要: 本发明提供一种双掺CaF2晶体中三维波导型分束器的制备方法,属于光子学器件制备技术领域。主要包括利用飞秒激光在双掺CaF2晶体进行分阶段写入,各阶段为端面形貌略有不同的包层光波导结构,各阶段首尾相接,且中心线始终在同一直线上。通过各阶段包层光波导端面形貌的渐变,波导结构由入射端的单个圆柱形波导渐变为出射端的多个圆柱形结构,形成波导分束器。在分束器入射端、出射端加激光腔镜,利用适当波长的泵浦激光对波动啊分束器进行泵浦,可实现多路波导激光的同时输出。

    一种基于光波导激光结构的血糖浓度探测器及其制备方法与应用

    公开(公告)号:CN104792730A

    公开(公告)日:2015-07-22

    申请号:CN201510185563.7

    申请日:2015-04-17

    申请人: 山东大学

    发明人: 谭杨 陈峰

    IPC分类号: G01N21/39

    摘要: 本发明涉及一种基于光波导激光结构的血糖浓度探测器及其制备方法,采用能量为6~10MeV的氧离子轰击晶体表面,制作厚度为3~6微米的光波导结构,氧离子的剂量为2~6×1014ions/cm2;在光波导表面设置微流通道,使微流通道内的液体与光波导表面接触;对光波导的两个端面进行抛光、镀膜,利用泵浦激光对钕离子掺杂钇铝石榴石晶体进行泵浦,实现1064nm激光输出,根据激光输出功率的变化判断血糖浓度,且结构小,利于集成,稳定性高,灵敏度高。

    在钕掺杂钒酸镥晶体内制备条形波导激光器件的方法

    公开(公告)号:CN102005688A

    公开(公告)日:2011-04-06

    申请号:CN201010284508.0

    申请日:2010-09-17

    申请人: 山东大学

    IPC分类号: H01S3/06

    摘要: 在钕掺杂钒酸镥晶体内制备条形波导激光器件的方法,属于光电子器件制备技术领域。主要包括在钕掺杂钒酸镥晶体中形成条形波导和实现条形波导激光输出。采用脉冲重复频率为200千赫兹,能量为2~17毫焦/脉冲,写入速度为0.2~15毫米/秒的飞秒激光,在钕掺杂钒酸镥晶体内形成条形波导。对波导端面进行激光谐振腔镀膜后,利用泵浦激光对钕掺杂钒酸镥条形波导进行泵浦,输出波长在1063±1或1340±1纳米的红外激光。

    一种铌酸锂单晶薄膜扇形周期性畴反转结构元件、制备方法及频率转换器

    公开(公告)号:CN118584728A

    公开(公告)日:2024-09-03

    申请号:CN202410812619.6

    申请日:2024-06-22

    申请人: 山东大学

    发明人: 张彬 王磊 陈峰

    IPC分类号: G02F1/355 G02F1/35

    摘要: 本发明公开了一种铌酸锂单晶薄膜扇形周期性畴反转结构元件、制备方法及频率转换器,该结构元件利用飞秒激光技术制备,包括:由上层铌酸锂单晶薄膜、中间层二氧化硅绝缘层和下层铌酸锂单晶衬底组成的薄膜材料平台;铌酸锂单晶薄膜上设有扇形周期性畴反转结构,包括沿铌酸锂单晶薄膜的y向呈扇形依次排开的多个单周期性畴反转结构,沿着扇形周期性畴反转结构的排布方向设有二维空间锥形双线波导阵列;该频率转换器包括连续可调波长激光器、宽带半波片、光纤耦合输入端、铌酸锂单晶薄膜扇形周期性畴反转结构元件、光纤耦合接收端和滤光片;本发明利用飞秒激光直写技术在铌酸锂单晶薄膜中制备扇形周期性畴反转结构,从而实现宽波段可调谐频率转换。

    离子束直写二维半导体器件的方法

    公开(公告)号:CN111341837B

    公开(公告)日:2021-06-15

    申请号:CN202010157534.0

    申请日:2020-03-09

    申请人: 山东大学

    发明人: 谭杨 刘燕然 陈峰

    摘要: 本发明公开了一种离子束直写二维半导体器件的方法,步骤一、将表面清洗后的硅片作为衬底;步骤二、在硅片表面制作一对相间隔的金电极;步骤三、在金电极上方设置一单层石墨烯,单层石墨烯覆盖整个硅片表面区域;步骤四、在单层石墨烯上方设置一单层过渡金属双卤代金属TMDCs;步骤五、通过低能量离子束对部分单层TMDCs表面进行轰击,使轰击区域的单层TMDCs表面产生缺陷,有缺陷的单层TMDCs对单层石墨烯进行空位掺杂,使得对应置处的单层石墨烯呈现P态,无缺陷的单层TMDCs对单层石墨烯进行电子掺杂,使得对应位置处的单层石墨烯呈现N态,最终形成PN结。提出了一种利用离子辐照技术直接在TMDCs/石墨烯异质结构上绘制任意二极管的方法。